【W631GG6KB8M8银行16位DDR3 SDRAM表盒内的1.2.3.4.5.6.7.7.17.】,IC型号W631GG6KB-15,W631GG6KB-15 PDF资料,W631GG6KB-15经销商,ic,电子元器件-51电子网

W631GG6KB

8银行

16位DDR3 SDRAM

表盒内的

7.1

7.2

概述...................................................................................................................五

特点...........................................................................................................................................五

订购信息....................................................................................................................... 6

关键参数............................................................................................................................. 7

BALL配置...................................................................................................................... 8

BALL描述............................................................................................................................ 9

功能说明............................................................................................................ 11

基本功能.............................................................................................................................. 11

复位和初始化过程.............................................. .................................................. .... 11

7.2.1

7.2.2

7.3

7.3.1

7.3.1.1

7.3.1.2

7.3.1.3

7.3.1.4

7.3.1.5

7.3.1.6

7.3.2

7.3.2.1

7.3.2.2

7.3.2.3

7.3.2.4

7.3.2.5

7.3.2.6

7.3.3

7.3.3.1

7.3.3.2

7.3.3.3

7.3.3.4

7.3.4

7.3.4.1

7.4

7.5

7.6

7.7

上电初始化顺序............................................. ........................................ 11

复位初始化与稳定的电源............................................. ................................. 13

模式寄存器MR0 ......................................................................................................... 16

突发长度，类型和顺序............................................ .................................... 17

CAS Latency........................................................................................................... 17

试验Mode............................................................................................................... 18

DLL Reset............................................................................................................... 18

写恢复....................................................................................................... 18

预充电PD DLL ............................................... .................................................. 18

模式寄存器MR1 ......................................................................................................... 19

DLL使能/禁用.............................................. .................................................. 19

输出驱动器阻抗控制.............................................. ............................. 20

ODT RTT值............................................... .................................................. ... 20

附加延迟（ AL ） ............................................. ................................................ 20

写调整.......................................................................................................... 20

输出禁用........................................................................................................ 20

模式寄存器MR2 ......................................................................................................... 21

部分阵列自刷新（ PASR ） ........................................... ............................... 22

CAS写入延迟（ CWL ） ............................................ .......................................... 22

自动自刷新（ ASR）和自刷新温度（ SRT ） ............................. 22

动态ODT （ Rtt_WR ） ............................................. ............................................ 22

模式寄存器MR3 ......................................................................................................... 23

多用途寄存器（ MPR ） ............................................ .................................... 23

编程模式Registers....................................................................................................... 14

无操作（ NOP ）命令.......................................................................................................... 24

取消命令............................................................................................................................. 24

DLL断模式...................................................................................................................................... 24

DLL的通/断切换过程........................................................................................................... 25

7.7.1

DLL -on‖对DLL -off‖程序........................................ ............................................... 25

出版日期： 2013年2月27日

修订版A04

-1-

W631GG6KB

7.7.2

7.8

7.8.1

7.8.2

7.9

7.9.1

7.9.2

7.9.3

7.10

7.10.1

7.10.2

7.10.3

7.10.4

7.11

7.12

7.13

DLL -off‖对DLL -on‖程序........................................ ............................................... 26

频率变化时自动刷新............................................ ................................ 27

在预充电掉电频率变化........................................... ............... 27

DRAM在该模式下设置写入练级& DRAM终端功能.................... 30

写代练程序............................................... ..................................................三十

写调整模式退出.............................................. .................................................. 32

MPR功能说明............................................... .............................................. 34

MPR寄存器地址定义.............................................. ....................................... 35

相关的时序参数............................................... ............................................. 35

协议示例............................................................................................................. 35

输入时钟频率change.............................................................................................................. 27

写代练..................................................................................................................................... 29

多用途注册........................................................................................................................ 33

ACTIVE Command.............................................................................................................................. 41

预充电命令.................................................................................................................... 41

读操作................................................................................................................................. 42

7.13.1

7.13.2

7.13.2.1

7.13.2.2

7.13.2.3

7.13.2.4

7.13.2.5

7.13.2.6

读突发操作..................................................................................................... 42

读时序定义............................................... .................................................. 43

读时序;时钟到数据选通关系............................................. ....... 44

读时序;数据选通到数据的关系............................................. ........ 45

TLZ （ DQS ）， TLZ （ DQ ），太赫兹（ DQS ），太赫兹（ DQ ）计算.............................. ............... 46

tRPRE计算................................................ .................................................. 47

tRPST计算................................................ .................................................. 47

突发读操作后一个预充电........................................... ........... 53

DDR3突发操作..................................................................................................... 55

写时序违规............................................... .................................................. 55

动机............................................................................................................... 55

数据建立和保持违规............................................. ................................. 55

闸门频闪和频闪时钟违反.......................................... ........... 55

写时序参数............................................... ......................................... 55

写数据Mask............................................................................................................... 56

tWPRE Calculation........................................................................................................... 57

tWPST计算........................................................................................................... 57

7.14

写操作................................................................................................................................ 55

7.14.1

7.14.2

7.14.2.1

7.14.2.2

7.14.2.3

7.14.2.4

7.14.3

7.14.4

7.14.5

7.15

7.16

7.17

刷新命令.............................................................................................................................. 64

自刷新操作....................................................................................................................... 66

掉电模式............................................................................................................................ 68

7.17.1

7.17.2

7.17.3

7.17.4

掉电出入境............................................ ................................................. 68

掉电澄清 - 案例1 ........................................... ...................................... 74

掉电澄清 - 案例2 ........................................... ...................................... 74

掉电澄清 - 案例3 ........................................... ...................................... 75

7.18

ZQ校准命令.................................................................................................................. 76

出版日期： 2013年2月27日

修订版A04

-2-

W631GG6KB

7.18.1

7.18.2

7.18.3

7.19

7.19.1

7.19.2

7.19.2.1

7.19.2.2

7.19.2.3

7.19.3

7.19.3.1

7.19.3.2

7.19.4

7.19.4.1

7.19.4.2

7.19.4.3

7.19.4.4

低段

8.1

8.2

8.3

9.1

9.2

9.3

9.4

9.5

9.6

ZQ校准说明............................................... ................................................ 76

ZQ校准时间...................................................................................................... 77

ZQ外部电阻值，公差和容性负载...................................... 77

ODT模式寄存器和ODT真值表........................................... ........................... 78

同步ODT模式............................................... .................................................. 79

ODT延迟和发布ODT ............................................. .................................. 79

时序参数................................................ ................................................. 79

ODT中读取............................................... .................................................. 81

动态ODT .................................................................................................................. 82

功能描述： ............................................... ............................................ 82

ODT时序图............................................... ............................................. 83

异步ODT模式............................................... ................................................. 87

同步到异步ODT模式转换.......................................... 88

同步到异步ODT模式转型过程中掉电输入.. 88

异步掉电期间退出同步ODT模式转型..... 91

异步同步ODT模式在短期CKE高而短的CKE

片上端接（ ODT ） .................................................................................................................. 78

运行模式........................................................................................................................... 93

命令真值表........................................................................................................................ 93

CKE真值表................................................................................................................................. 95

简化的状态图..................................................................................................................... 96

电气特性................................................ .................................................. 。 97

绝对最大Ratings................................................................................................................. 97

工作温度条件....................................................................................................... 97

DC &交流工作条件........................................................................................................... 98

9.3.1

建议的直流工作条件.............................................. .......................... 98

输入和输出漏电流............................................. .................................................. ..... 98

接口测试条件.................................................................................................................... 98

DC和AC输入测量级别............................................ .................................................. 。 99

9.6.1

9.6.2

9.6.3

9.6.4

9.6.5

9.6.6

9.6.7

9.7

9.7.1

9.7.1.1

9.7.1.2

9.8

9.8.1

直流和交流输入电平为单端命令和地址信号.................... 99

直流和交流输入电平为单端数据信号....................................... ......... 100

时钟差分摆幅要求（ CK - CK ＃）和选通脉冲（ DQS - DQS ＃） ........... 102

单端要求的差分信号........................................... .............. 103

差分输入交叉点电压............................................. ............................... 104

转换速率定义为单端输入信号......................................... ........... 105

转换速率定义为差分输入信号........................................... ............. 105

输出摆率的定义和要求............................................ ................. 106

单端输出压摆率............................................. .............................. 107

差分输出摆率.............................................. ................................. 108

输出驱动器温度和电压灵敏度............................................ ............ 111

DC和AC输出测量级别............................................ .............................................. 106

34欧姆的输出驱动器DC电气特性........................................... ............................... 109

出版日期： 2013年2月27日

修订版A04

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W631GG6KB

9.9

片上端接（ ODT）水平及特点........................................ ............................. 112

9.9.1

9.9.2

9.9.3

9.9.4

9.10

9.10.1

9.10.2

9.11

9.12

ODT水平和IV特性............................................. .................................. 112

ODT DC电气特性.............................................. ................................... 113

ODT温度和电压灵敏度............................................. ........................ 113

对于RTT设计指导线

和RTT

....................................................................... 114

测试负载的ODT时序............................................. ............................................... 115

ODT时序定义............................................... .................................................. 。 115

ODT时序定义..................................................................................................................... 115

输入/输出电容................................................................................................................. 119

过冲和下冲规格.............................................. .......................................... 120

9.12.1

9.12.2

AC过冲/下冲规范地址和控制引脚： ....................... 120

AC过冲/下冲规范时钟，数据，选通和面膜引脚： ......... 120

IDD和IDDQ测量条件............................................. .......................... 121

IDD电流规格............................................... .............................................. 131

9.13

IDD和IDDQ规格参数和测试条件.......................................... ............... 121

9.13.1

9.13.2

9.14

9.15

时钟规格............................................................................................................................ 132

速箱........................................................................................................................................ 133

9.15.1

9.15.2

9.15.3

9.15.4

DDR3-1333速度斌和工作条件.......................................... ............... 133

DDR3-1600速度斌和工作条件.......................................... ............... 134

DDR3-1866速度斌和工作条件.......................................... ............... 135

速度斌一般注意事项.............................................. ................................................ 136

AC时序和操作条件-11速度等级........................................ ...... 137

AC时序和操作条件-12 / 12I / 12A / 12K / -15 / 15I / 15A / 15K速率等级

141

时序参数注............................................... ................................................. 145

地址/命令设置，保持和降额.......................................... ................... 148

数据建立，保持和压摆率降额.......................................... ........................... 155

9.16

AC特性............................................................................................................................ 137

9.16.1

9.16.2

9.16.3

9.16.4

9.16.5

10.

11.

包规范............................................................................................................ 157

修订历史........................................................................................................................ 158

出版日期： 2013年2月27日

修订版A04

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W631GG6KB

1.概述

该W631GG6KB是1G位DDR3 SDRAM ，组织为8,388,608字

8银行

16位。这

设备实现高速传输速率高达1866兆/秒/针（ DDR3-1866 ）的各种

应用程序。 W631GG6KB被分类为以下速度等级： -11 ， -12 ， 12I ， 12A ， 12K -15 ， 15I ，

15A和15K 。 -11速度等级符合的DDR3-1866 （ 13-13-13 ）规范。 -12 ，

12I ， 12A和12K速度等级符合的DDR3-1600 （ 11-11-11 ）规范（该12I

工业级这是保证支持-40 ° C≤牛逼

例

≤ 95 ° C）。 -15 ， 15I ， 15A和15K

速度等级符合的DDR3-1333 （ 9-9-9 ）规范（该15I工业级是

保证支持-40 ° C≤牛逼

例

≤ 95°C).

汽车级器件温度，如果提供了，有两个同时要求：环境

温度（T

）周边设备不能低于-40 ° C或高于+ 95 ° C（用于12A

和图15A ），+ 105 ℃（对12K和15K ），并且所述壳体温度（T

例

）不能低于-40 ° C或

大于+ 95℃（对于图12A和15A）， + 105 ℃（对12K和15K ）。 JEDEC规范要求

刷新率当T翻番

例

超过+ 85°C ;这也需要使用的高温自

刷新选项。此外， ODT电阻和输入/输出阻抗必须降低时

例

为< 0 ° C或> + 85°C 。

该W631GG6KB的设计符合下列关键DDR3 SDRAM的功能，如

贴CAS ＃，可编程CAS＃写延迟（ CWL ）， ZQ校准，在芯片和终端

异步复位。所有的控制和地址输入与一对外部同步

提供的差分时钟。输入被锁定在差分时钟（ CK上升，交叉点

CK ＃下降）。所有的I / O都以差DQS- DQS ＃对在源同步的同步

时尚。

2.特点

电源： V

, V

DDQ

= 1.5V ± 0.075V

双倍数据速率的架构：每个时钟周期两个数据传输

八个内部银行的并发操作

8位预取架构

CAS延时： 6，7 ，8，9 ，10，11和13

突发长度为8 （ BL8 ）和爆裂斩4 （ BC4 ）模式：通过模式寄存器（ MRS）或可选固定开 -

即时（ OTF ）

可编程只读爆排序：交错式或半字节顺序

双向，差分数据选通（ DQS和DQS ＃）传输/数据接收

边沿对齐与读取数据中心对齐与写入数据

DLL对齐DQ和DQS转换时钟

差分时钟输入（ CK和CK ＃）

命令输入的每个阳性对照边缘，数据和数据屏蔽参照的两个边缘

差分数据选通信号对（双数据速率）

中科院发布带有可编程附加延迟（ AL = 0 ， CL - 1和CL - 2 ）改善命令，

地址和数据总线的效率

读取延迟=附加延迟加CAS延迟（ RL = AL + CL ）

自动预充电操作进行读取和写入突发

刷新，自刷新，自动自刷新（ ASR）和部分阵列自刷新（ PASR ）

预充电，关机和主动关机

出版日期： 2013年2月27日

修订版A04

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