VN2210
N沟道增强模式
垂直的DMOS场效应管
订购信息
BV
DSS
/
BV
DGS
100V
R
DS （ ON）
（最大）
0.35
I
D（上）
（分钟）
8A
订单号码/套餐
TO-39
VN2210N2
TO-92
VN2210N3
MIL视觉筛选可用
特点
无二次击穿
低功耗驱动要求
易于并联的
低C
国际空间站
和快速开关速度
优良的热稳定性
积分源极 - 漏极二极管
高输入阻抗和高增益
互补N和P沟道器件
先进的DMOS技术
这些增强模式（常关）晶体管采用一
垂直的DMOS结构和Supertex公司的成熟的硅栅
制造工艺。这种结合产生器件与
双极晶体管和与所述功率处理能力
高输入阻抗和正温度系数
固有的MOS器件。所有MOS结构的特点，
这些设备是无热失控和thermally-
诱发二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛
开关和放大应用的高击穿
电压，高输入阻抗，低输入电容，并快速
开关速度是期望的。
应用
电机控制
转换器
放大器器
开关
电源电路
驱动器（继电器，锤子，螺线管，灯，
存储器，显示器，双极型晶体管等）的
封装选项
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
* 1.6毫米的情况下10秒的距离。
注：请参阅尺寸封装外形部分。
BV
DSS
BV
DGS
±
20V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
DGS
TO-39
案例：排水
SGD
TO-92
07/08/02
Supertex公司公司不建议使用其产品在生命支持应用程序除非收到足够的"products责任将不会有意地销售其产品用于此类应用
agreement." Supertex公司赔偿保险不承担设备使用说明的责任，并限制其更换设备来确定赔偿责任是有缺陷的，由于
做工。没有责任承担可能的遗漏或不准确。电路和规格如有变更，恕不另行通知。有关最新的产品规格，请参阅
Supertex公司网站： http://www.supertex.com 。有关Supertex公司所有产品完全责任的信息，请参阅最新的数据手册或向Supertex公司网站上的法律/免责声明页面。
1
VN2210
热特性
包
TO-92
TO-39
I
D
（连续） *
1.2A
1.7A
I
D
（脉冲的）
8.0A
10.0A
功耗
@ T
C
= 25
°
C
1.0W
6.0W
θ
jc
°
C / W
125
21
θ
ja
°
C / W
170
125
I
DR
*
1.2A
1.7A
I
DRM
8.0A
10.0A
*
I
D
（续）由最大限制额定牛逼
j
.
电气特性
（ 25°C ，除非另有规定）
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
参数
漏 - 源
击穿电压
栅极阈值电压
改变V
GS （ TH）
随温度
门体漏
零栅极电压漏极电流
民
100
0.8
-4.3
1
2.4
-5.5
100
50
10
I
D（上）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
注意事项：
1.所有的DC参数，除非另有说明， 100％在25℃下进行测试。 （脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。
2.所有参数交流采样测试。
典型值
最大
单位
V
V
毫伏/°C的
nA
A
mA
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 10毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 10毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 10毫安
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
=最大额定值
V
GS
= 0V, V
DS
= 0.8最高评级
T
A
= 125°C
V
GS
= 5V, V
DS
= 25V
V
GS
= 10V, V
DS
= 25V
V
GS
= 5V ，我
D
= 1A
V
GS
= 10V ，我
D
= 4A
V
GS
= 10V ，我
D
= 4A
V
DS
= 25V ，我
D
= 2A
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
通态漏电流
3
8
4.5
17
0.4
0.27
0.85
0.5
0.35
1.2
%/°C
A
静态漏 - 源
导通状态电阻
变化在研发
DS （ ON）
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
1.2
300
125
50
10
10
50
30
1.0
500
500
200
65
15
15
65
50
1.6
V
ns
V
GS
= 0V时，我
SD
= 4A
V
GS
= 0V时，我
SD
= 1A
ns
V
DD
= 25V
I
D
= 2A
R
根
= 10
pF
开关波形和测试电路
10V
90%
输入
0V
脉冲
发电机
R
根
10%
t
（上）
t
（关闭）
t
r
t
D（关闭）
t
F
t
D（上）
V
DD
10%
10%
输入
产量
0V
90%
90%
2
V
DD
R
L
产量
D.U.T.
VN2210
典型性能曲线
BV
DSS
随温度的变化
1.0
1.1
0.8
导通电阻与漏电流
V
GS
= 5V
BV
DSS
（归一化）
R
DS （ ON）
（欧姆）
0.6
V
GS
= 10V
1.0
0.4
0.2
0.9
0
-50
0
50
100
150
0
4
8
12
16
20
T
j
(°C)
传输特性
10
I
D
（安培）
V
GS （ TH）
和R
DS （ ON）
随温度的变化
1.2
2.0
1.1
V
DS
= 25V
8
R
DS （ ON）
@ 10V ， 4A
1.6
I
D
（安培）
6
T
A
= -55°C
25°C
1.0
1.2
0.9
0.8
0.8
4
150°C
2
V
GS （ TH）
@ 10毫安
0.4
0
0
2
4
6
8
10
0.7
-50
0
50
100
150
V
GS
（伏）
电容与漏 - 源极电压
500
10
T
j
(°C)
栅极驱动器的动态特性
F = 1MHz的
8
375
V
DS
= 10V
C（皮法）
V
GS
（伏）
C
国际空间站
250
6
900 pF的
4
125
C
OSS
2
V
DS
= 40V
C
RSS
0
0
10
20
30
40
0
0
300 pF的
2
4
6
8
10
V
DS
（伏）
Q
G
（ nanocoulombs ）
07/08/02
2002 Supertex公司保留所有权利。未经授权擅自使用或复制禁止的。
4
1235年波尔多驱动，桑尼维尔， CA 94089
电话： （ 408 ） 744-0100 传真： （ 408 ） 222-4895
www.supertex.com
R
DS （ ON）
（归一化）
V
GS （ TH）
（归一化）
QQ：2880707522 复制
