FDT86256的N-沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 C ，除非另有说明
10
V
GS
，门源电压（ V）
I
D
= 1.2 A
100
C
国际空间站
电容（pF）
8
6
4
2
0
0.0
V
DD
= 65 V
V
DD
= 75 V
V
DD
= 85 V
C
OSS
10
C
RSS
1
0.5
0.1
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
0.3
0.6
0.9
1.2
1
10
100
Q
g
，栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.电容VS漏
至源极电压
1.8
1.6
I
D
,
漏电流（ A）
R
θ
JA
= 55℃ / W
o
10
I
AS
，雪崩电流（ A）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
V
GS
= 6 V
V
GS
= 10 V
1
T
J
= 25
o
C
T
J
= 100
o
C
0.1
T
J
= 125
o
C
0.01
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.0
25
50
75
100
o
125
150
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
T
A
,
环境温度
(
C
)
图9.松开电感
交换能力
3
P
（ PK）
，瞬态峰值功率（ W）
图10.最大连续漏极
电流与环境温度
I
D
，漏电流（ A）
1
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
10
0
100
μ
s
1
0
0.1
单脉冲
T
J
=最大额定
1毫秒
10毫秒
100毫秒
S摹EP L E
IN L美
R
JA
=1 8 C
1 /W
θ
o
o
1s
10 s
DC
1
0
-3
.5
1
0
T = 2 C
A
5
-2
-1
0.01
0.005
0.01
0.1
R
θ
JA
= 118 C / W
T
A
= 25 C
o
o
1
0
1
0
1
T， P L EW T（ S·C
美国ID 五）
1
0
10
0
10
00
1
10
100
500
V
DS
，漏源极电压（ V）
图11.正向偏置安全
工作区
图12.单脉冲最大功率耗散
2011仙童半导体公司
FDT86256版本C
4
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