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IDT70V35 / 34S /升（ IDT70V25 / 24S / L）的
高速3.3V 8 / 4K ×18 （ 8 / 4K ×16 ）双端口静态RAM
工业和商业温度范围
定时写周期第1号波形， R / W控制时序
(1,5,8)
t
WC
地址
t
HZ
OE
t
AW
CE
or
SEM
(9)
(7)
CE
or
SEM
(9)
(6)
(2)
(3)
t
AS
读/写
t
WP
t
WR
t
WZ
数据
OUT
(4)
(7)
t
OW
(4)
t
DW
数据
IN
t
DH
5624 DRW 09
定时写周期2号的波形，
CE， UB ， LB
时序控制
(1,5)
t
WC
地址
t
AW
CE
or
SEM
(9)
t
AS
(6)
UB
or
LB
(9)
t
EW
(2)
t
WR
(3)
读/写
t
DW
数据
IN
5624 DRW 10
t
DH
注意事项：
1. R / W或
CE
or
UB
＆放大器;
LB
必须在所有的地址转换为高。
2.在重叠（ T A写操作
EW
或T
WP
）低
UB
or
LB
和一个低
CE
并为存储器阵列中的低R / W写入周期。
3. t
WR
是从较早的测量
CE
或读/写（或
SEM
或R / W）要高，以结束写周期。
4.在这期间，在I / O引脚在输出状态和输入信号必须不被应用。
5.如果
CE
or
SEM
同时发生或R / W低的跳变的输出保持在高阻抗状态后低的跳变。
6.定时取决于哪个能信号被断言最后
CE，
R / W，或
UB
or
LB。
7.此参数由设备特性保证，但未经生产测试。转变是从稳定状态输出测试负载测量0mV
（图2） 。
8.如果
OE
是在读/写控制的写入周期为低，写脉冲的宽度必须是吨的大
WP
或（T
WZ
+ t
DW
），以允许在I / O驱动器关闭和数据是
放到总线上用于所需吨
DW
。如果
OE
是在一个R / W控制的写周期高电平时，此要求不适和写脉冲可短至
指定的T
WP
.
9.要访问的SRAM ，
CE
= V
IL
,
UB
or
LB
=
V
IL
,
和
SEM
= V
IH
.
要访问信号量，
CE
= V
IH
or
UB
和
LB
=
V
IH
,
和
SEM
= V
IL
.
t
EW
必须满足任一条件。
6.42
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