日前，Vishay
TSML3710
威世半导体
的GaAs / GaAlAs的红外发光二极管在SMT封装
描述
TSML3710是对的GaAlAs红外发光二极管
砷化镓技术的缩影PLCC2 SMD封装。
特点
SMT IRED有额外的高辐射功率
低正向电压
兼容与自动贴装设备
EIA和ICE标准封装
适于红外线，气相和波峰焊
过程
8毫米磁带盒装
适用于脉冲电流操作
半强度额外的广角
= ± 60°
峰值波长
λ
p
= 950 nm的
再配上TEMT3700光电晶体管
94 8553
应用
在断续器，透过感应器红外线发射器
传感器和反射传感器
家电
在低空间应用红外发射器
触感键盘
零件表
部分
TSML3710
订购代码
TSML3710-GS08
备注
最小起订量7500pcs （1500个每卷）
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
t
≤10sec
t
p
/T = 0.5, t
p
= 100
s
t
p
= 100
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
5
100
200
1
170
100
- 40至+ 85
- 40 + 100
260
450
单位
V
mA
mA
A
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
文档编号81075
第3版， 06 - 03
www.vishay.com
1
TSML3710
威世半导体
基本特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
温度。 V系数
F
反向电流
结电容
辐射强度
辐射功率
温度。系数
φ
e
半强度角
峰值波长
光谱带宽
温度。系数
λ
p
上升时间
下降时间
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 1 A
I
F
= 20毫安
I
F
= 1 A
测试条件
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100
s
I
F
= 1毫安
V
R
= 5 V
V
R
= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100
s
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 100毫安
符号
V
F
V
F
TK
VF
I
R
C
j
I
e
I
e
φ
e
TK
φe
λ
p
λ
TK
λp
t
r
t
r
t
f
t
f
4
25
8
60
35
-0.6
±60
950
50
0.2
800
500
800
500
民
典型值。
1.35
2.6
-1.85
100
最大
1.7
3.2
日前，Vishay
单位
V
V
毫伏/ K
A
pF
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
mW
%/K
度
nm
nm
纳米/ K
ns
ns
ns
ns
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
250
P
V
- 功率耗散（ mW）的
125
I
F
- 正向电流（mA ）
200
150
R
thJA
100
50
0
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
100
75
50
25
0
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
R
thJA
16846
16847
图1.功耗与环境温度
图2.正向电流与环境温度
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2
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TSML3710
威世半导体
100
I
e
- 辐射强度（毫瓦/ SR ）
10000
I
F
- 正向电流（mA ）
0.1
1000
0.2
100
0.5
1.0
0.05
0.02
t
p
/ T = 0.01
10
1
10
0.01
14335
0.10
1.00
10.00
100.00
15903
0.1
10
0
t
p
- 脉冲持续时间（毫秒）
10
1
10
2
10
3
I
F
- 正向电流（mA ）
10
4
图3.脉冲正向电流与脉冲持续时间
图6.辐射强度与正向电流
10
4
I
F
- 正向电流（mA ）
辐射功率（mW ）
Φ
e
-
1000
10
3
100
10
2
t
p
= 100
s
t
p
/ T = 0.001
10
10
1
1
10
0
0
13600
1
2
3
4
0.1
10
0
94 8740
V
F
- 正向电压（ V）
10
1
10
2
10
3
I
F
- 正向电流（mA ）
10
4
图4.正向电流与正向电压
图7.辐射功率与正向电流
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0
16848
1.6
1.4
I
F
= 20毫安
正向电压（ V）
I
F
= 1毫安
I
REL
/
F
REL
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
0.0
–10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
16849
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图5.正向电压与环境温度
图8.相对。辐射强度/功率随环境温度
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3
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威世半导体
的GaAs / GaAlAs的红外发光二极管在SMT封装
描述
TSML3710是对的GaAlAs红外发光二极管
砷化镓技术的缩影PLCC2 SMD封装。
特点
SMT IRED有额外的高辐射功率
低正向电压
兼容与自动贴装设备
EIA和ICE标准封装
适于红外线，气相和波峰焊
过程
8毫米磁带盒装
适用于脉冲电流操作
半强度额外的广角
= ± 60°
峰值波长
λ
p
= 950 nm的
再配上TEMT3700光电晶体管
94 8553
应用
在断续器，透过感应器红外线发射器
传感器和反射传感器
家电
在低空间应用红外发射器
触感键盘
零件表
部分
TSML3710
订购代码
TSML3710-GS08
备注
最小起订量7500pcs （1500个每卷）
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
t
≤10sec
t
p
/T = 0.5, t
p
= 100
s
t
p
= 100
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
5
100
200
1
170
100
- 40至+ 85
- 40 + 100
260
450
单位
V
mA
mA
A
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
文档编号81075
第3版， 06 - 03
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1
TSML3710
威世半导体
基本特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
温度。 V系数
F
反向电流
结电容
辐射强度
辐射功率
温度。系数
φ
e
半强度角
峰值波长
光谱带宽
温度。系数
λ
p
上升时间
下降时间
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 1 A
I
F
= 20毫安
I
F
= 1 A
测试条件
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100
s
I
F
= 1毫安
V
R
= 5 V
V
R
= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100
s
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 100毫安
符号
V
F
V
F
TK
VF
I
R
C
j
I
e
I
e
φ
e
TK
φe
λ
p
λ
TK
λp
t
r
t
r
t
f
t
f
4
25
8
60
35
-0.6
±60
950
50
0.2
800
500
800
500
民
典型值。
1.35
2.6
-1.85
100
最大
1.7
3.2
日前，Vishay
单位
V
V
毫伏/ K
A
pF
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
mW
%/K
度
nm
nm
纳米/ K
ns
ns
ns
ns
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
250
P
V
- 功率耗散（ mW）的
125
I
F
- 正向电流（mA ）
200
150
R
thJA
100
50
0
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
100
75
50
25
0
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
R
thJA
16846
16847
图1.功耗与环境温度
图2.正向电流与环境温度
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2
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日前，Vishay
TSML3710
威世半导体
100
I
e
- 辐射强度（毫瓦/ SR ）
10000
I
F
- 正向电流（mA ）
0.1
1000
0.2
100
0.5
1.0
0.05
0.02
t
p
/ T = 0.01
10
1
10
0.01
14335
0.10
1.00
10.00
100.00
15903
0.1
10
0
t
p
- 脉冲持续时间（毫秒）
10
1
10
2
10
3
I
F
- 正向电流（mA ）
10
4
图3.脉冲正向电流与脉冲持续时间
图6.辐射强度与正向电流
10
4
I
F
- 正向电流（mA ）
辐射功率（mW ）
Φ
e
-
1000
10
3
100
10
2
t
p
= 100
s
t
p
/ T = 0.001
10
10
1
1
10
0
0
13600
1
2
3
4
0.1
10
0
94 8740
V
F
- 正向电压（ V）
10
1
10
2
10
3
I
F
- 正向电流（mA ）
10
4
图4.正向电流与正向电压
图7.辐射功率与正向电流
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0
16848
1.6
1.4
I
F
= 20毫安
正向电压（ V）
I
F
= 1毫安
I
REL
/
F
REL
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
0.0
–10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
16849
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图5.正向电压与环境温度
图8.相对。辐射强度/功率随环境温度
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威世半导体
的GaAs / GaAlAs的红外发光二极管在SMT封装
描述
TSML3710是对的GaAlAs红外发光二极管
砷化镓技术的缩影PLCC2 SMD封装。
特点
SMT IRED有额外的高辐射功率
低正向电压
兼容与自动贴装设备
EIA和ICE标准封装
适于红外线，气相和波峰焊
过程
8毫米磁带盒装
适用于脉冲电流操作
半强度额外的广角
= ± 60°
峰值波长
λ
p
= 950 nm的
再配上TEMT3700光电晶体管
94 8553
应用
在断续器，透过感应器红外线发射器
传感器和反射传感器
家电
在低空间应用红外发射器
触感键盘
零件表
部分
TSML3710
订购代码
TSML3710-GS08
备注
最小起订量7500pcs （1500个每卷）
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
t
≤10sec
t
p
/T = 0.5, t
p
= 100
s
t
p
= 100
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
5
100
200
1
170
100
- 40至+ 85
- 40 + 100
260
450
单位
V
mA
mA
A
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
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第3版， 06 - 03
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TSML3710
威世半导体
基本特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
温度。 V系数
F
反向电流
结电容
辐射强度
辐射功率
温度。系数
φ
e
半强度角
峰值波长
光谱带宽
温度。系数
λ
p
上升时间
下降时间
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 1 A
I
F
= 20毫安
I
F
= 1 A
测试条件
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100
s
I
F
= 1毫安
V
R
= 5 V
V
R
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I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100
s
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 100毫安
符号
V
F
V
F
TK
VF
I
R
C
j
I
e
I
e
φ
e
TK
φe
λ
p
λ
TK
λp
t
r
t
r
t
f
t
f
4
25
8
60
35
-0.6
±60
950
50
0.2
800
500
800
500
民
典型值。
1.35
2.6
-1.85
100
最大
1.7
3.2
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单位
V
V
毫伏/ K
A
pF
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
mW
%/K
度
nm
nm
纳米/ K
ns
ns
ns
ns
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
250
P
V
- 功率耗散（ mW）的
125
I
F
- 正向电流（mA ）
200
150
R
thJA
100
50
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0
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T
AMB
- 环境温度（
°C
)
100
75
50
25
0
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
R
thJA
16846
16847
图1.功耗与环境温度
图2.正向电流与环境温度
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TSML3710
威世半导体
100
I
e
- 辐射强度（毫瓦/ SR ）
10000
I
F
- 正向电流（mA ）
0.1
1000
0.2
100
0.5
1.0
0.05
0.02
t
p
/ T = 0.01
10
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10
0.01
14335
0.10
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10.00
100.00
15903
0.1
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10
1
10
2
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3
I
F
- 正向电流（mA ）
10
4
图3.脉冲正向电流与脉冲持续时间
图6.辐射强度与正向电流
10
4
I
F
- 正向电流（mA ）
辐射功率（mW ）
Φ
e
-
1000
10
3
100
10
2
t
p
= 100
s
t
p
/ T = 0.001
10
10
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10
0
0
13600
1
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0
94 8740
V
F
- 正向电压（ V）
10
1
10
2
10
3
I
F
- 正向电流（mA ）
10
4
图4.正向电流与正向电压
图7.辐射功率与正向电流
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0
16848
1.6
1.4
I
F
= 20毫安
正向电压（ V）
I
F
= 1毫安
I
REL
/
F
REL
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
0.0
–10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
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AMB
- 环境温度（
°C
)
图5.正向电压与环境温度
图8.相对。辐射强度/功率随环境温度
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