IRHSNA57064
MOSFET体二极管&肖特基二极管特性
100
预辐照
瞬时正向电流 - I S （ A）
10
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = -55°C
1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
正向电压下降 - V SD （ V）
图。 10
- 典型正向压降Characterstics
1
热响应（Z
thJC
)
D = 0.50
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
0.01
0.001
0.00001
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.1
0.0001
0.001
0.01
P
DM
t
1
t
2
1
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳，肖特基
8
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