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IDT70V35 / 34S /升（ IDT70V25 / 24S / L）的
高速3.3V 8 / 4K ×18 （ 8 / 4K ×16 ）双端口静态RAM
工业和商业温度范围
AC电气特性在工作
温度和电源电压范围为70V25 / 24
(6)
70V25/24X15
Com'l ONY
符号
忙
时序（ M / S = V
IH
)
t
BAA
t
北京经济技术开发区
t
BAC
t
BDC
t
APS
t
BDD
t
WH
忙
从地址匹配访问时间
忙
禁止时间从地址不匹配
忙
从芯片的访问时间启用低
忙
禁止时间从芯片使能高
仲裁优先建立时间
(2)
忙
禁止以有效数据
(3)
写后举行
忙
(5)
____
70V25/24X20
Com'l
&工业
分钟。
马克斯。
70V25/24X25
Com'l
&工业
分钟。
马克斯。
单位
参数
分钟。
马克斯。
15
15
15
15
____
____
20
20
20
17
____
____
20
20
20
17
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
____
____
____
____
____
____
____
____
____
5
____
5
____
5
____
18
____
30
____
30
____
12
15
17
忙
时序（ M / S = V
IL
)
t
WB
t
WH
忙
输入写
(4)
写后举行
忙
(5)
0
12
____
0
15
____
0
17
____
ns
ns
____
____
____
端口到端口延迟时序
t
WDD
t
DDD
写脉冲数据延迟
(1)
写数据有效读取数据的延迟
(1)
____
30
25
____
45
35
____
50
35
ns
ns
5624 TBL 13A
____
____
____
70V25/24X35
Com'l只有
符号
忙
时序（ M / S = V
IH
)
t
BAA
t
北京经济技术开发区
t
BAC
t
BDC
t
APS
t
BDD
t
WH
忙
从地址匹配访问时间
忙
禁止时间从地址不匹配
忙
从芯片的访问时间启用低
忙
禁止时间从芯片使能高
仲裁优先建立时间
(2)
忙
禁止以有效数据
(3)
写后举行
忙
(5)
____
70V25/24X55
Com'l只有
分钟。
马克斯。
单位
参数
分钟。
马克斯。
20
20
20
20
____
____
45
40
40
35
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
____
____
____
____
____
____
5
____
5
____
35
____
40
____
25
25
忙
时序（ M / S = V
IL
)
t
WB
t
WH
忙
输入写
(4)
写后举行
忙
(5)
0
25
____
0
25
____
ns
ns
____
____
端口到端口延迟时序
t
WDD
t
DDD
写脉冲数据延迟
(1)
写数据有效读取数据的延迟
(1)
____
60
45
____
80
65
ns
ns
5624 TBL 13B
____
____
注意事项：
1.端口到端口延迟至SRAM单元写入端口读取端口，请参阅"TIMING波形的写端口到端口的读和
忙
（ M / S = V
IH
） ＆ QUOT ;.
2.为了确保两个端口的较早者获胜。
3. t
BDD
是一个计算出的参数，并且是0越大，叔
WDD
– t
WP
（实际的）或T
DDD
– t
DW
（实际的） 。
4.为了确保写周期的争用过程中受到抑制。
5.为了确保写周期竞争后完成的。
部分6号“X”表示额定功率（S或L ） 。
6.42
17
