FDT86256的N-沟道PowerTrench
MOSFET
2011年8月
FDT86256
N沟道的PowerTrench
MOSFET
150 V， 1.2 A ， 845毫欧
特点
最大
DS （ ON）
= 845毫欧的V
GS
= 10 V，I
D
= 1.2 A
最大
DS （ ON）
= 1280毫欧，在V
GS
= 6.0 V，I
D
= 1.0 A
极低的Qg和Qgd特性相对于竞争沟
技术
开关速度快
100 ％ UIL测试
符合RoHS
概述
这N沟道MOSFET采用飞兆半导体生产
安森美半导体先进的PowerTrench
过程中有
特别是针对已尽量减少通态电阻和
开关损耗。 -S齐纳已被添加到增强的ESD
电压电平。
应用
DC- DC转换器
逆变器
同步整流器器
D
D
S
D
SOT-223
G
G
D
S
MOSFET的最大额定值
T
A
= 25 C ，除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流 - 连续（包装有限公司）
I
D
- 连续（硅有限公司）
-Continuous
-Pulsed
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
单脉冲雪崩能量
功耗
功耗
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
（注1A ）
（注3）
T
C
= 25 °C
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
（注1A ）
参数
评级
150
±20
3
2.5
1.2
2
1
10
2.3
-55到+150
mJ
W
°C
A
单位
V
V
工作和存储结温范围
热特性
R
θJC
R
θJA
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
（注1A ）
12
55
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
86256
设备
FDT86256
包
SOT-223
带尺寸
13 ’’
胶带宽度
12 mm
QUANTITY
2500台
2011仙童半导体公司
FDT86256版本C
1
www.fairchildsemi.com
