VSMB10940
www.vishay.com
威世半导体
高速红外发光二极管， 940纳米， GaAlAs的， MQW
特点
封装类型：表面贴装
包装形式：侧视图
尺寸（单位：mm长x宽x高） ： 3 ×2× 1
峰值波长：
p
= 940纳米
高可靠性
高辐射功率
高辐射强度
高速
半灵敏度角度：
= ± 75°
低正向电压
描述
VSMB10940是红外线， 940纳米侧视发光
在GaAlAs的多量子阱（MQW）技术与二极管
高辐射功率和高转速，成型于清，
未着色的塑料封装（含镜头）表面贴装
（SMD） 。
与检测VEMD10940F包匹配
地板寿命： 168小时， MSL 3 ， ACC 。 J- STD- 020
铅（Pb） -free回流焊
材料分类：为符合定义
请参阅
www.vishay.com/doc?99912
应用
红外触摸屏
高功率发射器用于低空间应用
高性能透射式的或反射式传感器
产品概述
部件
VSMB10940
I
e
（毫瓦/ SR ） ， 20毫安
1
（度）
± 75
p
（纳米）
940
t
r
（纳秒）
15
记
测试条件见附表“基本特征”
订购信息
订购代码
VSMB10940
记
起订量：最小起订量
包装
磁带和卷轴
备注
最小起订量： 3000件， 3000件/卷
包装形式
SIDE VIEW
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
修订版1.1 ， 02月， 13
根据图。 9 ，J -STD- 020
J- STD- 051 ，导致7毫米，焊接在PCB
t
p
/T = 0.5, t
p
= 100 μs
t
p
= 100 μs
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
5
65
130
500
104
100
- 40至+ 85
- 40至+ 100
260
450
单位
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
文档编号： 84170
1
如有技术问题，请联系：
emittertechsupport@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
VSMB10940
www.vishay.com
威世半导体
120
70
60
50
R
thJA
= 450 K / W
40
30
20
10
0
P
V
- 功耗（MW ）
80
R
thJA
= 450 K / W
60
40
20
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
I
F
- 正向电流（mA ）
100
0
20
40
60
80
100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 功耗极限 - 环境温度
图。 2 - 正向电流限制与环境温度
基本特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
正向电压
V温度COEF网络cient
F
反向电流
结电容
测试条件
I
F
能力= 20 mA ，T
p
= 20毫秒
I
F
= 65毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 500毫安，T
p
= 100 μs
I
F
= 1毫安
V
R
= 5 V
V
R
= 0 V ， F = 1MHz时，
E = 0毫瓦/平方厘米
2
I
F
能力= 20 mA ，T
p
= 20毫秒
辐射强度
辐射功率
辐射功率温度系数
半强度角 - 水平
半强度角 - 垂直
峰值波长
光谱带宽
温度COEF网络cient
p
上升时间
下降时间
I
F
= 30毫安
I
F
= 30毫安
I
F
= 30毫安
I
F
= 100毫安， 20 ％至80％
I
F
= 100毫安， 20 ％至80％
I
F
= 65毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 500毫安，T
p
= 100 μs
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 100毫安
符号
V
F
V
F
V
F
TK
VF
I
R
C
J
I
e
I
e
I
e
e
TK =
e
h
v
p
TK
p
t
r
t
f
0.5
21
1
3.05
13
35
- 0.47
± 77.5
± 72.5
940
25
0.3
15
15
1.5
分钟。
1.1
典型值。
1.3
1.35
1.8
- 1.5
10
马克斯。
1.5
单位
V
V
V
毫伏/ K
μA
pF
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
mW
%/K
度
度
nm
nm
nm
ns
ns
修订版1.1 ， 02月， 13
文档编号： 84170
2
如有技术问题，请联系：
emittertechsupport@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
VSMB10940
www.vishay.com
基本特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
160
I
F
= 100毫安
威世半导体
I
E，相对
- 相对辐射强度（ ％ ）
1.9
1
I
F
- 正向电流（ A）
140
0.1
t
p
= 100 s
120
100
0.01
80
0.001
0.5
60
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
1.7
- 60 - 40 - 20
0
20
40
60
80
100
V
F
- 正向电压（ V）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 3 - 正向电流与正向电压
图。 6 - 相对辐射强度与环境温度
V
楼REL
- 相对正向电压（ ％ ）
110
108
106
104
102
100
98
96
94
92
90
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
I
F
= 1毫安
t
p
= 20毫秒
I
F
= 100毫安
I
F
= 10毫安
100
Φ
ê相对
- 相对辐射功率（ ％ ）
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
840
880
920
960
1000
1040
I
F
= 30毫安
21443
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
21445
λ
- 波长（nm ）
图。 4 - 相对正向电压与环境温度
图。 7 - 相对辐射功率与波长
1000
0°
t
p
= 100 s
10°
20°
30°
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
10
1
0.1
0.01
0.001
0.01
0.1
1
I
F
- 正向电流（ A）
图。 5 - 辐射强度与正向电流
图。 8 - 相对辐射强度对比角位移
修订版1.1 ， 02月， 13
文档编号： 84170
3
如有技术问题，请联系：
emittertechsupport@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
- 角位移
100
I
E，相对
- 相对辐射强度
垂直
横
I
e
- 辐射强度（毫瓦/ SR ）
VSMB10940
www.vishay.com
回流焊接温度曲线
DryPack
装置被装在防潮袋（MBB ），以
防止产品吸湿时
运输和储存。每袋含有干燥剂。
威世半导体
地板寿命
焊接和拆卸MBB之间的时间不能
超过J- STD- 020显示的时间：
潮湿敏感度： 3级
地板寿命： 168
条件：T已
AMB
< 30 ℃，相对湿度< 60％的
烘干
如遇水分吸收装置应该出炉
前焊接。条件看J- STD- 020或标签。
在录音盘干燥设备使用条件推荐
在40℃ （ ±5 ℃） ，相对湿度< 5％的192小时。
图。 9 - 铅（Pb ） - 免费的回流焊接温度曲线ACC 。 J- STD- 020
包装尺寸
以毫米为单位
推荐
SOLDER
垫足迹
22701
修订版1.1 ， 02月， 13
文档编号： 84170
4
如有技术问题，请联系：
emittertechsupport@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
VSMB10940
www.vishay.com
吸塑带尺寸
以毫米为单位
威世半导体
22667
卷轴尺寸
以毫米为单位
22668
修订版1.1 ， 02月， 13
文档编号： 84170
5
如有技术问题，请联系：
emittertechsupport@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
QQ：2880707522 复制
