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先期产品信息
6 - 18 GHz的高功率放大器
主要特点及性能
双通道功率放大器
0.25微米pHEMT技术
6-18 GHz频率范围内
2.8 W /通道中频噘
5.6 W噘组合
25分贝标称增益
平衡式输入/输出低电压驻波比
每通道偏置8V @ 1.2A
TGA9092 - EPU S21实测数据
30.00
28.00
26.00
24.00
增益（dB ）
22.00
20.00
18.00
意味着
16.00
14.00
12.00
10.00
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
+1std
-1std
TGA9092-EPU
主要应用
X - Ku波段功率
点至点收音机
VSAT
频率（GHz ）
典型的测量得到的小信号增益
TGA9092 - EPU平均噘
射频探针数据
36.00
34.00
32.00
的Pout （ dBm的）
30.00
28.00
26.00
24.00
22.00
20.00
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
频率（GHz ）
芯片尺寸4.32毫米X 5.64毫米X 0.100毫米
典型的实测噘（ RF探针）
注：指定为EPU设备是在他们的表征过程通常年初之前敲定所有的电气和过程
规格。规格若有变更，恕不另行通知。
TriQuint半导体公司德州：电话（ 972 ） 994 8465
传真：（ 972 ） 994 5804网址： www.triquint.com
1
先期产品信息
表一
推荐的最大额定值
符号
V
+
I
+
P
D
P
IN
T
CH
T
M
T
英镑
1/
2/
参数
正电源电压
正电源电流
功耗
输入连续波功率
工作通道温度
安装温度（ 30秒）
储存温度
价值
9V
3.5 A
25瓦
25 dBm的
150
°
C
320
°
C
-65
°
150
°
C
C
笔记
3/
1/, 2/
这些等级适用于每一个人FET
结工作温度将直接影响到设备平均无故障时间
（ MTTF ） 。为了获得最大的寿命，建议结温是
保持在尽可能低的水平。
总电流为两个通道
3/
表二
DC探头试验
(T
A
= 25
° ±
5°
C
C)
符号
V
P1-14
BV
GS1
BV
GD1-3
参数
捏-O FF电压
击穿电压门源
击穿电压栅极 - 漏极
最低
-1.5
-30
-30
最大
-0.5
-8
-8
价值
V
V
V
表三
晶圆RF传感器特性
(T
A
= 25
° ±
5°
C
C)
符号参数
测试条件
VD = 8V ，ID = 800毫安
F = 618千兆赫
F = 6-9 GHz的
F = 10至17千兆赫
F = 18 GHz的
F = 618千兆赫
极限
闽喃
21
25
30
33
30
12
32
34
33
25
最大
31
-
-
-
-
单位
G
p
P
3dB
小信号
功率增益
输出功率
@ 3分贝增益
压缩
功率增加
效率
dB
DBM
PAE
%
注：为1GHz采取的步骤射频探测数据
注：指定为EPU设备是在他们的表征过程通常年初之前敲定所有的电气和过程
规格。规格若有变更，恕不另行通知。
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先期产品信息
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先期产品信息
芯片组装和键合图
回流焊工艺装配注意事项：
金锡（ 80/20 ）焊料有限暴露在温度等于或高于300
C
合金站或输送机炉还原气氛
无助熔剂应当利用
热膨胀匹配系数为长期可靠性的关键
储存在干燥的氮气氛
元件贴装和粘接剂连接装配注意事项：
真空铅笔和/或真空夹头拾取的优选方法
避免空气桥的位置时
影响力自动放置过程中的关键
有机附件可以在低功率应用中使用
固化应该在对流烘箱中进行;正确的尾气是一个安全问题
微波或辐射固化不应该被使用，因为差是加热
热膨胀匹配系数是关键
互连工艺装配注意事项：
热压球焊是优选的互连技术
力，时间和超声波是关键参数
铝线不应使用
小焊盘尺寸分立FET器件应0.0007英寸线粘合
最高阶段温度： 200
C
砷化镓MMIC设备容易受到静电放电损害。适当的预防措施
在搬运，装配和测试来观察。
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TN0640N3
TVP5158IPNPR
TC1303C-AR2EUNTR
TPS73625DCQRG4
供货商
型号
厂家
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数量
封装
单价/备注
操作
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    TGA9092
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25+
普通
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全新原装正品/质量有保证
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