预辐照
IRHSNA57064
脚注：
重复评价;脉冲宽度有限的
最高结温
总剂量辐照VGS偏置。
12伏VGS应用并在VDS = 0
每MIL -STD- 750的照射，方法1019 ，条件A.
总剂量辐照VDS偏置。
48伏VDS在应用和VGS = 0
每MLL -STD -750的照射，方法1019 ，条件A.
脉冲宽度
≤
300
s;
占空比
≤
2%
50％的占空比，矩形
VDD = 25V ，启动TJ = 25 ° C，L = 0.13 mH的
峰值IL = 75A ， VGS = 12V
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规定的辐射特性的
唯一抗辐射的MOSFET死亡。
案例外形和尺寸 - SMD - 2
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