FDT86256的N-沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 C ，除非另有说明
3.0
2.5
I
D
,
漏电流（ A）
归
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 10 V
V
GS
= 8 V
V
GS
= 7 V
4
V
GS
= 5.5 V
V
GS
= 6 V
3
V
GS
= 7 V
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
V
GS
= 6 V
2
V
GS
= 8 V
V
GS
= 5.5 V
1
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 10 V
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
0
1
2
3
4
5
0
0.0
0.5
V
DS
,
漏源极电压（ V）
1.0
1.5
2.0
2.5
I
D
,
漏电流（ A）
3.0
3.5
4.0
图1.区域特征
图2.归一导通电阻
VS漏极电流和栅极电压
4000
2.4
归
漏极至源极导通电阻
2.1
1.8
1.5
1.2
0.9
0.6
0.3
-75
I
D
= 1.2 A
V
GS
= 10 V
r
DS （ON ） ，
漏
源导通电阻
(
m
Ω
)
I
D
= 1.2 A
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
3000
2000
T
J
= 125
o
C
1000
T
J
= 25
o
C
-50
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
,
结温
(
o
C
)
0
5
6
7
8
9
10
V
GS
,
门源电压（ V）
图3.归一导通电阻
VS结温
2.0
图4.导通电阻与栅极到
源极电压
10
I
S
，反向漏电流（ A）
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 0 V
I
D
，漏电流（ A）
1.5
V
DS
= 5 V
1
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
1.0
T
J
= 25
o
C
0.1
T
J
= -55
o
C
0.5
T
J
= 150
o
C
T
J
= -55
o
C
0.0
2
3
4
5
6
7
8
0.01
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
GS
，门源电压（ V）
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性
图6.源极到漏极二极管
正向电压随电流源
2011仙童半导体公司
FDT86256版本C
3
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