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IDT70V35 / 34S /升（ IDT70V25 / 24S / L）的
高速3.3V 8 / 4K ×18 （ 8 / 4K ×16 ）双端口静态RAM
工业和商业温度范围
AC电气特性在工作
温度和电源电压范围为70V35 / 34
(4)
70V35/34X15
Com'l只有
符号
读周期
t
RC
t
AA
t
ACE
t
ABE
t
AOE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
PU
t
PD
t
SOP
t
SAA
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
(3)
字节使能存取时间
(3)
输出启用访问时间
(3)
从地址变更输出保持
输出低-Z时间
(1,2)
输出高阻时间
(1,2)
芯片使能上电时间
(1,2)
芯片禁用断电时间
(1,2)
信号标志更新脉冲（ OE或
SEM ）
信号灯地址访问
(3)
15
____
____
70V35/34X20
Com'l
&工业
分钟。
马克斯。
70V35/34X25
Com'l只有
分钟。
马克斯。
单位
参数
分钟。
马克斯。
20
____
____
25
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5624 TBL 11
15
15
15
10
____
20
20
20
12
____
25
25
25
13
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
3
3
____
3
3
____
3
3
____
____
____
____
10
____
12
____
15
____
0
____
0
____
0
____
15
____
20
____
25
____
10
____
10
____
10
____
15
20
25
注意事项：
1.转变是从与输出负载测试（图2 ）低或高阻抗电压测量0mV 。
2.这个参数是由设备特性保证，但未经生产测试。
3.要访问的RAM ，
CE
= V
IL
,
UB
or
LB
= V
IL
和
SEM
= V
IH
.
要访问信号量，
CE
= V
IH
or
UB
＆放大器;
LB
= V
IH
和
SEM
= V
IL
.
部分4号“X”表示额定功率（S或L ） 。
读周期波形
(5)
t
RC
ADDR
t
AA
(4)
t
ACE
t
AOE
OE
t
ABE
UB ， LB
(4)
(4)
(4)
CE
读/写
t
LZ
数据
OUT
(1)
t
OH
有效数据
(4)
(2)
t
HZ
忙
OUT
(3,4)
注意事项：
1.时间取决于该信号被断言最后，
OE ， CE， LB ，
or
UB 。
2.时间取决于该信号拉高第一，
CE， OE ， LB ，
or
UB 。
3. t
BDD
延迟仅需要在的情况下相反的端口完成的写操作相同的地址位置的同时进行读操作
忙
没有关系的有效输出数据。
4.启动有效数据取决于哪个时间生效上次吨
ABE
,
t
AOE
,
t
ACE
,
t
AA
或T
BDD
.
5.
SEM
= V
IH
.
t
BDD
5624 DRW 08
6.42
10
