恩智浦半导体
PSMN008-75P
N沟道的TrenchMOS SiliconMAX标准水平FET
5.热特性
表5 。
符号
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
参数
热阻结到
安装底座
条件
SEE
图4
民
-
-
典型值
-
60
最大
0.65
-
单位
K / W
K / W
从结点到环境的热阻垂直于静止空气中
1
03am78
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
δ
= 0.5
0.2
10
1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
t
p
t
T
P
δ
=
t
p
T
10
2
10
-4
10
3
10
2
10
1
t
p
(s)
1
图4 。
从结点作为脉冲持续时间的函数的瞬态热阻抗安装基座
PSMN008-75P_4
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牧师04 - 2009年12月10日
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