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IDT70V35 / 34S /升（ IDT70V25 / 24S / L）的
高速3.3V 8 / 4K ×18 （ 8 / 4K ×16 ）双端口静态RAM
工业和商业温度范围
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围为70V35 / 34
(1)
(V
DD
= 3.3V ± 0.3V)
70V35/34X15
Com'l只有
符号
I
DD
参数
工作动态
当前
（两个端口均有效）
测试条件
CE
= V
IL
，输出禁用
SEM
= V
IH
f = f
最大
(3)
VERSION
Com'l
IND
Com'l
MIL &
IND
Com'l
MIL &
IND
Com'l
MIL &
IND
Com'l
MIL &
IND
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
典型值。
(2)
150
140
____
____
70V35/34X20
Com'l
&工业
典型值。
(2)
140
130
140
130
20
15
20
15
80
75
80
75
1.0
0.2
1.0
0.2
80
75
80
75
马克斯。
200
175
225
195
30
25
45
40
110
100
130
115
5
2.5
15
5
115
100
130
115
70V35/34X25
Com'l只有
典型值。
(2)
130
125
____
____
马克斯。
215
185
____
____
马克斯。
190
165
____
____
单位
mA
I
SB1
待机电流
（这两个端口 - TTL
电平输入）
CE
R
和
CE
L
= V
IH
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
f = f
最大
(3)
25
20
____
____
35
30
____
____
16
13
____
____
30
25
____
____
mA
I
SB2
待机电流
（单端口 - TTL
电平输入）
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
= V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
(5)
活动端口输出禁用，
f=f
最大
(3)
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
这两个端口
CE
L
和
CE
R
＆ GT ; V
DD
- 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
DD
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
(4)
SEM
R
=
SEM
L
＆ GT ; V
DD
- 0.2V
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
＆ LT ; 0.2V和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
DD
- 0.2V
(5)
SEM
R
=
SEM
L
＆ GT ; V
DD
- 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
DD
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
活动端口输出禁用，
f = f
最大
(3)
85
80
____
____
120
110
____
____
75
72
____
____
110
95
____
____
mA
I
SB3
全待机电流
（这两个端口 -
CMOS电平输入）
1.0
0.2
____
____
5
2.5
____
____
1.0
0.2
____
____
5
2.5
____
____
mA
I
SB4
全待机电流
（单端口 -
CMOS电平输入）
85
80
____
____
125
105
____
____
75
70
____
____
105
90
____
____
mA
注意事项：
部分1号“X”表示额定功率（S或L ）
2. V
DD
= 3.3V ，T
A
= + 25°C ，而不是生产测试。我
DD DC =
115毫安（典型值）。
3.在f = F
最大
,
地址和控制线（除输出使能）被循环以1 /吨的最高频率的读周期
RC
，并使用“AC测试条件”输入
GND水平为3V 。
4， F = 0表示无地址或控制线变化。
5.端口"A"可能是左或右端口。港口"B"从口"A"相反。
5624 TBL 09
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
输出负载
GND到3.0V
为3ns最大。
1.5V
1.5V
图1和图2
5624 TBL 10
3.3V
590
数据
OUT
忙
INT
数据
OUT
435
30pF
435
3.3V
590
5pF*
,
5624 DRW 06
图1. AC输出负载测试
上电掉电时序
CE
图2.输出测试
负载
（对于T
LZ
, t
HZ
, t
WZ
, t
OW
)
*包括范围和夹具。
I
CC
I
SB
t
PU
50%
t
PD
50%
5624 DRW 07
,
6.42
8
