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IRHSNA57064
预辐照
电气特性
@ TJ = 25 ° C(除非另有说明)
参数
BVDSS
RDS ( ON)
VGS ( TH)
政府飞行服务队
IDSS
漏极至源极击穿电压
静态漏 - 源极导通状态
阻力
栅极阈值电压
正向跨导
零栅极电压漏极电流
60
2.0
45
典型值最大值单位
5.6
4.0
50
50
V
m
V
S( )
A
mA
测试条件
VGS = 0V ,ID = 1.0毫安
VGS = 12V ,ID = 45A ?
VDS = VGS ,ID = 1.0毫安
VDS > 15V , I DS = 45A ?
VDS = 48V , VGS = 0V
VDS = 48V ,
VGS = 0V , TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 12V ,ID = 45A ,
VDS = 30V
VDD = 30V , ID = 45A ,
VGS = 12V时, RG = 2.35Ω
IGSS
IGSS
Qg
QGS
QGD
td
(上)
tr
td
(关闭)
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极(米勒?? ??)充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
100
— -100
160
55
65
35
125
75
50
7.03
nA
nC
ns
nH
从漏测中心
垫垫源中心
肖特基二极管&体二极管额定值和特性
参数
VSD
二极管的正向电压
最小典型最大单位
0.93
0.9
0.82
100
210
8.09 —
测试条件
TJ = -55°C , ID = 45A , VGS = 0V ?
TJ = 25°C , ID = 45A , VGS = 0V ?
TJ = 125°C , ID = 45A , VGS = 0V ?
TJ = 25°C , IF = 45A , di / dt的
100A/s
VDS
30V
从漏极焊盘的中心到测
来源垫中心(肖特基只)
V
nS
nC
nH
TRR
反向恢复时间
QRR
反向恢复电荷
LS + LD总电感
向前开启时间
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度由LS大大控制LD +
热阻
参数
RthJC
RthJC
结至外壳( MOSFET )
结至外壳(肖特基)
最小典型最大
0.5
0.7
单位
° C / W
测试条件
注:对应的香料和军刀车型都可以在网站上。
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com

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