TPS2419
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SLVS998A - 2010年2月 - 修订2010年3月
N + 1或运算电源轨控制器启用
检查样品：
TPS2419
1
特点
控制外部FET为N + 1或门
控制巴士从3 V至16.5 V
对外启用
N沟道MOSFETControl
快速关机的设备，保护总线诚信
可编程的关断阈值
软启动，减少总线瞬态
工业温度范围： -40 ° C至85°C
8引脚TSSOP和SOIC封装
描述
该TPS2419控制器，连同一个
外部的N沟道MOSFET ，提供反向
一个或门二极管与电流保护
MOSFET的效率。该TPS2419可以使用
到多个电源结合到一个共同的总线
在N + 1配置，或结合冗余
输入电源总线。
应用为TPS2419包括范围广泛的
系统包括服务器和电信。这些
应用程序通常有两种N + 1冗余电源
用品，冗余电源总线，或两者兼而有之。冗
电源必须有一个二极管的等效
或防止在故障的反向电流和
热插拔。
精确的电压检测和可编程
关断阈值允许的操作进行调整的
WIDE
范围
of
实现
和
公共汽车
的特点。该TPS2419带出一个使能
销，允许系统以迫使MOSFET关断
在轻负载时，高噪声条件。
表1.家庭特点
应用
N + 1电源
刀片服务器
电信系统
高可用性电源模块
C
BYP
BYP
A
门
C
常见的电压轨
'2410
使能输入
线性栅极控制
接通/切断门
控制
倒胃口
比较
筛选
电压监控
MOSFET故障
监测
状态引脚
独立
电源引脚
√
√
√
'2411
√
'2412
'2413
'2419
√
电压源
√
√
√
√
√
R1
启用
RSVD
RSET
EN
GND
图1.典型应用
R2
R
SET
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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TPS2419
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
产品信息
(1)
设备
TPS2419
(1)
温度
-40 ° C至85°C
包
(1)
PW （ TSSOP - 8 ）
D（ SO - 8 ）
MOSFET栅极
控制
开/关
记号
TPS2419
对于封装和订购信息，请参阅封装选项附录本月底
文件，或查看TI网站
www.ti.com 。
绝对最大额定值
(1)
在推荐工作结温范围，电压参考GND （除非另有说明）
价值
A， C相电压
上述A C相电压
C以上的电压
GATE ， BYP电压
(2)
BYP为电压
门上面BYP电压
RSET
(2)
电压
EN
GATE短到A或C或GND
ESD
T
J
(1)
(2)
人体模型
带电器件模型
最高结温
-0.3至18
7.5
18
-0.3 30
-0.3至13
0.3
-0.3 7
-0.3 5.5
不定
2
500
内部限制
kV
V
°C
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件，仅及功能操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
电压不应该被应用到这些引脚。
耗散额定值
包
PW （ TSSOP ）
D（ SO ）
q
JA
- 低介电常数° C / W
258
176
q
JA
- 高钾° C / W
159
97.5
额定功率
高钾
T
A
= 85°C （毫瓦）
250
410
2
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推荐工作条件
电压参考到GND （除非另有说明）
民
A，C
A到C
EN
R
（ RSET ）
C
（ BYP ）
T
J
(1)
(2)
输入电压范围
(1)
工作电压
输入电压范围
电阻范围
(2)
电容范围
(2)
喃
最大
16.5
5
5
∞
单位
V
V
V
k
pF
°C
0
0
1.5
800
–40
2200
10k
125
工作结温
V
(C)
必须超过2.5 V的正常运行和3 V ，以满足栅极驱动器规格
电压不应该被应用到这些引脚。
电气特性
(1)
常见条件（除非另有说明）是： [ 3伏
≤
( V
(A)
, V
(C)
)
≤
18 V] ，C
（ BYP ）
= 2200 pF的，R
（ RSET ）
=开， EN = 2 V ，
GATE =开放， -40°C
≤
T
J
≤
125°C ，正电流成针，典型值是在25 ° C，相对于GND所有电压。
参数
A，C
供应UVLO
当前
C电流
EN
阈值电压
迟滞
V
（AC）的
= 0.1 V, V
（ EN ）
↑
: 1.1 V
→
1.4 V，测量
期至V
（门）
= 0.25 V
V
（AC）的
= 0.1 V, V
（ EN ）
↓:
1.4 V
→
1.1 V，测量
期至V
（门）
= V
（上）
- 0.25 V
V
（ EN ）
= 0.5 V
V
（A -C ）
门汇>为10 mA V
（ GATE -A ）
= 2 V
关断阈值电压
V
（A -C ）
下降，R
（ RSET ）
=打开
V
（A -C ）
下降，R
（ RSET ）
= 28.7 k
V
（A -C ）
下降，R
（ RSET ）
= 3.24 k
关断延时
打开-O FF时间
(1)
V
(A)
= 12 V, V
（A -C ）
： 20毫伏
→
-20 mV时，
V
（ GATE -A ）
开始减小
V
(A)
= 12 V ，C
（ GATE - GND ）
= 0.01
MF，
V
（A -C ）
:
20毫伏
→
-20 mV时，测量期间
V
（门）
= V
(A)
1
-17
-170
3
-13.25
-142
70
130
5
-10
-114
ns
ns
mV
58
65
V
（ EN ）
升起
1.25
1.3
29
0.65
0.3
1
ms
0.6
1
71
mA
mV
1.35
V
mV
V
(C)
升起
迟滞
| I
(A)
| ，门在有源区
| I
(A)
| ，门高饱和
最坏的情况下，在有源区，V门
（AC）的
≤
0.1 V
门高饱和，V
（AC）的
≤
0.1 V
2.25
0.25
0.66
0.1
4.25
1.2
6
1
2.5
V
mA
mA
测试条件
民
典型值
最大
单位
响应时间
漏电流（源或汇）
打开
正向开启电压 - V
ON
关
设有唯一的典型值参数仅供参考，不构成TI公布的设备规范的一部分
目的TI的产品保修。
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电气特性
(1)
（续）
常见条件（除非另有说明）是： [ 3伏
≤
( V
(A)
, V
(C)
)
≤
18 V] ，C
（ BYP ）
= 2200 pF的，R
（ RSET ）
=开， EN = 2 V ，
GATE =开放， -40°C
≤
T
J
≤
125°C ，正电流成针，典型值是在25 ° C，相对于GND所有电压。
参数
门
栅极正向驱动电压，V
（ GATE -A ）
门源电流
V
(C)
= 3 V, V
（A -C ）
- 200毫伏
5 V
≤
V
C
≤
18 V, V
（A -C ）
- 200毫伏
V
（A -C ）
= 200 mV时， V
（ GATE -A ）
= 4 V
V
（A -C ）
= –0.1 V
关断脉冲电流，我
（门）
V
（门）
= 8 V
V
（门）
= 5 V
期
维持关断电流，我
（门）
杂项
热关断温度
热滞
温度的升高，T
J
135
10
°C
°C
V
（A -C ）
= –0.1 V, 3 V
≤
V
C
≤
18 V,
2 V
≤
V
（门）
≤
18 V
1.75
1.25
7.5
15
2.35
1.75
12.5
19.5
ms
mA
A
6
9
250
7
10.2
290
8
11.5
350
V
mA
测试条件
民
典型值
最大
单位
功能框图
V
DD
HVUV
A
0.5V
RSET
V
DD
C
1.3V
EN
RSVD
GND
V
DD
HVUV
BIAS和
控制
+ 3mV的
-
-
+
热关断恩
(135C)
多级
下拉
电荷泵
与偏压供给
+
V
ON
C
-
Turnon
比较。
S Q
R Q
en
10V
A
+
-
BYP
恩倒胃口
比较。
+
-
门
V
BIAS
en
4
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PW和D套餐
（ TOP VIEW ）
1
4
RSET
EN
RSVD
GND
BYP
A
C
门
8
5
终端功能
终奌站
名字
RSET
EN
RSVD
GND
门
C
A
BYP
号
1
2
3
4
5
6
7
8
I / O
I
I
PWR
PWR
O
I
I
I / O
描述
连接一个电阻到地编程关断阈值。离开RSET开放的结果略有
正V
（A -C ）
关断阈值。
拉EN以上1.3 V ，允许正常的ORing操作。低的EN持有栅极低。
该引脚必须连接到GND 。
设备接地。
连接到外部MOSFET的栅极。控制MOSFET来模拟一个低正向电压二极管。
电压检测输入端连接到模拟二极管的阴极，并且也作为偏置电源用于
栅极驱动电荷泵和内部控制。连接到MOSFET的漏极中的典型配置。
电压检测输入端连接到模拟二极管的阳极，并且还用作用于参考
电荷泵偏置电源上BYP 。连接到在典型的配置中的MOSFET的源极。
从BYP电容器连接到过滤的栅极驱动电压。
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