IRHSNA57064
预辐照
200
不限按包
V
GS
150
V
DS
R
D
D.U.T.
+
R
G
I
D
，漏电流（ A）
-
V
DD
V
GS
100
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
图7A 。
开关时间测试电路
50
V
DS
90%
0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
10%
V
GS
图6 。
最大漏极电流比。
外壳温度
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图7B 。
开关时间波形
1
热响应（Z
thJC
)
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
0.1
0.01
0.001
0.00001
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.1
0.0001
0.001
0.01
1
P
DM
t
1
t
2
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图8 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳， MOSFET
6
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