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W631GG6KB
AC时序和操作条件-12 / 12I / 12A / 12K / -15 / 15I / 15A / 15K速率等级，继续
符号
速度等级
参数
DDR3-1600
(-12/12I/12A/12K)
DDR3-1333
(-15/15I/15A/15K)
单位
笔记
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
数据时序
t
DQSQ
t
QH
t
LZ （DQ）
t
HZ （DQ）
t
DS(AC150)
DQS ， DQS ＃以DQ歪斜，每个组，每个接入
从DQS DQ输出保持时间， DQS ＃
从CK ， CK ＃ DQ低阻抗时间
从CK ， CK ＃ DQ高阻抗的时间
数据建立时间
DQS ， DQS ＃
数据保持时间从
DQS ， DQS ＃
基本规范
V
REF
@ 1 V / ns的
基本规范
V
REF
@ 1 V / ns的
0.38
-450
10
160
45
145
360
100
225
225
0.38
-500
30
180
65
165
400
pS
pS
125
250
250
pS
t
CK
（ AVG）
pS
pS
pS
23
18, 23
17, 23, 24
17, 23, 24
11, 40
11, 40, 42
11, 40
11, 40, 42
10
t
DH(DC100)
t
DIPW
DQ和DM输入脉冲宽度为每个输入
数据选通脉冲时序
t
RPRE
t
RPST
t
QSH
t
QSL
t
WPRE
t
WPST
t
DQSCK
t
LZ （ DQS ）
t
HZ （ DQS ）
t
DQSL
t
DQSH
t
DQSS
t
DSS
t
DSH
DQS ， DQS ＃差分读序言
DQS ， DQS ＃差分读后记
DQS ， DQS ＃差分输出高电平时间
DQS ， DQS ＃差分输出低电平时间
DQS ， DQS ＃差写序言
DQS ， DQS ＃差写后记
DQS ， DQS ＃上升沿输出从访问时间
上升CK ， CK ＃
DQS和DQS ＃从低阻抗的时间
CK，CK ＃ （从RL引用 - 1）
DQS和DQS ＃从高阻抗的时间
CK ， CK ＃ （从RL + BL / 2参考）
DQS ， DQS ＃差分输入低脉冲宽度
DQS ， DQS ＃差分输入高脉冲宽度
DQS ， DQS ＃上升沿CK ， CK ＃上升沿
DQS ， DQS ＃下降沿建立时间为CK ， CK ＃
上升沿
DQS ， DQS ＃从CK下降沿保持时间， CK ＃
上升沿
0.9
0.3
0.4
0.4
0.9
0.3
-225
-450
0.45
0.45
-0.27
0.18
0.18
注21
注22
225
225
225
0.55
0.55
0.27
0.9
0.3
0.4
0.4
0.9
0.3
-255
-500
0.45
0.45
-0.25
0.2
0.2
注21
注22
255
250
250
0.55
0.55
0.25
t
CK
（ AVG） 18 ， 21 ， 23
t
CK
（ AVG） 18 ， 22 ， 23
t
CK
（ AVG）
t
CK
（ AVG）
t
CK
（ AVG）
t
CK
（ AVG）
pS
pS
pS
t
CK
（ AVG）
t
CK
（ AVG）
t
CK
（ AVG）
t
CK
（ AVG）
t
CK
（ AVG）
18, 23
18, 23
46
46
17, 23
17, 23, 24
17, 23, 24
12, 14
13, 14
16
15, 16
15, 16
命令和地址时序
t
AA
t
RCD
t
RP
t
RC
t
RAS
t
DLLK
t
RTP
t
WTR
内部读取命令到第一个数据
ACT内部的读或写操作延迟时间
PRE命令期
ACT行事或REF指令周期
ACT来PRE命令期
DLL锁定时间
内部读取指令预充电
命令延迟
延迟从内部写交易的开始
内部读取命令
512
max(4nCK,
7.5nS)
max(4nCK,
7.5nS)
512
max(4nCK,
7.5nS)
max(4nCK,
7.5nS)
见 - 速度Bin‖上
第134页
见 - 速度Bin‖上
第133页
nS
nS
nS
nS
nS
NCK
8
8, 26
8
8
8
8
8
出版日期： 2013年2月27日
修订版A04
- 142 -
