【TPIC44H014通道串行和并行高端前置FET驱动器SLIS088 - 1998年9月DDDDDD】,IC型号TPIC44H01DA,TPIC44H01DA PDF资料,TPIC44H01DA经销商,ic,电子元器件-51电子网

TPIC44H01

4通道串行和并行高端前置FET驱动器

SLIS088 - 1998年9月

门输出的串行或并行控制

睡眠状态下的低静态电流

独立开启状态源

短期至地面（简称负载）

检测/保护

独立开启状态过流

检测/保护带动态故障

门槛

独立关闭状态负载开路

发现

供应过电压锁定保护

异步漏极开路故障中断

终端旗故障情况。产量

可以进行逻辑或运算与多个设备

编码错误状态报告通过

串行输出端子（ 2位每通道）

可编程导通状态的故障尖峰脉冲

计时器

高阻抗CMOS兼容输入

与迟滞

故障模式的选择：输出锁存关闭

或交换的低占空比

设备可级联使用串行

接口

DA包

（ TOP VIEW ）

SD0

SDI

SCLK

AR_ENBL

GND

IN1

IN2

IN3

IN4

（ PK_A ）

（ PK_B ）

(COMP1)

(COMP2)

(COMP3)

保护地

（压水堆）

CP1

CP2

（ CP ）

GATE1

SRC1

GATE2

SRC2

GATE3

SRC3

GATE4

SRC4

FLT

RESET

(COMP4)

描述

该TPIC44H01是一个四通道高边前置FET驱动器提供串行或并行输入接口

控制四个外部NMOS功率FET 。它被设计为在低频率开关应用中使用

电阻性或电感性负载，包括电磁阀和白炽灯泡。

每个通道均具有过流，短路至地，负载开路检测通过FLT引脚的标记

并通过串行接口区分开。过电流阈值，通过V设置

（ PK_x ）

和

(COMP1-4)

销。短路至接地和开路负载阈值被内部设置为大约2.5伏。

AR_ENBL引脚用于在故障状态下，以限定所述装置的操作，使输出对任

锁关闭或进入低占空比，自动重试模式。在V的过压闭锁电路

（压水堆）

保护

设备与外部FET 。一种低电流休眠状态模式被设置以允许TPIC44H01使用

在应用中，其中V

（压水堆）

被直接连接到电池。内部电荷泵允许使用

N沟道FET的高侧驱动器应用程序，而限流门极驱动提供斜率控制，可降低

RFI 。

通过具有开发一个动态的过电流阈值的独特能力，该TPIC44H01可以用来驱动

白炽灯泡长的浪涌电流而不虚假标记故障。同样，用户可以选择一个

通过拉动各V内部设置的过电流阈值的 1.25 V

(COMP1-4)

引脚到V

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

TI是德州仪器的商标。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

1998年，德州仪器

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达拉斯，德克萨斯州75265

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描述（续）

8位串行外设接口（SPI）允许用户在命令任何的四个输出开或关，以

节目八种可能的负载开路的，过流，短路和负载故障抗尖峰脉冲定时器的设置，以

从事睡眠状态。数据的时钟在SCLK的上升沿SDI引脚和时钟输出的SDO的

脚在SCLK下降沿。串行输入位逻辑或运算与IN1 - IN4并行输入引脚。串行

接口还用于读取正常负载，负载开路，过电流，并且短到地面条件对每个

通道。过电压时， FLT引脚为低电平闭锁可被检测，也没有位在SDO的寄存器中设置。

多TPIC44H01设备可以使用串行接口来进一步减少I / O线可以级联在一起

主机控制器。

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原理图/方框图

0.01

（ PK_B ）

PEAK

卜FF器

AR_ENBL PGND CP1 CP

PEAK

卜FF器

OVD的V

thres1

CP2 V

（ CP ）

0.1

OVLO

peakB

OSC

OVLO

OVD的V

thres2

的OVD吨

peakB

(COMP3)

OVD的V

THRES

GENERATION

peakB

(COMP4)

FLT

栅极驱动和

故障保护逻辑

OVD的V

THRES

GENERATION

OVD的V

thres4

OVD的V

thres3

5 -V诠释

的OVD

THRES

COMP

–

在-V

检测

–

0.1

收费

泵

OVLO

5 -V诠释

5-V

REG

（压水堆）

（ PK_A ）

(COMP1)

PEAKA

OVD的V

THRES

GENERATION

PEAKA

(COMP2)

OVD的V

THRES

GENERATION

门

控制

HS门

DRIVE

7 -V诠释

–

COMP

–

2 V

GATE1

通道1

产量

在国家的短期

负载检测

断态开路

负载检测

SRC1

100

IN1

IN2

GATE2

IN3

通道2输出

SRC2

IN4

CHANNEL OUTPUT 3

RESET

睡觉

2 V

故障逻辑

SCLK

电荷泵

OSC

SDI

串行移位寄存器

数字尖峰脉冲

UVLO /

POR

带隙

CHANNEL OUTPUT 4

SRC4

BIAS

睡觉

全球

IBIAS

SRC3

GATE4

GATE3

平行注册

控制REG

三态缓冲器

SDO

GND

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负载

CLK

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终端功能

针

号

针

名字

I / O

描述

片选。 CS是一个具有内部上拉低电平有效，逻辑电平输入。 CS为逻辑低电平使能

串行接口，并刷新故障中断（ FLT ）。高在CS使串行寄存器作为

故障数据寄存器。

串行数据输出。 SDO是该故障的数据传送到主控制器的逻辑电平，三态输出。串行

输入的数据传送到用于级联操作的下一阶段。 SDO是被迫进入一个高交流阻抗状态，当

CS端子处于高状态。当CS为低电平状态，数据的同步输出，在SCLK的每一个下降沿。

串行数据输入。 SDI是滞后和内部下拉一个逻辑电平输入。栅极驱动输出控制

数据移入采用SDI串行寄存器。高的SDI位程序在一个特定的门的输出，和一

低，将其关闭，只要在并行输入是否关闭（或功能）。

串行时钟。 SCLK是滞后和内部下拉一个逻辑电平输入。在SDI SCLK时钟数据

终端到输入串行移位的每个上升沿登记，并移出故障数据（和串行输入数据

级联操作），在每个下降沿SDO引脚。

自动重试启用。 AR_ENBL是滞后和内部下拉一个逻辑电平输入。当

AR_ENBL = 0时，过电流/短路至接地故障锁存通道关闭。当AR_ENBL = 1时，一

过电流/短路到接地故障接合的低占空比工作。

模拟地和基板的连接

并行输入。 IN1-4与滞后和内部下拉逻辑电平输入。 IN1-4提供实时

控制栅极的预驱动器电路。在IN1-4高将打开相应的门极驱动输出（ GATE1-4 ）。

门的输出状态是的并行输入端和串行输入比特的逻辑OR功能。

5 V逻辑电源电压

动态的过流故障阈值电压的峰值是由通道1和通道2共享

动过电流故障阈值的峰值电压是受信道3和4共享

故障参考电压。 V（ COMP1-4 ）被用于提供外部故障的参考电压为

过电流的故障检测电路。它也被用来生成一个动态阈值一起使用时

与V（ PK_x ）。保证V（ COMP）的稳定性，至少100pF的电容应放在从

V（ COMP）接地。

复位。 RESET是滞后和内部上拉低电平有效，逻辑电平输入。在复位清零低

所有的寄存器和故障位。所有门的输出被关断和一个锁存FLT中断被清除。

故障中断。 FLT为低电平有效，逻辑电平，开漏输出，可提供实时锁定故障中断

用于故障检测。一个锁存FLT仅由一个低CS清除。该FLT终端可与其他可进行逻辑或运算

故障设备的中断处理。外部上拉是必需的。

FET源输入。这些输入被用于两个负载开路和过电流故障检测在源

的外部FET 。

栅极驱动器输出。输出电压从V （CP）的电源电压得到的。内部夹子防止电压

在这些节点，相对于SRC1-4 ，从超过最FET的VGS额定值。

电荷泵电压存储电容和电源引脚为高侧栅极驱动器

电荷泵电容器端子

电源电压输入

电源地的电荷泵

SDO

SDI

SCLK

AR_ENBL

7–10

GND

IN1-4

14–17

VCC

V（ PK_A ）

V（ PK_B ）

V(COMP1-4)

RESET

FLT

20, 22,

24, 26

21, 23,

25, 27

SRC1-4

GATE1-4

V（ CP ）

CP2

CP1

V（ PWR ）

保护地

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SLIS088 - 1998年9月

在工作自由空气的温度绝对最大额定值（除非另有说明）

逻辑电源电压范围，V

（见注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 - 0.3 V至7 V

电源电压范围，V

（压水堆）

（见注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 - 0.3 V至40 V

输入电压范围，V

（见注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 - 0.3 V至7 V

输出电压范围，V

（ SDO和FLT ，见注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 - 0.3 V至7 V

源的输入电压，V

我（ SRCx ）

（见注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 - 3 V至40 V

输出电压V

O（ GATEx ）

（见注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 - 0.3 V至45 V

逻辑输入电流，I

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

工作温度范围内，T

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 - 40 ° C至125°C

工作结温范围，T

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 - 40℃ 150℃

存储温度范围，T

英镑

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 - 65 ℃150 ℃的

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注1 ：所有的电压值是相对于GND 。

推荐工作条件

民

逻辑电源电压VCC

电源电压V （PWR）

高逻辑电平输入电压， VIH （所有的逻辑输入，除了RESET ）

低逻辑电平输入电压， VIL （所有的逻辑输入，除了RESET ）

建立时间， SDI前SCLK上升沿高， TSU （见图5）

保持时间后SCLK上升沿SDI高，日（见图5）

工作温度的情况下， TC

4.5

0.7×VCC

– 40

125

典型值

最大

5.5

VCC

0.3×VCC

单位

°C

热阻

参数

θJA

θJC

结至环境热阻

结到外壳热阻

测试条件

采用JEDEC ，低K，电路板配置

民

典型值

86.04

7.32

最大

单位

° C / W

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