电气特性
2.6
DDR2和DDR3 SDRAM
本节介绍了直流和交流电气特性芯片的DDR SDRAM接口。需要注意的是DDR2
SDRAM是GV
DD
（类型） = 1.8 V和DDR3 SDRAM是GV
DD
（类型）= 1.5V。
2.6.1
DDR2和DDR3 SDRAM直流电气特性
接口至当该表提供了建议的操作条件为在芯片的DDR SDRAM组分
DDR2 SDRAM 。
表12. DDR2 SDRAM直流电气特性的GV
DD
（典型值）= 1.8 V
参数/条件
I / O电源电压
I / O参考电压
I / O终端电压
输入高电压
输入低电压
输出漏电流
高输出电流（V
OUT
= 1.420 V)
输出低电流（V
OUT
= 0.280 V)
符号
GV
DD
MV
REF
V
TT
V
IH
V
IL
I
OZ
I
OH
I
OL
民
1.7
0.49
×
GV
DD
MV
REF
– 0.04
MV
REF
+ 0.125
–0.3
–50
–13.4
13.4
最大
1.9
0.51
×
GV
DD
MV
REF
+ 0.04
GV
DD
+ 0.3
MV
REF
– 0.125
50
—
—
单位
V
V
V
V
V
μA
mA
mA
笔记
1
2
3
—
—
4
—
—
注意事项：
1. GV
DD
预计将在50毫伏的DRAM的拍摄画面GV的
DD
在任何时候。
2. MV
REF
预计是等于0.5的
×
GV
DD
和跟踪GV
DD
DC变动，在接收端进行测量。
峰 - 峰值在MV噪音
REF
不得超过DC值的±2％。
3. V
TT
不直接向芯片施加。它是哪个远端信号的终止是由供给和预期为
等于MV
REF
。这条铁路应该跟踪变化， MV的直流电平
REF
.
4.输出泄漏测量时，所有输出关闭， 0 V
≤
V
OUT
≤
GV
DD
.
接口至当该表提供了建议的操作条件为在芯片的DDR SDRAM控制器
DDR3 SDRAM 。
表13. DDR3 SDRAM接口DC电气特性为GV
DD
（典型值） = 1.5 V
参数/条件
I / O电源电压
I / O参考电压
输入高电压
输入低电压
输出漏电流
符号
GV
DD
MV
REF
n
V
IH
V
IL
I
OZ
民
1.425
0.49
×
GV
DD
MV
REF
n
+ 0.100
GND
–50
最大
1.575
0.51
×
GV
DD
GV
DD
MV
REF
n
– 0.100
50
单位
V
V
V
V
μA
笔记
1
2
—
—
3
注意事项：
1. GV
DD
预计将在50毫伏的DRAM的拍摄画面GV的
DD
在任何时候。
2. MV
REF
n
预计是等于0.5的
×
GV
DD
和跟踪GV
DD
DC变动，在接收端进行测量。
峰 - 峰值在MV噪音
REF
n
不得超过DC值的±1％。
3.输出泄漏测量时，所有输出关闭， 0 V
≤
V
OUT
≤
GV
DD
.
MPC8536E的PowerQUICC III集成处理器的硬件规格，版本5
32
飞思卡尔半导体公司
