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TISP3072F3 , TISP3082F3
双对称瞬态
电压抑制器
版权所有 1997年,创新动力有限公司, UK
1994年3月 - 修订1997年9月
电信系统二级保护
q
离子注入击穿区
精确稳定的电压
在低压浪涌电压过冲
设备
‘3072F3
‘3082F3
V
DRM
V
58
66
V
(BO)
V
72
82
( TOP VIEW )
T
NC
NC
R
1
2
3
4
8
7
6
5
G
G
G
G
MDXXAE
NC - 无内部连接
q
平面钝化结
低断态电流< 10 μA
额定国际浪涌波形
波形
2/10 s
8/20 s
10/160 s
10/560 s
0.5/700 s
10/700 s
10/1000 s
标准
FCC第68部分
ANSI C62.41
FCC第68部分
FCC第68部分
RLM 88
保税区R12
VDE 0433
CCITT IX K17 / K20
REA PE- 60
I
TSP
A
80
70
60
45
38
50
50
50
35
P包
( TOP VIEW )
q
T
G
G
R
1
2
3
4
8
7
6
5
T
G
G
R
MDXXAF
指定的T终端收视需要引脚1和8的连接。
指定R端子评级需要4,5脚连接。
SL包装
( TOP VIEW )
T
1
2
3
MDXXAG
MD23AA
q
表面贴装和通孔选项
小外形
小外形录音
和缠绕
塑料DIP
单直列
PART #后缀
D
DR
P
SL
G
R
设备符号
T
R
q
UL认证, E132482
描述
这些低电压双对称瞬态
电压抑制装置被设计成
保护ISDN防止瞬变的应用
因雷击和交流电源线。
提供两种不同的电压,以满足电池
它们是保证保护要求
抑制和抵御国际上市
雷电浪涌的两极。瞬变
最初由剪切破坏夹紧,直到
电压上升到导通的水平,这
导致器件撬棍。高撬棍
保持电流防止直流闭锁作为
目前的补贴。
SD3XAA
G
端T中,R且G相对应的
A,B和C的替代路线代号
这些单片保护装置是
制作离子注入平面结构,以
确保精确的匹配和控制导通
和几乎透明的系统中
正常工作
产品
信息
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
1
TISP3072F3 , TISP3082F3
双对称瞬态
电压抑制器
1994年3月 - 修订1997年9月
描述(续)
小外形8引脚分配经过精心挑选的TISP系列,以最大限度地跨脚
其中所使用的标准(如IEC950 )建立耐压间隙和爬电距离
收视率。
绝对最大额定值
等级
重复峰值断态电压(0°C <牛逼
J
< 70 ° C)
非重复性峰值通态脉冲电流(见注1 , 2和3 )
1/2微秒(气体管差动瞬态,开路电压波形的1/2微秒)
2/10微秒( FCC第68部分,开路电压波形2/10微秒)
8/20微秒(ANSI C62.41 ,开路电压波形1.2 / 50微秒)
一百六分之一十微秒( FCC第68部分,开路电压波形一百六十零分之一十微秒)
200分之5微秒(VDE 0433 ,开路电压波形2千伏10/700 μs)内
0.5 / 310微秒(RLM 88 ,开路电压波形为1.5kV , 0.5 / 700微秒)
三百一分之五微秒( CCITT IX K17 / K20 ,开路电压波形2千伏10/700微秒)
三百一分之五微秒( FTZ R12 ,开路电压波形2千伏10/700微秒)
五百六十○分之一十微秒( FCC第68部分,开路电压波形五百六十零分之一十微秒)
10/1000微秒( REA PE- 60 ,开路电压波形10/1000 μs)内
非重复性峰值通态电流(见注2和3 )
50赫兹,
1s
P包
SL包装
通态电流上升的初始速度,
结温
存储温度范围
线性电流斜坡,斜坡的最大价值<一38
di
F
/ DT
T
J
T
英镑
I
TSM
I
TSP
120
80
70
60
50
38
50
50
45
35
4
6
6
250
-40到+150
-40到+150
A / μs的
°C
°C
均方根
A
‘3072F3
‘3082F3
符号
V
DRM
价值
± 58
± 66
单位
V
注:被浪涌波形1.进一步详情载于应用信息部分。
2.最初TISP必须是热平衡与0 ℃的<牛逼
J
<70 ℃。浪涌可以重复后TISP返回到其初始
条件。
3.超过70° C,线性降额到零上150 ℃的焊接温度。
电特性为T和R端子,T
J
= 25°C
参数
I
DRM
I
D
C
关闭
场外重复峰值
目前状态
FF-态电流
测试条件
V
D
= ±2V
DRM
0° ℃下牛逼
J
& LT ; 70℃
V
D
= ±50 V
F = 100千赫,V
d
= 100 mV的
关态电容
V
D
= 0,
P包
SL包装
50
65
30
第三终端电压= -50 V至+50 V
(见注4和5)
TISP3072F3
最大
±10
±10
150
200
100
50
65
30
TISP3082F3
最大
±10
±10
150
200
100
fF
单位
A
A
注: 4。这些电容测量采用三端电容桥纳入保护电路。第三终端是
连接到所述桥的保护端子。
在电容5.进一步详情载于应用信息部分。
的参数,而不是一个限制值的典型值。
电特性的T和G或R和G端子,T
J
= 25°C
参数
I
DRM
场外重复峰值
目前状态
测试条件
V
D
= ±V
DRM
0° ℃下牛逼
J
& LT ; 70℃
TISP3072F3
最大
±10
TISP3082F3
最大
±10
单位
A
产品
信息
2
TISP3072F3 , TISP3082F3
双对称瞬态
电压抑制器
1994年3月 - 修订1997年9月
电特性的T和G或R和G端子,T
J
= 25 (续)
参数
的dv / dt = ± 250 V / ms的,
V
(BO)
V
(BO)
I
(BO)
V
T
I
H
dv / dt的
I
D
C
关闭
击穿电压
源电阻= 300
的di / dt < 20 A / μs的
±86
±96
V
源电阻= 50
的dv / dt = ± 250 V / ms的,
导通电流
通态电压
保持电流
的临界上升率
断态电压
FF-态电流
关态电容
源电阻= 300
I
T
= ± 5 A,T
W
= 100 s
的di / dt = - / + 30毫安/ MS
线性电压斜坡,
±5
最大斜坡值< 0.85V
( BR )分
V
D
= ±50 V
F = 100千赫
V
d
= 100 mV的
V
D
= 0,
V
D
= -5 V
V
D
= -50 V
82
49
25
第三终端电压= -50 V至+50 V
(见注6及7 )
±10
140
85
40
82
49
25
±10
140
85
40
A
pF
pF
pF
±5
KV / μs的
±0.15
±0.15
±0.6
±3
±0.15
±0.15
±0.6
±3
A
V
A
±72
±82
V
测试条件
TISP3072F3
最大
TISP3082F3
最大
单位
脉冲导通电压的dv / dt = ± 1000 V / μs的,
AGE
注: 6这些电容测量采用三端电容桥纳入保护电路。第三终端是
连接到所述桥的保护端子。
在电容7.进一步详情载于应用信息部分。
参数测量信息
+i
I
TSP
我象限
开关
特征
I
TSM
I
T
V
T
I
H
V
( BR )M
-v
I
( BR )
V
( BR )
I
(BO)
I
H
V
DRM
I
DRM
V
D
I
D
I
D
V
D
V
DRM
V
( BR )M
I
DRM
V
( BR )
I
( BR )
+v
V
(BO)
I
(BO)
V
(BO)
V
T
I
T
I
TSM
第三象限
开关
特征
I
TSP
-i
PMXXAA
图1.电压 - 电流特性作为终端的任何一对
产品
信息
3
TISP3072F3 , TISP3082F3
双对称瞬态
电压抑制器
1994年3月 - 修订1997年9月
的参数,而不是一个限制值的典型值。
热特性
参数
R
θ
JA
结到自由空气的热阻
P包
SL包装
典型值
最大
160
100
105
° C / W
单位
典型特征
T和G或R和G端子
FF-态电流
vs
结温
100
TC3LAF
正规化的击穿电压
vs
结温
TC3LAI
正常化到V
( BR )
1.2
10
I
D
- 断态电流 - μA
正规化的击穿电压
I
( BR )
= 100 μA和25℃
正极性
1
1.1
0·1
V
D
= 50 V
V
D
= -50 V
V
( BR )M
1.0
V
( BR )
V
(BO)
0·01
0·001
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温 - °C
0.9
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温 - °C
图2中。
网络连接gure 3 。
产品
信息
4
TISP3072F3 , TISP3082F3
双对称瞬态
电压抑制器
1994年3月 - 修订1997年9月
典型特征
T和G或R和G端子
正规化的击穿电压
vs
结温
TC3LAJ
通态电流
vs
通态电压
100
TC3LAL
正常化到V
( BR )
1.2
正规化的击穿电压
I
( BR )
= 100 μA和25℃
负极性
I
T
- 通态电流 - 一个
1.1
V
( BR )M
V
(BO)
V
( BR )
10
1.0
150°C
25°C
-40°C
0.9
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温 - °C
1
1
2
3
4
5
6
7 8 9 10
V
T
- 通态电压 - V
图4中。
图5中。
保持电流&转折电流
vs
结温
I
H
, I
(BO)
- 保持电流,击穿电流 - 一个
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
I
H
0.2
I
(BO)
TC3LAH
0.1
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温 - °C
图6 。
产品
信息
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TISP3072F3
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
TISP3072F3
BOURNS/伯恩斯
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原装现货假一赔十
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地址:深圳市福田区航都大厦17F1
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地址:深圳市福田区华强北赛格科技园2栋中809室.
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pi
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联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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32570
ZIP3
全新原装正品/质量有保证
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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联系人:刘经理
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联系人:朱先生/王小姐
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