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W631GG6KB
AC时序和操作条件-11速度等级，继续
符号
速度等级
参数
DDR3-1866 （ -11 ）
分钟。
马克斯。
单位
笔记
数据时序
t
DQSQ
t
QH
t
LZ （DQ）
t
HZ （DQ）
t
DS(AC135)
DQS ， DQS ＃以DQ歪斜，每个组，每个接入
从DQS DQ输出保持时间， DQS ＃
从CK ， CK ＃ DQ低阻抗时间
从CK ， CK ＃ DQ高阻抗的时间
数据建立时间
DQS ， DQS ＃
数据保持时间从
DQS ， DQS ＃
基本规格@ 2 V / ns的
V
REF
@ 2 V / ns的
基本规格@ 2 V / ns的
V
REF
@ 2 V / ns的
0.38
-390
68
135.5
70
120
320
85
195
195
pS
t
CK
（ AVG）
pS
pS
pS
pS
pS
pS
pS
23
18, 23
17, 23, 24
17, 23, 24
11, 40
11, 40, 42
11, 40
11, 40, 42
10
t
DH(DC100)
t
DIPW
DQ和DM输入脉冲宽度为每个输入
数据选通脉冲时序
t
RPRE
t
RPST
t
QSH
t
QSL
t
WPRE
t
WPST
t
DQSCK
t
LZ （ DQS ）
t
HZ （ DQS ）
t
DQSL
t
DQSH
t
DQSS
t
DSS
t
DSH
DQS ， DQS ＃差分读序言
DQS ， DQS ＃差分读后记
DQS ， DQS ＃差分输出高电平时间
DQS ， DQS ＃差分输出低电平时间
DQS ， DQS ＃差写序言
DQS ， DQS ＃差写后记
DQS ， DQS ＃上升沿输出从访问时间
上升CK ， CK ＃
DQS和CK ＃ DQS低阻抗时，
CK ＃ （引用自RL - 1 ）
DQS和CK DQS ＃高阻抗的时间，
CK ＃ （引用自RL + BL / 2 ）
DQS ， DQS ＃差分输入低脉冲宽度
DQS ， DQS ＃差分输入高脉冲宽度
DQS ， DQS ＃上升沿CK ， CK ＃上升沿
DQS ， DQS ＃下降沿建立时间为CK ， CK ＃
上升沿
DQS ， DQS ＃从CK下降沿保持时间， CK ＃
上升沿
0.9
0.3
0.4
0.4
0.9
0.3
-195
-390
0.45
0.45
-0.27
0.18
0.18
注21
注22
195
195
195
0.55
0.55
0.27
t
CK
（ AVG） 18 ， 21 ， 23
t
CK
（ AVG） 18 ， 22 ， 23
t
CK
（ AVG）
t
CK
（ AVG）
t
CK
（ AVG）
t
CK
（ AVG）
pS
pS
pS
t
CK
（ AVG）
t
CK
（ AVG）
t
CK
（ AVG）
t
CK
（ AVG）
t
CK
（ AVG）
18, 23
18, 23
46
46
17, 23
17, 23, 24
17, 23, 24
12, 14
13, 14
16
15, 16
15, 16
命令和地址时序
t
AA
t
RCD
t
RP
t
RC
t
RAS
内部读取命令到第一个数据
ACT内部的读或写操作延迟时间
PRE命令期
ACT行事或REF指令周期
ACT来PRE命令期
见 - 速度Bin‖ 135页
nS
nS
nS
nS
nS
8
8
8
8
8
出版日期： 2013年2月27日
修订版A04
- 138 -
