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PSMN008-75P
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恩智浦半导体
PSMN008-75P
N沟道的TrenchMOS SiliconMAX标准水平FET
100
I
S
(A)
75
V
GS
= 0 V
03am83
50
175
°
C
25
T
j
= 25
°C
0
0
0.5
1
V
SD
(V)
1.5
图13，源电流作为源极 - 漏极电压的函数;典型值
PSMN008-75P_4
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师04 - 2009年12月10日
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