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W631GG6KB
33.One ZQCS命令可以有效地校正RON和R的最小值为0.5 ％ （ ZQ校正）
TT
所有高速箱假设在规定的最大灵敏度64 NCK内阻抗误差
“输出驱动电压和温度敏感性”和“ ODT电压和温度敏感性”
表。 ZQCS命令之间的适当的间隔可以从这些表来确定和
其它应用程序特定的参数。
一种方法，用于计算ZQCS命令之间的时间间隔，给定的温度（ Tdriftrate ）
和电压（ Vdriftrate ）漂移率，该SDRAM是受到在应用程序中，被示出。该
间隔可以由以下公式来定义：
ZQCorrection
（ TSens × Tdriftrate ）+（ VSens × Vdriftrate ）
其中， TSens = MAX （ dRTTdT ， dRONdTM ）和VSens = MAX （ dRTTdV ， dRONdVM ）定义SDRAM
温度和电压的灵敏度。
例如，如果TSens = 1.5 ％/
C,
VSens = 0.15 ％ / MV ， Tdriftrate = 1
C
/秒和Vdriftrate = 15
5mV /秒，然后ZQCS之间的间隔命令计算公式为：
0.5
= 0.133 128ms的
(1.5 × 1) + (0.15 × 15)
34.Commands不需要锁定的DLL是除了阅读所有的命令，阅读与自动预充电和
同步ODT 。
35.Commands需要锁定的DLL被读取，读取与自动预充电和同步ODT 。
36.A最大的一个常规加八贴刷新命令可以发给任何给定的DDR3
SDRAM器件的意思是任何刷新命令和之间的最大绝对间隔
下一次刷新的命令是9 ×吨
REFI
.
37.Parameter吨
CK
（平均）每其平均值被指定。然而，可以理解的是，关系
平均时刻t之间
CK
（平均）和相应的绝对瞬时时刻t
CK
（绝对压力）保持
所有的时间。
38.t
CH
（ ABS ）是绝对的瞬时高时钟脉冲宽度，从一个上升沿测量到
下面的下降沿。
39.t
CL
（绝对压力）的绝对瞬时时钟低脉冲宽度，如从一个下降沿测量到
下一个上升沿。
40.t
DS
（基峰）和叔
DH
（基准）值是对于一个单端1V /纳秒的压摆率的DQ （的DQ是在2V /纳秒为
DDR3-1866 ）和2V / ns的DQS ， DQS ＃差分压摆率。需要注意的DQ和DM信号，V
REF （ DC ）
=
V
REFDQ （DC）的
。对于除RESET ＃ ，V仅输入引脚
REF （ DC ）
= V
REFCA （DC）的
。见9.16.5
数据
建立，保持和压摆率降额“
在第155页。
41.t
IS
（基峰）和叔
IH
（基地）的值是1V / ns的CMD / ADD单端的转换速率和2V / ns的CK ， CK ＃
差分压摆率。需要注意的DQ和DM信号，V
REF （ DC ）
= V
REFDQ （DC）的
。对于输入除专用管脚
RESET ＃ V
REF （ DC ）
= V
REFCA （DC）的
。见9.6.22
“地址/命令设置，保持和
降额＆
在第148页。
42.The建立和保持时间列转换的基本规范值（以该降额表
申请）到V
REF
当转换速率为1 V / ns的（DQS是在2V / NS为DDR3-1866 ） 。这些值，用
1 V / ns的压摆率（DQS是在2V / NS为DDR3-1866 ） ，仅供参考。
RTT的43.For定义开启时间t
AON
见7.19.2.2
“时序参数”
第77页。
的RTT关断时间t 44.For定义
AOF
见7.19.2.2
“时序参数”
第77页。
45.There是除了需要满足的刷新间隔，T没有最大周期时间限制
REFI 。
46.Actual值取决于测量级别定义参见图41 -
“方法，用于计算
t
WPRE
转场和终点“
第57页上。参见图42 -
“方法计算吨
WPST
转场和终点“
在第57页。
出版日期： 2013年2月27日
修订版A04
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