【半导体TBN4226系列硅NPN晶体管SOT-323以毫米单位2.1±0.11.25±0.05□应用】,IC型号TBN4226KF,TBN4226KF PDF资料,TBN4226KF经销商,ic,电子元器件-51电子网

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半导体

TBN4226系列

硅NPN晶体管

SOT-323

以毫米单位

2.1±0.1

1.25±0.05

□

应用

- VHF和UHF低噪声放大器

- 宽带放大器

2.0±0.2

1.30±0.1

1

3

2

0.30±0.1

0.1分钟。

□

特点

- 高增益带宽积

f

T

= 6 GHz的在V

CE

= 3 V，I

C

= 7毫安

f

T

= 8 GHz的在V

CE

= 3 V，I

C

= 30毫安

- 高功率增益

- 低噪声系数

NF = 1.2分贝V

CE

= 3 V，I

C

= 7 mA时， F = 1 GHz的

|S

21

|

2

= 9.0分贝在V

CE

= 3 V，I

C

= 7 mA时， F = 1 GHz的

0.90±0.1

引脚配置

1.基地

2.辐射源

3.收集

□

绝对最大额定值

(T

A

= 25

℃)

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

总功耗

工作结温

储存温度

符号

BV

CBO

BV

首席执行官

BV

EBO

I

C

P

合计

T

j

T

英镑

评级

20

8

3

100

150

150

-65 ~ 150

单位

V

V

V

mA

mW

℃

℃

小心

:

静电放电

敏感设备

0~0.1

0.15±0.05

1

TBN4226系列

□

电气特性

(T

A

= 25

℃)

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

增益带宽积

插入功率增益

噪声系数

反向传输电容

符号

I

CBO

I

EBO

h

FE

f

T

|S

21

|

2

NF

C

re

测试条件

V

CB

= 15 V，I

E

= 0毫安

V

EB

= 2 V，I

C

= 0毫安

V

CE

= 3 V，I

C

= 7毫安

V

CE

= 3 V，I

C

= 7毫安

V

CE

= 3 V，I

C

= 7 mA时， F = 1 GHz的

V

CE

= 3 V，I

C

= 7 mA时， F = 1 GHz的

V

CB

= 3 V，I

E

= 0 mA时， F = 1兆赫

分钟。

-

-

70

4.0

7.0

-

-

典型值。

-

-

100

6.0

9.0

1.2

0.9

马克斯。

0.5

0.5

250

-

-

2.0

1.4

GHz的

dB

dB

pF

单位

□

h

FE

分类

记号

h

FE

价值

SM2

70 - 140

SM1

125 - 250

□

可用软件包

产品

TBN4226S

TBN4226U

TBN4226E

TBN4226KF

包

SOT-23

SOT-323

SOT-523

SOT-623F

以毫米单位

维

2.9

ⅹ

1.3, 1.2t

2.0

ⅹ

1.25, 1.0t

1.6

ⅹ

0.8, 0.8t

1.4

ⅹ

0.8, 0.6t

2

TBN4226系列

□

典型特征（T

A

= 25

℃

除非另有规定编）

总功耗

- 环境温度

反向传输电容，C

re

（PF ）

250

反向传输电容

与集电极 - 基极电压

1.4

总功率耗散，P

合计

（ mW）的

自由的空气

200

F = 1 MHz的

1.2

150

1.0

100

0.8

50

0.6

0

0

25

50

75

100

o

125

150

0.4

0

2

4

6

8

10

12

环境温度，T

A

( C)

集电极 - 基极电压，V

CB

(V)

直流电流增益

与集电极电流

200

V

CE

= 3 V

150

集电极电流

与基地发射极电压

30

25

V

CE

= 3 V

集电极电流，I

C

（MA ）

1

10

100

直流电流增益，H

FE

20

15

10

5

0

0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0

100

50

0

0.1

集电极电流，I

C

（MA ）

基地发射极电压，V

BE

(V)

3

TBN4226系列

集电极电流

与集电极到发射极电压

80

I

B

步= 100

A

14

增益带宽积

与集电极电流

V

CE

= 3 V

增益带宽积，女

T

（千兆赫）

70

12

10

8

6

4

2

0

集电极电流，I

C

（MA ）

60

50

40

30

20

10

0

0

1

2

3

4

5

6

7

1

10

100

集电极到发射极电压，V

CE

(V)

集电极电流，I

C

（MA ）

插入功率增益

与频率的关系

30

25

20

15

10

5

0

0.1

插入功率增益

与集电极电流

16

插入功率增益| S

21

| （ dB）的

插入功率增益| S

21

| （ dB）的

V

CE

= 3 V

I

C

= 7毫安

14

12

10

8

6

4

2

0

1

V

CE

= 3 V

F = 1 GHz的

2

1

频率（GHz ）

10

2

10

100

集电极电流，I

C

（MA ）

4

TBN4226系列

最大可用增益

与集电极电流

20

噪声系数

与集电极电流

6

最大可用增益， MAG （分贝）

18

16

14

12

10

8

6

4

2

0

1

V

CE

= 3 V

F = 1GHz的

5

V

CE

= 3 V

F = 1 GHz的

噪声系数NF （ dB）的

10

100

4

3

2

1

0

0.1

1

10

100

集电极电流，I

C

（MA ）

集电极电流，I

C

（MA ）

噪声参数与频率的关系

频率

（千兆赫）

0.9

1.0

1.5

2.0

FMIN （ dB）的

1.27

1.16

1.79

1.91

rn

0.11

0.09

0.08

0.11

Γ

选择

MAG

0.290

0.301

0.436

0.543

相

144.4

141.3

-162.9

-143.2

公会增益

（ dB）的

11.58

10.60

8.13

6.45

G

最大

（ dB）的

12.98

11.83

8.57

6.89

5

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