恩智浦半导体
PSMN008-75P
N沟道的TrenchMOS SiliconMAX标准水平FET
6.特性
表6 。
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
特征
参数
漏源
击穿电压
门极 - 源
电压
条件
I
D
= 250 μA ; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= -55 °C;
SEE
图8
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= 175 °C;
SEE
图8
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= 25 °C;
SEE
图8
I
DSS
I
GSS
R
DSON
漏极漏电流
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
DS
= 75 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
DS
= 75 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 175 °C
V
GS
= 20 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= -20 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;牛逼
j
= 175 °C;
SEE
图9
和
10
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图9
和
10
动态特性
Q
G（ TOT ）
Q
GS
Q
GD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
Q
r
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
反向恢复时间
恢复电荷
I
S
= 25 A; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图13
I
S
= 5 A;的dI
S
/ DT = -100 A / μs的; V
GS
= 0 V;
V
DS
= 30 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
DS
= 38 V ;
L
= 1.5
;
V
GS
= 10 V;
R
G（ EXT ）
= 10
;
T
j
= 25 °C
V
DS
= 25 V; V
GS
= 0 V ; F = 1兆赫;
T
j
= 25°C ;看
图12
I
D
= 75 A; V
DS
= 60 V; V
GS
= 10 V;
T
j
= 25°C ;看
图11
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
122.8
21
50
5260
525
420
18
55
88
80
0.84
70
100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.2
-
-
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
nC
民
75
-
1
2
-
-
-
-
-
-
典型值
90
-
-
3
0.05
-
4
4
-
6.5
最大
-
4.4
-
4
10
500
100
100
20
8.5
单位
V
V
V
V
A
A
nA
nA
m
m
静态特性
源极 - 漏极二极管
PSMN008-75P_4
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产品数据表
牧师04 - 2009年12月10日
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