电气特性
表5.功率耗散（续）
5
V
DD
DDR
建行
CORE
Frequen Frequen Frequen Platfor
电源模式
cy
cy
m
cy
（兆赫）
最大（ A）
热（W）的
典型值（ W）
打盹（ W）
午睡（ W）
睡眠（ W）
深度睡眠
(W)
35
1500
500
667
1.0
1.1
（兆赫）
（兆赫）
(V)
V
DD
CORE
5
(V)
连接点
彩画
TURE
(°C)
105
/ 90
65
核心动力
意味着
7
—
—
3.0
2.2
1.1
1.1
0
3.3
2.1
2.1
0
平台电源
9
笔记
最大
7.1/6.1
5.9/4.9
意味着
7
—
—
1.7
1.5
1.5
1.1
0.6
2.1
2.1
1.7
1.2
最大
5.0/4.0
5.0/4.0
1, 3, 8
1, 4, 8
1, 2
1
1
1
1, 6
注意事项：
1.这些值指定的功耗标称电压，适用于所有有效的处理器总线频率，
配置。该值不包括功耗I / O电源。
2.典型的功率是在标称推荐的核心电压测量的平均值（Ⅴ
DD
）和65℃的结温
（见
表3）
在运行Dhrystone基准。
3.最大功率的测量条件最差的进程的最大功率和推荐的核心和平台的电压（V
DD
)
在最大工作结温（见
表3）
在运行冒烟测试，其中包括一个完全
L1缓存居民中，保持其执行单元最大限度地忙碌做作的指令序列。
4.热功率的测量条件最坏的情况下处理的最大功率和推荐的核心和平台的电压（V
DD
)
在最大工作结温（见
表3）
在运行Dhrystone基准。
5. VDD内核= 1.0 V为600 1333兆赫， 1.1 V为1500兆赫。
6.最大功率是与USB1 ， eTSEC1测得的最大数目，并且启用的DDR块。平均功率是
平均功率只允许外部中断和DDR的自刷新衡量。
7，平均功耗仅用于提供信息之用，是一个统计上显著的范围内所消耗的平均功率
设备。
8，最高工作结温（见
表3）
商业级为90
0
C，工业级是105
0
C.
9.平台的电源供给电源全部
V
DD_PLAT
销。
SEE
第2.23.6.1 ， “系统时钟为平台的频率选项， ”
对于全系列的芯片支持建行的频率。
MPC8536E的PowerQUICC III集成处理器的硬件规格，版本5
28
飞思卡尔半导体公司
