TPS1120 ， TPS1120Y
双P沟道增强型MOSFET
SLVS080A - 1994年3月 - 修订1995年8月
D
D
D
D
D
D
低R
DS （ ON）
. . . 0.18
在V
GS
= – 10 V
3 -V兼容
无需外部V
CC
TTL和CMOS兼容输入
V
GS （ TH）
= - 1.5 V最大
ESD保护高达2千伏每
MIL-STD- 883C ，方法3015
包
（ TOP VIEW ）
1SOURCE
1GATE
2SOURCE
2GATE
1
2
3
4
8
7
6
5
1DRAIN
1DRAIN
2DRAIN
2DRAIN
描述
该TPS1120集成了两个独立的
p沟道增强型MOSFET那
都得到了优化，由得克萨斯州的装置
仪器LinBiCMOS 工艺， 3 - V或5 V
在电池供电系统中的配电。具有最大V
GS （ TH）
的 - 1.5 V和I
DSS
仅为0.5
A,
该TPS1120是理想的高侧开关的低电压便携式电池管理系统，其中
最大限度地延长电池寿命是一个首要关注的问题。由于便携式设备可能受到静电
放电（ESD ）的MOSFET具有内置电路2 - kV ESD保护。高端设备的TPS1120
包括笔记本电脑，个人数字助理（PDA） ，蜂窝式电话，条形码扫描仪，和
PCMCIA卡。对于现有的设计中， TPS1120D具有共同与其他的p沟道MOSFET的引脚分布
小外形集成电路SOIC封装。
该TPS1120的特点是工作结温范围，T
J
从 - 40 ° C至150 ℃。
可选项
封装器件
TJ
- 40℃ 150℃
小尺寸
(D)
TPS1120D
芯片形式
(Y)
TPS1120Y
D封装中提供卷带封装。添加的R后缀设备
型（例如， TPS1120DR ） 。芯片形式是在25℃下进行测试。
注意！该器件包含电路，以保护其投入和对输出的伤害，由于高静电压或静电
场。这些电路已合格，以保护该器件免受根据可达2 kV的静电放电（ ESD ）
MIL -STD- 883C ，方法3015 ;然而，建议采取预防措施，以避免应用任何电压高于
最大额定电压为这些高阻抗电路。
LinBiCMS是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1995年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
TPS1120 ， TPS1120Y
双P沟道增强型MOSFET
SLVS080A - 1994年3月 - 修订1995年8月
概要
1SOURCE
2SOURCE
的ESD
保护
电路
1GATE
的ESD
保护
电路
2GATE
1DRAIN
对于所有的应用程序，无论是漏引脚为每个设备应当连接。
2DRAIN
TPS1120Y芯片信息
该芯片，当正确组装，显示类似TPS1120C特点。热压
或超声波接合，可以使用在掺杂铝接合焊盘。该芯片可以被安装有
导电环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
(4)
1SOURCE
1GATE
(5)
(6)
57
切屑厚度： 15 MILS典型
焊盘： 4
×
4 MILS最低
TJMAX = 150℃
(8)
(7)
(1)
(2)
公差
±
10%
所有尺寸均为MILS
2SOURCE
(3)
2GATE
(1)
(2)
(3)
(4)
TPS1120Y
(8)
(7)
(6)
(5)
1DRAIN
1DRAIN
2DRAIN
2DRAIN
64
2
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双P沟道增强型MOSFET
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在工作自由空气的温度绝对最大额定值（除非另有说明）
单位
漏 - 源电压VDS
栅极 - 源极电压，V GS
VGS = - 2 7 V
2.7
VGS = - 3 V
连续漏电流每个设备（ TJ = 150 ° C）的ID
目前，
150°C),
VGS = - 4 5 V
4.5
VGS = - 10 V
脉冲漏极电流ID
连续源电流（二极管导通） ， IS
连续总功率耗散
存储温度范围， TSTG
工作结温范围， TJ
工作自由空气的温度范围， TA
TA = 25°C
TA = 125°C
TA = 25°C
TA = 125°C
TA = 25°C
TA = 125°C
TA = 25°C
TA = 125°C
TA = 25°C
TA = 25°C
–15
2或-15
±
0.39
±
0.21
±
0.5
±
0.25
±
0.74
±
0.34
±
1.17
±
0.53
±
7
–1
- 55 150
- 40150
- 40 125
A
A
°C
°C
°C
A
V
V
见耗散额定值表
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
260
°C
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
额定功耗表
包
D
TA
≤
25°C
额定功率
840毫瓦
降额因子
以上TA = 25°C
6.71毫瓦/°C的
TA = 70℃
额定功率
538毫瓦
TA = 85°C
额定功率
437毫瓦
TA = 125°C
额定功率
169毫瓦
最高值是使用基于R一降额系数计算
θJA
=为包149 ° C / W 。这些设备是
安装在FR4电路板没有特别的散热考虑。
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TPS1120 ， TPS1120Y
双P沟道增强型MOSFET
SLVS080A - 1994年3月 - 修订1995年8月
在T电气特性
J
= 25 ℃（除非另有说明）
STATIC
参数
VGS （ TH）
VSD
IGSS
IDSS
栅极 - 源极阈值电压
源 - 漏电压（二极管的正向电压）
反向栅极电流，漏短路到源代码
零栅极电压
零栅极电压漏极电流
测试条件
VDS = VGS ，
IS = - 1 ，
VDS = 0 V ，
VDS = - 12 V ，
,
VGS = 0 V
VGS = - 10 V
VGS = - 4.5 V
VGS = - 3 V
VGS = - 2.7 V
VDS = - 10 V ，
ID = - 250
A
VGS = 0 V
VGS = - 12 V
TJ = 25°C
TJ = 125°C
ID = - 1.5
ID = - 0.5 A
ID = - 0 2将
0.2
ID = - 2 A
180
291
476
606
2.5
400
700
850
S
m
TPS1120
民
–1
典型值
– 1.25
– 0.9
±
100
– 0.5
– 10
最大
– 1.50
单位
V
V
nA
A
RDS （ ）
DS （ ON）
静态漏 - 源极导通电阻
漏源极导通状态
政府飞行服务队
正向跨导
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%
STATIC
参数
VGS （ TH）
VSD
栅极 - 源极阈值电压
源 - 漏电压（二极管的正向电压）
测试条件
VDS = VGS ，
IS = - 1 ，
VGS = - 10 V
VGS = - 4.5 V
VGS = - 3 V
VGS = - 2.7 V
VDS = - 10 V ，
ID = - 250
A
VGS = 0 V
ID = - 1.5
ID = - 0.5 A
ID = - 0 2将
0.2
ID = - 2 A
TPS1120Y
民
典型值
– 1.25
– 0.9
180
291
476
606
2.5
S
m
最大
单位
V
V
RDS （ ）
DS （ ON）
静态漏 - 源极导通电阻
漏源极导通状态
政府飞行服务队
正向跨导
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%
动态
参数
Qg
QGS
QGD
TD （上）
TD （关闭）
tr
tf
TRR （ SD ）
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
上升时间
下降时间
源极到漏极的反向恢复时间
IF = 5.3 A，
的di / dt = 100 A / μs的
VDD = - 10 V ，
,
RG = 6
,
RL = 10
,
,
参见图1和2
ID = - 1 ，
,
VDS = - 10 V ，
VGS = - 10 V ，
ID = - 1
测试条件
TPS1120 ， TPS1120Y
民
典型值
5.45
0.87
1.4
4.5
13
10
2
16
ns
ns
ns
nC
最大
单位
4
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TPS1120 ， TPS1120Y
双P沟道增强型MOSFET
SLVS080A - 1994年3月 - 修订1995年8月
参数测量信息
VGS
RL
VDS
VGS
RG
DUT
VDD
90%
0V
–
+
10%
VDS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
– 10 V
图1.开关时间测试电路
图2.开关时间波形
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5
QQ：2881677436 复制
