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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第517页 > TN0640N3
–O
订购信息
BV
DSS
/
BV
DGS
350V
400V
TE -
门槛
OLE
低
BS
TN0635
TN0640
N沟道增强模式
垂直的DMOS场效应管
R
DS （ ON）
（最大）
10
10
I
D（上）
（分钟）
1.0A
1.0A
V
GS （ TH）
（最大）
1.8V
1.8V
订单号码/套餐
TO-92
TN0635N3
TN0640N3
DIE
TN0635ND
TN0640ND
MIL视觉筛选可用
7
低阈值DMOS技术
这些低阈增强模式（常关），晶体管
器使用一个垂直DMOS结构和Supertex公司的成熟的
硅栅的制造工艺。这种结合产生
与双极晶体管的功率处理能力的设备
并用高输入阻抗和正温度
系数固有的MOS器件。所有MOS特性
结构，这些设备是无热失控和
热诱导的二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛
开关和放大应用的门槛很低
电压，高的击穿电压，高输入阻抗，低输入
电容，和快速的开关速度是期望的。
特点
■
门槛低-1.8V最大。
■
高输入阻抗
■
低输入电容 - 85pF的典型
■
快速开关速度
■
低导通电阻
■
无二次击穿
■
低输入和输出泄漏
■
互补N和P沟道器件
应用
■
逻辑电平接口 - 适合TTL和CMOS
■
固态继电器
■
电池供电系统
■
光伏驱动器
■
模拟开关
■
通用线路驱动器
■
电信交换机
封装选项
SGD
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
*
1.6毫米的情况下10秒的距离。
7-59
BV
DSS
BV
DGS
±
20V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
TO-92
注：请参阅尺寸封装外形部分。
TN0635/TN0640
热特性
包
TO-92
*
I
D
（连续） *
200mA
I
D
（脉冲的）
1.5A
功耗
@ T
C
= 25
°
C
1.0W
θ
jc
°
C / W
125
θ
ja
°
C / W
170
I
DR
*
200mA
I
DRM
1.5A
I
D
（续）由最大限制额定牛逼
j
.
–O
电气特性
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
参数
漏 - 源
击穿电压
栅极阈值电压
（ 25°C ，除非另有规定）
民
TN0640
TN0635
400
350
0.6
-2.5
1.8
-4.0
100
10
1.0
V
毫伏/°C的
nA
A
mA
A
10
10
0.75
125
350
85
30
10
130
75
20
20
15
25
20
1.8
300
V
ns
ns
pF
%/°C
m
典型值
最大
单位
V
TE -
唯一
B
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 100A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1毫安
V
GS
=
±
20V, V
DS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
=最大额定值
V
GS
= 0V, V
DS
= 0.8最高评级
T
A
= 125°C
V
GS
= 5V, V
DS
= 25V
V
GS
= 10V, V
DS
= 25V
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 150毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 500毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 500毫安
V
DS
= 25V ，我
D
= 100毫安
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
改变V
GS （ TH）
随温度
门体漏
零栅极电压漏极电流
I
D（上）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
通态漏电流
0.3
1.0
1.5
1.8
8.0
7.0
静态漏 - 源
导通状态电阻
变化在研发
DS （ ON）
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
注意事项：
1.所有的DC参数，除非另有说明， 100％在25℃下进行测试。 （脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。
2.所有参数交流采样测试。
开关波形和测试电路
10V
90%
输入
0V
脉冲
发电机
R
根
10%
t
（上）
t
（关闭）
t
r
t
D（关闭）
t
F
t
D（上）
V
DD
10%
10%
输入
产量
0V
90%
90%
7-60
V
DD
= 25V,
I
D
= 1.0A,
R
根
= 25
V
GS
= 0V时，我
SD
= 200毫安
V
GS
= 0V时，我
SD
= 1.0A
V
DD
R
L
产量
D.U.T.
典型性能曲线
输出特性
2.5
TE -
OLE
OBS
–
1.25
1.00
TN0635/TN0640
饱和特性
V
GS
= 10V
6V
4V
V
GS
= 10V
2.0
5V
I
D
（安培）
4V
1.0
I
D
（安培）
1.5
0.75
0.50
3V
0.5
0.25
2V
0
0
10
20
30
40
50
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
（伏）
跨导主场迎战漏电流
0.5
V
DS
（伏）
功耗对比外壳温度
7
V
DS
= 25V
1.8
0.4
T
A
= -55
°
C
T
A
= 25
°
C
1.4
G
FS
（西门子）
P
D
（瓦特）
0.3
T
A
= 125
°
C
0.2
TO-92
1.0
0.6
0.1
0.2
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0
25
50
75
100
125
150
I
D
（安培）
最大额定安全工作区
1.0
1.0
TO-92 （脉冲）
T
C
(
°
C)
热响应特性
热电阻（标准化）
0.8
I
D
（安培）
0.1
TO-92 （DC）的
0.6
TO-92
P
D
= 1W
T
C
= 25
°
C
0.4
0.01
0.2
T
C
= 25°C
0.001
1
10
100
1000
0
0.001
0.01
0.1
1.0
10
V
DS
（伏）
t
p
（秒）
7-61
典型性能曲线
BV
DSS
随温度的变化
1.1
–O
TE -
OLE
BS
导通电阻与漏电流
15.0
12.0
TN0635/TN0640
V
GS
= 5V
BV
DSS
（归一化）
R
DS （ ON）
（欧姆）
9.0
1.0
V
GS
= 10V
6.0
3.0
0
-50
0
50
100
150
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
T
j
(
°
C)
传输特性
2.5
I
D
（安培）
V
（ TH ）
和R
DS
随温度的变化
2.0
T
A
= -55
°
C
T
A
= 125
°
C
2.0
1.4
R
DS （ ON）
@ 10V ， 0.5A
V
GS （ TH）
（归一化）
1.2
1.6
V
（日） @ 1毫安
1.2
1.5
T
A
= 25
°
C
1.0
0.8
0.8
0.4
0.6
1.0
0.5
0
0
2
4
6
8
10
-50
0
50
100
150
0
V
GS
（伏）
电容与漏 - 源极电压
200
10
T
j
(
°
C)
栅极驱动器的动态特性
V
DS
= 10V
270 pF的
8
150
C（皮法）
V
DS
= 40V
V
GS
（伏）
6
270 pF的
100
C
国际空间站
4
50
C
OSS
C
RSS
2
100 pF的
0
40
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
0
10
20
30
V
DS
（伏）
Q
G
（ nanocoulombs ）
7-62
R
DS （ ON）
（归一化）
I
D
（安培）
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TC1303C-AR2EUNTR
TPS73625DCQRG4
TC74AC534F
TLV70731DQNR
TMX320F28044GGMQ
TCTOM1A685M8R
TPA2014D1YZHT
TDS1012B
TC1313-AB0EMFTR
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型号
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    TN0640N3
    -
    -
    -
    -
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