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W631GG6KB
AC时序和操作条件-11速度等级，继续
符号
速度等级
参数
DDR3-1866 （ -11 ）
分钟。
马克斯。
单位备注
命令和地址时序
t
DLLK
t
RTP
t
WTR
t
WR
t
MRD
t
MOD
t
CCD
t
DAL
（分钟）
t
MPRR
t
RRD
t
一汽
t
IS(AC135)
t
IS(AC125)
t
IH(DC100)
t
IPW
DLL锁定时间
内部读取指令预充电
命令延迟
延迟从内部写交易的开始
内部读取命令
写恢复时间
模式寄存器设置命令周期时间
模式寄存器设置命令更新延迟
CAS ＃到CAS ＃命令延迟
自动预充电写恢复+预充电时间
多用途寄存器恢复时间
积极为2KB页激活命令时期
SIZE
四激活窗口为2KB页大小
命令和地址
设置时间为CK ， CK ＃
命令和地址
设置时间为CK ， CK ＃
命令和地址
从CK的保持时间， CK＃
基本规范
V
REF
@ 1 V / ns的
基本规范
V
REF
@ 1 V / ns的
基本规范
V
REF
@ 1 V / ns的
512
MAX（ 4nCK ， 7.5nS ）
MAX（ 4nCK ， 7.5nS ）
15
4
MAX（ 12nCK ，为15nS ）
4
1
MAX（ 4nCK ，为6ns ）
35
65
200
150
275
100
200
535
NCK
8
8, 26
nS
NCK
8, 26
NCK
NCK
NCK
6
29
8
nS
pS
pS
pS
pS
pS
pS
pS
8
9, 41
9, 41, 42
9, 41
9, 41, 42
9, 41
9, 41, 42
10
WR +综述（T
RP
（ MIN ） /吨
CK
（AVG） ）
控制和地址输入脉冲宽度为每个
输入
校准时间
t
ZQ
INIT
t
ZQ
OPER
t
ZQCS
上电复位和校准时间
正常运行完整的校准时间
正常运行短路校准时间
MAX（ 512nCK ， 640nS ）
MAX（ 256nCK ，关闭320 ns ）
MAX（ 64nCK ， 80ns的）
33
复位时序
t
XPR
退出复位从CKE高到一个有效的命令
MAX（ 5nCK ， 120ns的）
自刷新时间
t
XS
t
XSDLL
t
CKESR
t
CKSRE
t
CKSRX
退出自刷新命令不要求
锁定DLL
退出自刷新命令需要锁定
DLL
对于自刷新进入CKE最小宽度低
退出的时机
自刷新入世后有效的时钟要求
（ SRE ）
自刷新退出之前有效的时钟要求
（SRX）
MAX（ 5nCK ， 120ns的）
t
DLLK
（分钟）
t
CKE
（分钟）+ 1nCK
MAX（ 5 NCK ，为10ns ）
MAX（ 5 NCK ，为10ns ）
NCK
34
35
刷新时间
t
RFC
t
REFI
REF命令行事或REF指令的时间
平均周期
刷新间隔
0°C
≤
T
例
≤
85°C
85°C
＆ LT ;
T
例
≤
95°C
110
7.8
3.9
nS
μS
μS
36
出版日期： 2013年2月27日
修订版A04
- 139 -
