恩智浦半导体
PSMN008-75P
N沟道的TrenchMOS SiliconMAX标准水平FET
25
R
DSON
(mΩ)
20
T
j
= 25
°C
V
GS
= 5 V
03am81
3
03ac63
5.5 V
a
2
15
10
1
10 V
5
0
0
25
50
75
I
D
(A)
100
0
-60
0
60
120
T
j
(°C)
180
图9 。
漏极 - 源极导通电阻为一个函数
漏电流;典型值
10
03am85
图10.归漏极 - 源极导通电阻
因子作为结温的函数
10
4
03am84
V
GS
(V)
8
I
D
= 75 A
T
j
= 25
°C
V
DD
= 60 V
C
（PF ）
C
国际空间站
6
10
3
4
C
OSS
C
RSS
2
0
0
50
100
Q
G
（ NC ）
150
10
2
10
1
1
10
V
DS
(V)
10
2
图11栅极 - 源极电压作为栅极的功能
充电;典型值
图12.输入，输出和反向传输电容
作为漏极 - 源极电压的函数;典型
值
PSMN008-75P_4
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产品数据表
牧师04 - 2009年12月10日
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