TLP155
光电耦合器
GaAAs红外LED &图片IC
TLP155
1.应用
等离子显示面板（PDP ）
晶体管逆变器
MOSFET栅极驱动器
IGBT栅极驱动器
2.一般
东芝TLP155由一个GaAAs红外发光二极管和集成高增益，高速的
光电探测器。该TLP155被容纳在SO6包。光检测器有一个内部法拉第屏蔽
它提供了保证共模瞬变抗扰度
±20
KV / μ 。 TLP155是适合直接栅极
驱动电路的IGBT或功率MOSFET。
3.特点
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
(9)
缓冲逻辑型（图腾柱输出）
套餐类型： SO6
输出峰值电流：
±0.6
A（最大值）
工作温度： -40 100
阈值输入电流： 7.5毫安（最大值）
传播延迟时间：吨
PHL
/t
PLH
= 200毫微秒（最大值）
共模瞬变抗扰度：
±20
千伏/微秒（分钟）
传播延迟偏斜：
±85
NS （最大值）
隔离电压： 3750 Vrms的（分钟）
4.封装和引脚分配
1 ：阳极
3 ：阴极
4 ： GND
5: V
O
（输出）
6: V
CC
11-4L1S
1
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5.内部电路（注）
图。 5.1内部电路
注意：
一个0.1 μF旁路电容必须连接引脚和6引脚4之间。
6.操作原理
6.1 。真值表
输入
H
L
LED
ON
关闭
M1
ON
关闭
M2
关闭
ON
产量
H
L
6.2 。机械参数
特征
爬电距离
间隙距离
内部绝缘厚度
民
5.0
5.0
0.4
单位
mm
2
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7.绝对最大额定值（注） （除特别注明外，T
a
= 25
)
25
特征
LED
输入正向电流
输入正向电流降额
峰值瞬态输入前锋
当前
输入反向电压
结温
峰值检波器高电平输出电流
山顶低电平输出电流
输出电压
电源电压
结温
常见的工作温度
储存温度
引线焊接温度
隔离电压
(10 s)
交流电，1分钟，
相对湿度
≤
60%, T
a
= 25
(T
a
= -40 100 ）
(T
a
= -40 100 ）
(T
a
≥
92)
符号
I
F
I
F
/T
a
I
FPT
V
R
T
j
I
OPH
I
OPL
V
O
V
CC
T
j
T
OPR
T
英镑
T
SOL
BV
S
（注3）
（注2 ）
（注2 ）
（注1 ）
记
等级
20
-0.63
1
5
125
-0.6
+0.6
35
35
125
-40至100
-55至125
260
3750
VRMS
V
单位
mA
毫安/ ℃
A
V
A
在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ "Handling Precautions" / "Derating概念和Methods" ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
注1 ：脉冲宽度（ PW ）
≤
1
s,
300 PPS
注2 ：指数波形。脉冲宽度
≤
2
s,
f
≤
10千赫，V
CC
= 20V ，T
a
= -40 100
注3：该设备被认为是一个双端器件：引脚1和3被短接在一起，并且引脚4 ， 5和6是
短接在一起。
注意：
8.推荐工作条件（注）
特征
阈值的输入电流（ L / H）
阈值输入电压（ H / L）
电源电压
峰高层次的输出电流
山顶低电平输出电流
工作温度
工作频率
符号
I
FLH
V
FHL
V
CC
I
OPH
I
OPL
T
OPR
f
（注3）
（注2 ）
记
（注1 ）
民
10
0
10
-40
典型值。
最大
15
0.8
30
-0.2
+0.2
100
250
千赫
A
单位
mA
V
推荐的工作条件被给定为所需的设计指南，得到所需
该装置的性能。每个参数都是一个独立的价值。当使用创建系统设计
该装置中，在此数据表中规定的电特性，也应考虑。
注：陶瓷电容（ 0.1
F)
应连接针6和针4之间以稳定的高的操作
增益线性放大器。否则，这种光电耦合器可能无法正常开关。旁路电容应
放置在1厘米的针。
注1：在上升和下降的输入导通电流的时间应小于0.5
s.
注2 ：表示的操作范围，而不是推荐的操作条件。
注3 ：指数波形。我
OPH
≥
-0.25 A（ ≤ 80纳秒） ，我
OPL
≤
0.25 A （ ≤ 80纳秒） ，T
a
= 100
注意：
3
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9.电气特性（注）
（除非另有规定，T
a
= -40至100
)
100
特征
输入正向电压
输入正向电压
温度COEF网络cient
输入反向电流
输入电容
峰高层次的输出电流
符号
V
F
V
F
/T
a
I
R
C
t
I
OPH
（注1 ）
记
TEST
电路
图。
12.1.1
测试条件
I
F
= 10毫安，T
a
= 25
I
F
= 10毫安
V
R
= 5 V ，T
a
= 25
V = 0 V ， F = 1 MHz时，T
a
= 25
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 15 V,
V
6-5
= 4 V
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 15 V,
V
6-5
= 10 V
山顶低电平输出电流
I
OPL
（注1 ）
图。
12.1.2
I
F
= 0 mA时，V
CC
= 15 V,
V
5-4
= 2 V
I
F
= 0 mA时，V
CC
= 15 V,
V
5-4
= 10 V
高电平输出电压
低电平输出电压
高级别电源电流
低级别的电源电流
阈值的输入电流（ L / H）
阈值输入电压（ H / L）
电源电压
V
OH
V
OL
I
CCH
I
CCL
I
FLH
V
FHL
V
CC
图。
12.1.3
图。
12.1.4
图。
12.1.5
图。
12.1.6
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 10 V,
I
O
= -100毫安
V
F
= 0.8 V, V
CC
= 10 V,
I
O
= 100毫安
I
F
= 10 mA时， V
CC
= 10 30伏，
V
O
=打开
I
F
= 0 mA时，V
CC
= 10 30伏，
V
O
=打开
V
CC
= 15 V, V
O
> 1 V
V
CC
= 15 V, V
O
＆ LT ; 1 V
民
1.40
0.2
0.4
6.0
0.8
10
典型值。
1.57
-1.8
60
-0.5
0.5
8.4
0.3
1.5
1.5
1.0
最大
1.80
10
-0.2
-0.4
1.0
3.0
3.0
7.5
30
V
mA
V
单位
V
毫伏/ ℃
A
pF
A
注意：
注意：
所有典型值是在T
a
= 25.
该器件是专为低功耗，使之更敏感， ESD比它的前辈。
特应注意在电路和印刷电路板实现的设计，以避免ESD问题。
注1 ：我
O
报名时间
≤
50
s,
单脉冲。
25
10.分离特性（除非另有规定，T
a
= 25
)
特征
总电容（输入输出）
绝缘电阻
隔离电压
符号
C
S
R
S
BV
S
记
测试条件
民
1×10
12
3750
典型值。
0.8
10
14
10000
10000
最大
VDC
单位
pF
VRMS
（注1 ）V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
（注1 ）V
S
= 500 V ，相对湿度
≤
60%
（注1 ） AC， 1分钟
AC， 1秒，在油
直流，1分钟，在油
注1：该设备被认为是一个双端器件：引脚1和3被短接在一起，并且引脚4 ， 5和6是
短接在一起。
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11.开关特性（注）
（除非另有规定，T
a
= -40至100
)
100
特征
传播延迟时间
（ L / H）
传播延迟时间
（ H / L）
传播延迟时间
（ L / H）
传播延迟时间
（ H / L）
传播延迟偏斜
（设备到设备）
脉冲宽度失真
上升时间
下降时间
共模瞬变
免疫力在输出高电平
共模瞬变
在免疫力低的输出
符号
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PSK
记
（注1 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注4 ）
TEST
电路
图。
12.1.7
测试条件
I
F
= 0
→
10毫安，V
CC
= 20 V,
R
g
= 30
,
C
g
= 1 nF的，T
a
= 25
I
F
= 10
→
0毫安，V
CC
= 20 V,
R
g
= 30
,
C
g
= 1 nF的，T
a
= 25
I
F
= 0
→
10毫安，V
CC
= 20 V,
R
g
= 30
,
C
g
= 1 nF的
I
F
= 10
→
0毫安，V
CC
= 20 V,
R
g
= 30
,
C
g
= 1 nF的
I
F
= 0
←→
10毫安，V
CC
= 20 V,
R
g
= 30
,
C
g
= 1 nF的
I
F
= 0
←→
10毫安，V
CC
= 20 V,
R
g
= 30
,
C
g
= 1 nF的
I
F
= 0
→
10毫安，V
CC
= 20 V,
R
g
= 30
,
C
g
= 1 nF的
I
F
= 10
→
0毫安，V
CC
= 20 V,
R
g
= 30
,
C
g
= 1 nF的
图。
12.1.8
V
CM
= 1000 V
p-p
, I
F
= 10毫安，
V
CC
= 20 V ，T
a
= 25,
V
O（分钟）
= 16 V
V
CM
= 1000 V
p-p
, I
F
= 0 mA时，
V
CC
= 20 V ，T
a
= 25,
V
O（最大值）
= 1 V
民
50
50
-85
±20
典型值。
120
120
120
120
5
35
15
最大
170
170
200
200
85
50
KV / μs的
单位
ns
|t
PHL
-t
PLH
| （注1 ）
t
r
t
f
CM
H
（注1 ）
（注1 ）
（注2 ）
CM
L
（注3）
±20
注：所有典型值是在T
a
= 25.
注1 ：输入信号（ F = 250 kHz时，占空比为50 ％ ，T
r
= t
f
= 5纳秒或更小）。
CL约为15 pF的，其中包括探头和杂散电容的接线。
注2 ： CM
H
是共模电压的上升，可与输出电压被保持的最大速率
在逻辑高状态（V
O
> 16 V ） 。
注3 ： CM
L
是落入共模电压的，可以与输出电压中可保持的最大速率
逻辑低状态（Ⅴ
O
< 1 V ） 。
注4：传播延迟歪斜，T
PSK
为等于在吨最坏情况下的差的量值
PHL
和/或叔
PLH
将单元之间在相同的给定条件下（电源电压，输入电流，温度等），可以看出。
5
2012-11-13
Rev.1.0
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