FDT86256的N-沟道PowerTrench
MOSFET
电气特性
T
J
= 25 C ，除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
ΔT
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250
μA,
V
GS
= 0 V
I
D
= 250
μA,
参考25 ℃下
V
DS
= 120 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= ±20 V, V
DS
= 0 V
150
100
1
±10
V
毫伏/°C的
μA
μA
基本特征
V
GS （ TH）
ΔV
GS （ TH）
ΔT
J
r
DS （ ON）
g
FS
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μA
I
D
= 250
μA,
参考25 ℃下
V
GS
= 10 V，I
D
= 1.2 A
V
GS
= 6 V，I
D
= 1.0 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 1.2 A，T
J
= 125 °C
V
DS
= 5 V，I
D
= 1.2 A
2
3.5
-8
695
912
1298
0.3
845
1280
1367
S
mΩ
4
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= 75 V, V
GS
= 0 V,
F = 1MHz的
55
8
1
1.3
73
11
1.4
pF
pF
pF
Ω
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
总栅极电荷
门源费
栅漏“米勒”充电
V
GS
= 0 V至10 V
V
GS
= 0 V至6 V
V
DD
= 75 V,
I
D
= 1.2 A
V
DD
= 75 V，I
D
= 1.2 A,
V
GS
= 10 V ，R
根
= 6
Ω
2.7
1.7
4.8
2.6
1.2
0.8
0.4
0.3
10
10
10
10
2.0
1.0
nC
nC
ns
ns
ns
ns
nC
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V，I
S
= 1.2 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 1.0 A
I
F
= 1.2 A ， di / dt的= 100 A / μs的
（注2 ）
（注2 ）
0.9
0.8
47
24
1.3
1.3
75
38
V
ns
nC
注意事项：
1. R
θJA
与安装在一个1的设备中确定
2
垫2盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。
θJC
由设计而
= CA
由下式确定
用户的电路板设计。
A）安装在当55° C / W
1年
2
2盎司纯铜垫
B） 118 ° C / W安装时
2盎司纯铜最低垫
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300
μs,
占空比< 2.0 ％ 。
3.起始物为
J
= 25 ℃， L = 3 mH的，我
AS
= 1 A，V
DD
= 150 V, V
GS
= 10 V.
4.连接栅极和源极之间的二极管只作为防止静电放电。没门过电压等级是不言而喻的。
2011仙童半导体公司
FDT86256版本C
2
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