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首字符V的型号第19页
> VVZB135
VVZB 135
三相整流桥
用IGBT ，快恢复二极管
对于制动系统
10
+
11 13
16 15 14
19
+
20
V
RRM
= 1600 V
I
DAVM
= 135 A
12
NTC
V
RRM
V
1600
TYPE
6+7
4+5
2+3
1
VVZB 135-16 NO1
17
8+9
18 21+22
符号
V
RRM
I
DAVM
I
FSM
I
2
t
P
合计
（ di / dt的）
cr
整流桥
条件
T
C
= 85°C ;正弦波120 °
T
VJ
= 45°C ; T = 10毫秒; V
R
= 0 V
T
VJ
= 150 ℃; T = 10毫秒; V
R
= 0 V
T
VJ
= 45°C ; T = 10毫秒; V
R
= 0 V
T
VJ
= 150 ℃; T = 10毫秒; V
R
= 0 V
T
C
= 25°C每二极管
T
VJ
= T
VJM
;
重复;我
T
= 150 A
F = 50赫兹;牛逼
P
= 200 s
V
D
=
2
/
3
V
DRM
;
I
G
= 0.45 A;
非重复性;我
T
= I
D（ AV ）
/3
di
G
/ DT = 0.45 A / μs的
T
VJ
= T
VJM
; V
DR
=
2
/
3
V
DRM
;
R
GK
=
∞;
方法1 （线性电压升高）
T
VJ
= T
VJM
; t
P
= 30 s
I
T
= I
D（ AV ）
/3; t
P
= 300 s
最大额定值
1600
特点
焊接连接，用于PCB安装
方便的封装外形
热敏电阻
隔离电压2500
V~
135
700
610
2450
1860
190
100
V
A
A
A
A
A
W
A / μs的
应用
驱动变频器与制动系统
优势
500
1000
10
5
0.5
A / μs的
V / μs的
W
W
W
V
V
A
A
A
W
V
A
A
A
A
W
2功能于一体包
易于使用两颗螺钉安装
适用于波峰焊
高温度和功率循环
能力
（ dv / dt的）
cr
P
GM
P
GAVM
V
CES
V
GE
IGBT
T
VJ
= 25 ℃至150 ℃的
连续
T
C
= 25°C ; DC
T
C
= 80 ℃; DC
t
p
=脉冲宽度限制T
VJM
T
C
= 25°C
快恢复二极管
1200
±
20
95
67
100
380
1200
27
38
待定
200
130
I
C25
I
C80
I
CM
P
合计
V
RRM
I
FAV
I
疲劳风险管理
I
FRM
I
FSM
P
合计
T
C
= 80 ℃;矩形D = 0.5
T
C
= 80 ℃;矩形D = 0.5
T
C
= 80 ℃;吨
P
= 10微秒; F = 5千赫
T
VJ
= 45°C ; T = 10毫秒
T
C
= 25°C
根据IEC 60747数据
428
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
版权所有2004 IXYS所有权利。
1-5
VVZB 135
符号
条件
特征值
(T
VJ
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
0.1毫安
20毫安
1.43
0.85
7.1
1.5
1.6
78
200
0.2
5
450
100
2
150
V
V
m
V
V
mA
mA
V
mA
mA
mA
s
s
I
R
, I
D
V
F
, V
T
V
T0
r
T
V
GT
I
GT
整流桥
整流二极管
V
R
= V
RRM
;
V
R
= V
RRM
;
I
F
= 80 A;
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 150°C
T
VJ
= 25°C
对于只功率损耗计算
T
VJ
= 150°C
V
D
= 6 V;
V
D
= 6 V;
T
VJ
= T
VJM
;
T
VJ
= T
VJM
;
T
VJ
T
VJ
T
VJ
T
VJ
= 25°C
= -40°C
= 25°C
= -40°C
V
GD
I
GD
I
L
I
H
t
gd
t
q
V
D
=
2
/
3
V
DRM
V
D
=
2
/
3
V
DRM
V
D
= 6 V ;牛逼
G
= 10 s;
di
G
/ DT = 0.45 A / μs的;我
G
= 0.45 A
T
VJ
= T
VJM
; V
D
= 6 V ;
GK
=
∞
V
D
= ½ V
DRM
;
di
G
/ DT = 0.45 A / μs的;我
G
= 0.45 A
T
VJ
= T
VJM
; V
R
= 100 V;
V
D
=
2
/
3
V
DRM
; t
P
= 200 s;
的dv / dt = 15 V / μs的;我
T
= 20 A;
-di / DT = 10 A / μs的
每二极管
V
GS
= 0 V ;我
C
- 0.1毫安
I
C
= 8毫安
V
CE
= 1200 V ;牛逼
VJ
= 25°C
V
CE
= 0,8
V
CES
; T
VJ
= 125°C
V
GE
= 15 V ;我
C
= 100 A
V
GE
= 15 V; V
CE
= 900 V ;牛逼
VJ
= 125°C
V
GE
= 15 V; V
CE
= 1200 V ;牛逼
VJ
= 125°C;
钳位感性负载; L = 100 μH ;
R
G
= 22
V
CE
= 25 V ; F = 1MHz时， V
GE
= 0 V
V
CE
= 720 V ;我
C
= 50 A
V
GE
= 15 V ;
G
= 22
感性负载; L = 100 μH ;
T
VJ
= 125°C
3.8
150
680
6
5
0.1
1200
4.5
R
thJC
R
thCH
V
BR （CES）上
V
GE （日）
I
CES
V
CESAT
t
SC
（ SCSOA ）
IGBT
0.65 K / W
0.2
K / W
6.45
0.1
0.5
3.5
10
100
V
V
mA
mA
V
s
A
RBSOA
C
IES
t
D（上）
t
D（关闭）
E
on
E
关闭
R
thJC
R
thCH
nF
ns
ns
mJ
mJ
0.33 K / W
K / W
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
版权所有2004 IXYS所有权利。
2-5
428
VVZB 135
符号
条件
特征值
(T
VJ
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
0.25毫安
1
mA
2.76
1.3
16
5.5
40
0.25
NTC
10
V
V
G
1: I
GT
, T
VJ
= 125°C
2: I
GT
, T
VJ
= 25°C
3: I
GT
, T
VJ
= -40°C
I
R
V
F
V
T0
r
T
I
RM
t
rr
R
thJC
R
thCH
R
25
B
25/50
符号
T
VJ
T
VJM
T
英镑
模块
快恢复二极管
V
R
= V
RRM
;
T
VJ
= 25°C
V
R
= 1200 V ;牛逼
VJ
= 125°C
I
F
= 30 A;
T
VJ
= 25°C
V
V
m
A
ns
3
对于只功率损耗计算
T
VJ
= 150°C
I
F
= 50 A; - 二
F
/ DT = 100 A / μs的; V
R
= 100 V
I
F
= 1 ; - 二
F
/ DT = 200 A / μs的; V
R
= 30 V
1
1
2
5
4
6
11
0.9 K / W
K / W
k
K
0.1
1
I
GD
, T
VJ
= 125°C
4: P
GAV
= 0.5 W
5: P
GM
= 5 W
6: P
GM
= 10 W
(
R（T ）= R
25
电子B
25/100
T
条件
1
1
298K
)
4.75
5.0 5.25
3375
10
100
1000
I
G
mA
图。 1，门极触发特性
最大额定值
-40...+150
150
-40...+125
50/60赫兹; T = 1分
I
ISOL
≤
1毫安; T = 1秒
安装力矩
表面的爬电距离
在空袭的距离
最大允许的加速度
典型值。
2500
3000
2.25...2.75
20...25
12.7
9.6
50
180
°C
°C
°C
V~
V~
Nm
lb.in.
mm
mm
M / S
2
g
1
10
1000
T
VJ
= 25°C
s
t
gd
100
典型值。
极限
V
ISOL
M
d
d
S
d
A
a
重量
10
尺寸（mm） （1毫米= 0.0394" ）
100
I
G
1000毫安
图。 2门极触发延迟时间
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
版权所有2004 IXYS所有权利。
3-5
428
VVZB 135
150
A
125
I
T
100
I
TSM
400
T
VJ
=45°C
T
VJ
= 45°C
75
300
1000
T
VJ
=150°C
600
A
500
50赫兹
80 % V
RRM
10000
It
As
2
2
V
R
= 0 V
50
T
VJ
=125°C
200
T
VJ
=150°C
25
T
VJ
= 25°C
0
0.0
0.5
1.0
1.5
V
T
V
2.0
100
0
0.001
100
0.01
t
0.1
s
1
1
t
10毫秒
图。 3正向电流随
每脚的电压降
250
W
0.5
200
P
合计
图。 4浪涌过载电流
150
0.2
A
120
I
TAVM
图。 5 I了与时间的关系
（每晶闸管/二极管）
R
thKA
K / W -
150
1
100
90
1.5
2
60
50
3
5
30
0
0
30
60
90
I
RMS
120 A
0
25
50
75
100
T
A
125
150
0
0
25
50
75
100 125 150
T
C
图。 6功耗与直接输出电流和环境温度
0.7
K / W
0.6
0.5
Z
thJC
0.4
0.3
图。 7最大正向电流
在外壳温度
常量Z的
thJC
计算方法：
0.2
0.1
0.0
0.001
VVZB 135
R
THI
/ （K / W）
0.03
0.083
0.361
0.176
t
i
/ (s)
0.0005
0.008
0.094
0.45
0.01
0.1
1
t
s
10
图。 8瞬态热阻抗结到外壳（每晶闸管/二极管）
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
428
版权所有2004 IXYS所有权利。
4-5
VVZB 135
150
A
90
A
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
120
I
C
I
F
60
T
VJ
= 125°C
90
60
30
30
V
GE
= 15V
T
VJ
= 25°C
0
0.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
CE
3.0
3.5
V
4.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
F
2.5
3.0
V
3.5
图。 9典型。输出特性
图。 10典型。正向特性
续流二极管
900
ns
9
mJ
E
关闭
10
mJ
t
E
关闭
t
D（关闭）
1000
ns
800
t
600
8
6
6
V
CE
= 720 V
V
GE
= ±15 V
t
D（关闭）
600
4
300
E
关闭
3
E
关闭
R
G
= 22
T
VJ
= 125°C
2
t
f
0
V
CE
= 720 V
V
GE
= ±15 V
I
C
= 50 A
T
VJ
= 125°C
400
200
0
50
60
R
G
t
f
0
0
20
40
60
80
I
C
0
0
10
20
30
40
100
A
120
图。 11典型。关闭能源和开关
时间与集电极电流
1
二极管
图。 12典型。关闭能源和开关
时间与栅极电阻
K / W
0.1
Z
thJC
0.01
IGBT
10000
R
1000
0.001
单脉冲
0.0001
0.00001 0.0001 0.001
100
0.01
0.1
t
1
s 10
0
25
50
75
100
T
VVZB 135
125 °C 150
图。 13典型。瞬态热阻抗
图。 14典型。热敏电阻的阻值随
温度
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
版权所有2004 IXYS所有权利。
5-5
428
VVZB 135
三相整流桥
用IGBT ，快恢复二极管
对于制动系统
10
+
11 13
16 15 14
19
+
20
V
RRM
= 1600 V
I
DAVM
= 135 A
12
NTC
V
RRM
V
1600
TYPE
6+7
4+5
2+3
1
VVZB 135-16 NO1
17
8+9
18 21+22
符号
V
RRM
I
DAVM
I
FSM
I
2
t
P
合计
（ di / dt的）
cr
整流桥
条件
T
C
= 85°C ;正弦波120 °
T
VJ
= 45°C ; T = 10毫秒; V
R
= 0 V
T
VJ
= 150 ℃; T = 10毫秒; V
R
= 0 V
T
VJ
= 45°C ; T = 10毫秒; V
R
= 0 V
T
VJ
= 150 ℃; T = 10毫秒; V
R
= 0 V
T
C
= 25°C每二极管
T
VJ
= T
VJM
;
重复;我
T
= 150 A
F = 50赫兹;牛逼
P
= 200 s
V
D
=
2
/
3
V
DRM
;
I
G
= 0.45 A;
非重复性;我
T
= I
D（ AV ）
/3
di
G
/ DT = 0.45 A / μs的
T
VJ
= T
VJM
; V
DR
=
2
/
3
V
DRM
;
R
GK
=
∞;
方法1 （线性电压升高）
T
VJ
= T
VJM
; t
P
= 30 s
I
T
= I
D（ AV ）
/3; t
P
= 300 s
最大额定值
1600
特点
焊接连接，用于PCB安装
方便的封装外形
热敏电阻
隔离电压2500
V~
135
700
610
2450
1860
190
100
V
A
A
A
A
A
W
A / μs的
应用
驱动变频器与制动系统
优势
500
1000
10
5
0.5
A / μs的
V / μs的
W
W
W
V
V
A
A
A
W
V
A
A
A
A
W
2功能于一体包
易于使用两颗螺钉安装
适用于波峰焊
高温度和功率循环
能力
（ dv / dt的）
cr
P
GM
P
GAVM
V
CES
V
GE
IGBT
T
VJ
= 25 ℃至150 ℃的
连续
T
C
= 25°C ; DC
T
C
= 80 ℃; DC
t
p
=脉冲宽度限制T
VJM
T
C
= 25°C
快恢复二极管
1200
±
20
95
67
100
380
1200
27
38
待定
200
130
I
C25
I
C80
I
CM
P
合计
V
RRM
I
FAV
I
疲劳风险管理
I
FRM
I
FSM
P
合计
T
C
= 80 ℃;矩形D = 0.5
T
C
= 80 ℃;矩形D = 0.5
T
C
= 80 ℃;吨
P
= 10微秒; F = 5千赫
T
VJ
= 45°C ; T = 10毫秒
T
C
= 25°C
根据IEC 60747数据
428
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
版权所有2004 IXYS所有权利。
1-5
VVZB 135
符号
条件
特征值
(T
VJ
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
0.1毫安
20毫安
1.43
0.85
7.1
1.5
1.6
78
200
0.2
5
450
100
2
150
V
V
m
V
V
mA
mA
V
mA
mA
mA
s
s
I
R
, I
D
V
F
, V
T
V
T0
r
T
V
GT
I
GT
整流桥
整流二极管
V
R
= V
RRM
;
V
R
= V
RRM
;
I
F
= 80 A;
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 150°C
T
VJ
= 25°C
对于只功率损耗计算
T
VJ
= 150°C
V
D
= 6 V;
V
D
= 6 V;
T
VJ
= T
VJM
;
T
VJ
= T
VJM
;
T
VJ
T
VJ
T
VJ
T
VJ
= 25°C
= -40°C
= 25°C
= -40°C
V
GD
I
GD
I
L
I
H
t
gd
t
q
V
D
=
2
/
3
V
DRM
V
D
=
2
/
3
V
DRM
V
D
= 6 V ;牛逼
G
= 10 s;
di
G
/ DT = 0.45 A / μs的;我
G
= 0.45 A
T
VJ
= T
VJM
; V
D
= 6 V ;
GK
=
∞
V
D
= ½ V
DRM
;
di
G
/ DT = 0.45 A / μs的;我
G
= 0.45 A
T
VJ
= T
VJM
; V
R
= 100 V;
V
D
=
2
/
3
V
DRM
; t
P
= 200 s;
的dv / dt = 15 V / μs的;我
T
= 20 A;
-di / DT = 10 A / μs的
每二极管
V
GS
= 0 V ;我
C
- 0.1毫安
I
C
= 8毫安
V
CE
= 1200 V ;牛逼
VJ
= 25°C
V
CE
= 0,8
V
CES
; T
VJ
= 125°C
V
GE
= 15 V ;我
C
= 100 A
V
GE
= 15 V; V
CE
= 900 V ;牛逼
VJ
= 125°C
V
GE
= 15 V; V
CE
= 1200 V ;牛逼
VJ
= 125°C;
钳位感性负载; L = 100 μH ;
R
G
= 22
V
CE
= 25 V ; F = 1MHz时， V
GE
= 0 V
V
CE
= 720 V ;我
C
= 50 A
V
GE
= 15 V ;
G
= 22
感性负载; L = 100 μH ;
T
VJ
= 125°C
3.8
150
680
6
5
0.1
1200
4.5
R
thJC
R
thCH
V
BR （CES）上
V
GE （日）
I
CES
V
CESAT
t
SC
（ SCSOA ）
IGBT
0.65 K / W
0.2
K / W
6.45
0.1
0.5
3.5
10
100
V
V
mA
mA
V
s
A
RBSOA
C
IES
t
D（上）
t
D（关闭）
E
on
E
关闭
R
thJC
R
thCH
nF
ns
ns
mJ
mJ
0.33 K / W
K / W
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
版权所有2004 IXYS所有权利。
2-5
428
VVZB 135
符号
条件
特征值
(T
VJ
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
0.25毫安
1
mA
2.76
1.3
16
5.5
40
0.25
NTC
10
V
V
G
1: I
GT
, T
VJ
= 125°C
2: I
GT
, T
VJ
= 25°C
3: I
GT
, T
VJ
= -40°C
I
R
V
F
V
T0
r
T
I
RM
t
rr
R
thJC
R
thCH
R
25
B
25/50
符号
T
VJ
T
VJM
T
英镑
模块
快恢复二极管
V
R
= V
RRM
;
T
VJ
= 25°C
V
R
= 1200 V ;牛逼
VJ
= 125°C
I
F
= 30 A;
T
VJ
= 25°C
V
V
m
A
ns
3
对于只功率损耗计算
T
VJ
= 150°C
I
F
= 50 A; - 二
F
/ DT = 100 A / μs的; V
R
= 100 V
I
F
= 1 ; - 二
F
/ DT = 200 A / μs的; V
R
= 30 V
1
1
2
5
4
6
11
0.9 K / W
K / W
k
K
0.1
1
I
GD
, T
VJ
= 125°C
4: P
GAV
= 0.5 W
5: P
GM
= 5 W
6: P
GM
= 10 W
(
R（T ）= R
25
电子B
25/100
T
条件
1
1
298K
)
4.75
5.0 5.25
3375
10
100
1000
I
G
mA
图。 1，门极触发特性
最大额定值
-40...+150
150
-40...+125
50/60赫兹; T = 1分
I
ISOL
≤
1毫安; T = 1秒
安装力矩
表面的爬电距离
在空袭的距离
最大允许的加速度
典型值。
2500
3000
2.25...2.75
20...25
12.7
9.6
50
180
°C
°C
°C
V~
V~
Nm
lb.in.
mm
mm
M / S
2
g
1
10
1000
T
VJ
= 25°C
s
t
gd
100
典型值。
极限
V
ISOL
M
d
d
S
d
A
a
重量
10
尺寸（mm） （1毫米= 0.0394" ）
100
I
G
1000毫安
图。 2门极触发延迟时间
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
版权所有2004 IXYS所有权利。
3-5
428
VVZB 135
150
A
125
I
T
100
I
TSM
400
T
VJ
=45°C
T
VJ
= 45°C
75
300
1000
T
VJ
=150°C
600
A
500
50赫兹
80 % V
RRM
10000
It
As
2
2
V
R
= 0 V
50
T
VJ
=125°C
200
T
VJ
=150°C
25
T
VJ
= 25°C
0
0.0
0.5
1.0
1.5
V
T
V
2.0
100
0
0.001
100
0.01
t
0.1
s
1
1
t
10毫秒
图。 3正向电流随
每脚的电压降
250
W
0.5
200
P
合计
图。 4浪涌过载电流
150
0.2
A
120
I
TAVM
图。 5 I了与时间的关系
（每晶闸管/二极管）
R
thKA
K / W -
150
1
100
90
1.5
2
60
50
3
5
30
0
0
30
60
90
I
RMS
120 A
0
25
50
75
100
T
A
125
150
0
0
25
50
75
100 125 150
T
C
图。 6功耗与直接输出电流和环境温度
0.7
K / W
0.6
0.5
Z
thJC
0.4
0.3
图。 7最大正向电流
在外壳温度
常量Z的
thJC
计算方法：
0.2
0.1
0.0
0.001
VVZB 135
R
THI
/ （K / W）
0.03
0.083
0.361
0.176
t
i
/ (s)
0.0005
0.008
0.094
0.45
0.01
0.1
1
t
s
10
图。 8瞬态热阻抗结到外壳（每晶闸管/二极管）
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
428
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4-5
VVZB 135
150
A
90
A
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
120
I
C
I
F
60
T
VJ
= 125°C
90
60
30
30
V
GE
= 15V
T
VJ
= 25°C
0
0.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
CE
3.0
3.5
V
4.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
F
2.5
3.0
V
3.5
图。 9典型。输出特性
图。 10典型。正向特性
续流二极管
900
ns
9
mJ
E
关闭
10
mJ
t
E
关闭
t
D（关闭）
1000
ns
800
t
600
8
6
6
V
CE
= 720 V
V
GE
= ±15 V
t
D（关闭）
600
4
300
E
关闭
3
E
关闭
R
G
= 22
T
VJ
= 125°C
2
t
f
0
V
CE
= 720 V
V
GE
= ±15 V
I
C
= 50 A
T
VJ
= 125°C
400
200
0
50
60
R
G
t
f
0
0
20
40
60
80
I
C
0
0
10
20
30
40
100
A
120
图。 11典型。关闭能源和开关
时间与集电极电流
1
二极管
图。 12典型。关闭能源和开关
时间与栅极电阻
K / W
0.1
Z
thJC
0.01
IGBT
10000
R
1000
0.001
单脉冲
0.0001
0.00001 0.0001 0.001
100
0.01
0.1
t
1
s 10
0
25
50
75
100
T
VVZB 135
125 °C 150
图。 13典型。瞬态热阻抗
图。 14典型。热敏电阻的阻值随
温度
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