TCDT1110(G)
威世德律风根
光电耦合器与光电晶体管输出
描述
该TCDT1110 （G ）由一个光电晶体管的
光耦合到一个砷化镓infrared-
发光二极管采用6引脚塑料双列直插式封装。
的元件被安装在一个引线框架用
a
共面技术，
提供一个固定的距离
输入和输出，用于最高安全性之间
要求。
应用
电路，用于对安全防护隔离
根据安全等级Ⅱ电击
（增强型隔离） ：
14827
D
对于APPL 。一流的I - IV的电源电压
≤
300 V
D
对于APPL 。 I类 - III在电源电压
≤
600 V
根据VDE 0884 ，表2 ，适用于：
开关模式电源供应器，线路接收器，
电脑外设接口，微处理器
系统接口。
nc
6
C
5
E
4
VDE标准
这些耦合器根据安全功能进行
到以下设备标准：
94 9222
D
VDE 0884
光电耦合器的电气安全要求
1
A (+)
2
C (–)
3
nc
D
950 IEC / EN 60950
办公设备（适用于增强型隔离
对于电源电压
≤
400 V
RMS
)
D
VDE 0804
电信
处理
设备
和
数据
D
IEC 65
为了安全电源操作的电子及相关
家庭设备
订购说明
订购代码
点击率排行
TCDT1110 / TCDT1110G
1)
> 100 ％
1)
G = Leadform 10.16毫米; G的未上市对身体
备注
216
牧师A3 ， 11 -JAN- 99
TCDT1110(G)
威世德律风根
特点
认证：
D
额定经常峰值电压（重复）
V
IORM
= 600 V
RMS
D
根据漏电电流电阻
VDE 0303 / IEC 112
相比漏电起痕指数： CTI
= 275
D
通过保温层厚度
≥
0.75 mm
一般特征：
D
BSI ：
BS EN 41003 ， BS EN 60095 （ BS 415 ）
BS EN 60950 （ BS 7002 ）
证书编号7081和7402
D
FIMKO
（ SETI ） ： EN 60950 ，
证书编号12399
D
美国保险商实验室
（ UL ） 1577认可，
文件编号E- 76222
D
VDE
0884 ，证书编号94778
VDE 0884相关的功能：
D
额定脉冲电压（瞬态过电压）
V
IOTM
= 6千伏高峰
D
隔离测试电压（局部放电试验
电压）V
pd
= 1.6千伏
D
额定隔离电压（有效值包括直流）
V
IOWM
= 600 V
RMS
（ 848 V峰值）
D
根据UL94 -VO绝缘材料
D
污染等级2 （ DIN / VDE 0110 RESP 。 IEC 664 ）
D
气候分类55/100/21 （ IEC 68部分1 ）
D
特殊的结构：
。因此，特低耦合电容
典型的0.3 pF的，高
共模抑制
D
CTR的低温度系数
D
基部不连
D
耦合系统A
绝对最大额定值
INPUT （发射器）
参数
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
V
T
j
价值
6
60
3
100
125
单位
V
mA
A
mW
°
C
t
p
/T
≤
10
m
s
T
AMB
≤
25
°
C
输出（检测器）
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
V
T
j
价值
70
7
50
100
150
125
单位
V
V
mA
mA
mW
°
C
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
T
AMB
≤
25
°
C
耦合器
参数
隔离测试电压（有效值）
总功耗
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
测试条件
T = 1分
T
AMB
≤
25
°
C
符号
V
IO
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
sd
价值
3.75
250
-55到+100
-55到+125
260
单位
kV
mw
°
C
°
C
°
C
2毫米的情况下，T
≤
10 s
牧师A3 ， 11 -JAN- 99
217
TCDT1110/TCDT1110G
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出
特点
额外的低耦合能力 - 典型0.2 pF的
高共模抑制
CTR的低温度系数
17201_1
NC
6
C
5
E
4
基本没有连接
铅（Pb） -free组件
e3
V
D E
1
A (+)
2
C (–)
3
NC
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
应用
开关模式电源
线路接收器
计算机外设接口
微处理器系统接口
电路用于对安全防护隔离
根据安全等级Ⅱ电击
（增强型隔离） ：
- 对APPL 。一流的I - IV的电源电压
≤
300 V
- 对APPL 。 I类 - III在电源电压
≤
600 V
根据DIN EN 60747-5-5 。
描述
该
TCDT1110/TCDT1110G
由
of
a
光电晶体管的光耦合到砷化镓
在一个6引脚塑料双列直插式封装的红外发光二极管。
的元件提供输入和之间的固定距离
输出最高安全要求。
VDE标准
这些成色根据执行安全功能
以下设备标准：
DIN EN 60747-5-5
光电耦合器的电气安全要求
IEC 60950 / EN 60950
办公设备（适用于钢筋隔离电源
电压
≤
400 V
RMS
)
VDE 0804
电信设备和数据处理
IEC 60065
为了安全电源操作
家庭设备
电子
和
相关
机构认证
UL1577 ，文件号E76222系统代码A，双
保护
BSI IEC 60950 ; IEC 60065
DIN EN 60747-5-5待定
FIMKO
订购信息
部分
TCDT1110
TCDT1110G
记
G = leadform 10.16毫米; G不是标明阀体上。
(1)
备注
CTR > 100 ％ ， DIP - 6
CTR > 100 ％ ， DIP - 6
绝对最大额定值
参数
输入
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
测试条件
符号
V
R
I
F
价值
6
60
3
100
125
单位
V
mA
A
mW
°C
t
p
/T
≤
10 s
I
FSM
P
DISS
T
j
文档编号： 83531
修订版1.8 ， 16 08年5月
如有技术问题，请联系： optocouplers.answers@vishay.com
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783
TCDT1110/TCDT1110G
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管
产量
(1)
绝对最大额定值
参数
产量
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
耦合器
隔离测试电压（有效值）
总功耗
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
(2)
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
价值
70
7
50
100
150
125
5300
250
- 55至+ 100
- 55至+ 125
260
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
V
RMS
mw
°C
°C
°C
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
I
CM
P
DISS
T
j
T = 1分
V
ISO
P
合计
T
AMB
T
英镑
2毫米从案例吨
≤
10 s
T
SLD
笔记
(1)
T
AMB
= 25°C除非另有规定。超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。
该设备的功能操作不是在这些或任何其他条件超出那些在这个业务部门给出的暗示
文档。暴露在绝对最大额定值的时间过长可能产生不利影响的可靠性。
(2)
请参阅波资料为通孔器件焊接条件。
电气特性
参数
输入
正向电压
结电容
产量
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极 - 发射极截止电流
耦合器
集电极 - 发射极饱和电压
截止频率
耦合电容
I
F
= 10 mA时，我
C
- 0.5毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安，R
L
= 1
Ω
F = 1 MHz的
V
CESAT
f
c
C
k
110
0.3
0.3
V
千赫
pF
I
C
= 1毫安
I
E
= 100 A
V
CE
= 30 V，I
F
= 0
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
70
7
150
V
V
nA
I
F
= 50毫安
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
V
F
C
j
1.2
50
1.5
V
pF
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
T
AMB
= 25°C除非另有规定。
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
电流传输比
参数
I
C
/I
F
测试条件
V
CE
= 20 V，I
F
= 10毫安
符号
CTR
分钟。
100
典型值。
马克斯。
单位
%
最高安全评级
参数
输入
正向电流
产量
功耗
耦合器
额定脉冲电压
安全温度
I
F
P
DISS
V
IOTM
T
si
130
265
6
150
mA
mW
kV
°C
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
根据DIN EN 60747-5-5见图1。这是光电耦合器适用于安全电隔离只能在安全评级。合规
与安全评级，由适当的保护电路装置来保证。
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784
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文档编号： 83531
修订版1.8 ， 16 08年5月
TCDT1110/TCDT1110G
光电耦合器，光电晶体管
产量
绝缘额定参数
参数
局部放电试验电压 -
例行试验
局部放电试验电压 -
很多试验（样品测试）
测试条件
100 %, t
TEST
= 1 s
t
Tr
= 60 S，T
TEST
= 10 s,
（参见图2）
V
IO
= 500 V
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 200 °C
（仅适用于建筑试验）
威世半导体
符号
V
pd
V
IOTM
V
pd
R
IO
R
IO
R
IO
分钟。
1.6
6
1.3
10
12
10
11
10
9
典型值。
马克斯。
单位
kV
kV
kV
Ω
Ω
Ω
300
250
200
150
100
I
si
（MA ）
50
0
0
95 10934
V
IOTM
P
si
（ mW）的
t
1
, t
2
t
3
, t
4
t
TEST
t
STRES
V
Pd
V
IOWM
V
IORM
= 1至10秒
=1s
= 10 s
= 12 s
0
25
50
75
100 125 150 175 200
13930
t
3
t
TEST
t
4
t
1
t
Tr
= 60 s
t
2
t
STRES
t
T
AMB
- Ambeint温度（ ℃）
图。 3 - 降额图
图。 4 - 测试脉冲图的样品测试根据
DIN EN 60747-5-5 / DIN EN 60747- ; IEC 60747
开关特性
参数
打开-O FF时间
开启时间
打开-O FF时间
开启时间
测试条件
V
S
= 10 V，I
C
= 2毫安，
R
L
= 100
Ω
（参见图3）
V
S
= 10 V，I
C
= 2毫安，
R
L
= 100
Ω
（参见图3）
V
S
= 10 V，I
F
= 10毫安，R
L
= 1 kΩ
（见图4）
V
S
= 10 V，I
F
= 10毫安，R
L
= 1 kΩ
（见图4）
符号
t
关闭
t
on
t
关闭
t
on
分钟。
典型值。
15.0
15.0
18.0
9.0
马克斯。
单位
s
s
s
s
0
I
F
I
F
+ 10 V
I
C
= 2毫安;通过调整
输入幅度
0
I
F
I
F
= 10毫安
+ 10 V
I
C
R
G
= 50
t
p
= 0.01
T
t
p
= 50 s
通道I
道II
50
100
示波器
R
L
1 M
C
L
20 pF的
R
G
= 50
t
p
= 0.01
T
t
p
= 50 s
通道I
道II
50
1k
示波器
R
L
1 M
C
L
20 pF的
95 10889
95 10898
图。 5 - 测试电路，非饱和运算
图。 6 - 测试电路，饱和运算
文档编号： 83531
修订版1.8 ， 16 08年5月
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TCDT1110/TCDT1110G
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管
产量
I
F
0
I
C
100
%
90
%
t
p
t
10
%
0
t
r
t
d
t
on
t
p
t
d
t
r
t
on
(= t
d
+ t
r
)
脉冲持续时间
延迟时间
上升时间
开启时间
t
s
t
f
t
关闭
t
s
t
f
t
关闭
(= t
s
+ t
f
)
贮存时间
下降时间
打开-O FF时间
96 11698
t
图。 7 - 开关时间
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
CTR
REL
- 相对电流传输比
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
300
电荷耦合器件
250
200
PHOTOTRANSISTOR
150
100
50
0
0
40
80
120
红外二极管
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
- 30 - 20 - 10 0 10 20 30 40 50 60 70
80
V
CE
= 10
V
I
F
= 10毫安
96 11700
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
96 11874
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 8 - 总功率耗散与环境温度
图。 10 - 相对电流传输比与环境温度
1000
10 000
I
首席执行官
- 集电极暗电流
同
开基（ NA）
V
CE
= 30
V
I
F
= 0 A
I
F
- 正向电流（mA ）
100
1000
10
100
1
10
0.1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
96 11862
1
0
25
50
75
100
V
F
- 前进
电压
(V)
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 9 - 正向电流与正向电压
图。 11 - 集电极暗电流与环境温度
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文档编号： 83531
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TCDT1110/TCDT1110G
光电耦合器，光电晶体管
产量
威世半导体
CTR - 电流传输比（ ％ ）
100
1000
V
CE
= 20
V
I
C
- 集电极电流（毫安）
V
CE
= 10
V
10
100
1
10
0.1
0.01
0.1
96 11904
1
10
100
1
0.1
1
10
100
I
F
- 正向电流（mA ）
95 10976
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 12 - 集电极电流与正向电流
图。 15 - 电流传输比与正向电流
I
C
- 集电极电流（毫安）
20毫安
I
F
= 50毫安
10
10毫安
5毫安
2毫安
1毫安
0.1
0.1
1
10
100
t
on
/t
关闭
- 导通/关断时间（μs ）
100
50
饱和运算
V
S
= 5
V
R
L
= 1 kΩ
40
30
t
关闭
20
10
0
0
5
10
15
t
on
20
1
95 10985
V
CE
- 集电极发射极
电压
(V)
95 10974
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 13 - 集电极电流与集电极发射极电压
图。 16 - 导通/关断时间与正向电流
t
on
/t
关闭
- 导通/关断时间（μs ）
1.0
20
非饱和
手术
V
S
= 10
V
R
L
= 100
Ω
t
关闭
10
t
on
5
V
CESAT
- 集电极发射极
饱和
电压
(V)
0.8
20
％使用
0.6
CTR = 50
%
二手
0.4
0.2
10
％使用
0
1
10
100
15
0
0
2
4
6
8
10
95 10972
I
C
- 集电极电流（毫安）
95 10975
I
C
- 集电极（MA ）
图。 14 - 集电极发射极饱和电压与集电极电流
图。 17 - 导通/关断时间与集电极电流
文档编号： 83531
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TCDT1110(G)
威世德律风根
光电耦合器与光电晶体管输出
描述
该TCDT1110 （G ）由一个光电晶体管的
光耦合到一个砷化镓infrared-
发光二极管采用6引脚塑料双列直插式封装。
的元件被安装在一个引线框架用
a
共面技术，
提供一个固定的距离
输入和输出，用于最高安全性之间
要求。
应用
电路，用于对安全防护隔离
根据安全等级Ⅱ电击
（增强型隔离） ：
14827
D
对于APPL 。一流的I - IV的电源电压
≤
300 V
D
对于APPL 。 I类 - III在电源电压
≤
600 V
根据VDE 0884 ，表2 ，适用于：
开关模式电源供应器，线路接收器，
电脑外设接口，微处理器
系统接口。
nc
6
C
5
E
4
VDE标准
这些耦合器根据安全功能进行
到以下设备标准：
94 9222
D
VDE 0884
光电耦合器的电气安全要求
1
A (+)
2
C (–)
3
nc
D
950 IEC / EN 60950
办公设备（适用于增强型隔离
对于电源电压
≤
400 V
RMS
)
D
VDE 0804
电信
处理
设备
和
数据
D
IEC 65
为了安全电源操作的电子及相关
家庭设备
订购说明
订购代码
点击率排行
TCDT1110 / TCDT1110G
1)
> 100 ％
1)
G = Leadform 10.16毫米; G的未上市对身体
备注
216
牧师A3 ， 11 -JAN- 99
TCDT1110(G)
威世德律风根
特点
认证：
D
额定经常峰值电压（重复）
V
IORM
= 600 V
RMS
D
根据漏电电流电阻
VDE 0303 / IEC 112
相比漏电起痕指数： CTI
= 275
D
通过保温层厚度
≥
0.75 mm
一般特征：
D
BSI ：
BS EN 41003 ， BS EN 60095 （ BS 415 ）
BS EN 60950 （ BS 7002 ）
证书编号7081和7402
D
FIMKO
（ SETI ） ： EN 60950 ，
证书编号12399
D
美国保险商实验室
（ UL ） 1577认可，
文件编号E- 76222
D
VDE
0884 ，证书编号94778
VDE 0884相关的功能：
D
额定脉冲电压（瞬态过电压）
V
IOTM
= 6千伏高峰
D
隔离测试电压（局部放电试验
电压）V
pd
= 1.6千伏
D
额定隔离电压（有效值包括直流）
V
IOWM
= 600 V
RMS
（ 848 V峰值）
D
根据UL94 -VO绝缘材料
D
污染等级2 （ DIN / VDE 0110 RESP 。 IEC 664 ）
D
气候分类55/100/21 （ IEC 68部分1 ）
D
特殊的结构：
。因此，特低耦合电容
典型的0.3 pF的，高
共模抑制
D
CTR的低温度系数
D
基部不连
D
耦合系统A
绝对最大额定值
INPUT （发射器）
参数
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
V
T
j
价值
6
60
3
100
125
单位
V
mA
A
mW
°
C
t
p
/T
≤
10
m
s
T
AMB
≤
25
°
C
输出（检测器）
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
V
T
j
价值
70
7
50
100
150
125
单位
V
V
mA
mA
mW
°
C
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
T
AMB
≤
25
°
C
耦合器
参数
隔离测试电压（有效值）
总功耗
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
测试条件
T = 1分
T
AMB
≤
25
°
C
符号
V
IO
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
sd
价值
3.75
250
-55到+100
-55到+125
260
单位
kV
mw
°
C
°
C
°
C
2毫米的情况下，T
≤
10 s
牧师A3 ， 11 -JAN- 99
217
TCDT1110/TCDT1110G
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出
特点
额外的低耦合能力 - 典型0.2 pF的
高共模抑制
CTR的低温度系数
17201_1
NC
6
C
5
E
4
基本没有连接
铅（Pb） -free组件
e3
V
D E
1
A (+)
2
C (–)
3
NC
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
应用
开关模式电源
线路接收器
计算机外设接口
微处理器系统接口
电路用于对安全防护隔离
根据安全等级Ⅱ电击
（增强型隔离） ：
- 对APPL 。一流的I - IV的电源电压
≤
300 V
- 对APPL 。 I类 - III在电源电压
≤
600 V
根据DIN EN 60747-5-5 。
描述
该
TCDT1110/TCDT1110G
由
of
a
光电晶体管的光耦合到砷化镓
在一个6引脚塑料双列直插式封装的红外发光二极管。
的元件提供输入和之间的固定距离
输出最高安全要求。
VDE标准
这些成色根据执行安全功能
以下设备标准：
DIN EN 60747-5-5
光电耦合器的电气安全要求
IEC 60950 / EN 60950
办公设备（适用于钢筋隔离电源
电压
≤
400 V
RMS
)
VDE 0804
电信设备和数据处理
IEC 60065
为了安全电源操作
家庭设备
电子
和
相关
机构认证
UL1577 ，文件号E76222系统代码A，双
保护
BSI IEC 60950 ; IEC 60065
DIN EN 60747-5-5待定
FIMKO
订购信息
部分
TCDT1110
TCDT1110G
记
G = leadform 10.16毫米; G不是标明阀体上。
(1)
备注
CTR > 100 ％ ， DIP - 6
CTR > 100 ％ ， DIP - 6
绝对最大额定值
参数
输入
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
测试条件
符号
V
R
I
F
价值
6
60
3
100
125
单位
V
mA
A
mW
°C
t
p
/T
≤
10 s
I
FSM
P
DISS
T
j
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TCDT1110/TCDT1110G
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管
产量
(1)
绝对最大额定值
参数
产量
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
耦合器
隔离测试电压（有效值）
总功耗
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
(2)
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
价值
70
7
50
100
150
125
5300
250
- 55至+ 100
- 55至+ 125
260
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
V
RMS
mw
°C
°C
°C
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
I
CM
P
DISS
T
j
T = 1分
V
ISO
P
合计
T
AMB
T
英镑
2毫米从案例吨
≤
10 s
T
SLD
笔记
(1)
T
AMB
= 25°C除非另有规定。超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。
该设备的功能操作不是在这些或任何其他条件超出那些在这个业务部门给出的暗示
文档。暴露在绝对最大额定值的时间过长可能产生不利影响的可靠性。
(2)
请参阅波资料为通孔器件焊接条件。
电气特性
参数
输入
正向电压
结电容
产量
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极 - 发射极截止电流
耦合器
集电极 - 发射极饱和电压
截止频率
耦合电容
I
F
= 10 mA时，我
C
- 0.5毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安，R
L
= 1
Ω
F = 1 MHz的
V
CESAT
f
c
C
k
110
0.3
0.3
V
千赫
pF
I
C
= 1毫安
I
E
= 100 A
V
CE
= 30 V，I
F
= 0
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
70
7
150
V
V
nA
I
F
= 50毫安
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
V
F
C
j
1.2
50
1.5
V
pF
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
T
AMB
= 25°C除非另有规定。
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
电流传输比
参数
I
C
/I
F
测试条件
V
CE
= 20 V，I
F
= 10毫安
符号
CTR
分钟。
100
典型值。
马克斯。
单位
%
最高安全评级
参数
输入
正向电流
产量
功耗
耦合器
额定脉冲电压
安全温度
I
F
P
DISS
V
IOTM
T
si
130
265
6
150
mA
mW
kV
°C
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
根据DIN EN 60747-5-5见图1。这是光电耦合器适用于安全电隔离只能在安全评级。合规
与安全评级，由适当的保护电路装置来保证。
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TCDT1110/TCDT1110G
光电耦合器，光电晶体管
产量
绝缘额定参数
参数
局部放电试验电压 -
例行试验
局部放电试验电压 -
很多试验（样品测试）
测试条件
100 %, t
TEST
= 1 s
t
Tr
= 60 S，T
TEST
= 10 s,
（参见图2）
V
IO
= 500 V
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 200 °C
（仅适用于建筑试验）
威世半导体
符号
V
pd
V
IOTM
V
pd
R
IO
R
IO
R
IO
分钟。
1.6
6
1.3
10
12
10
11
10
9
典型值。
马克斯。
单位
kV
kV
kV
Ω
Ω
Ω
300
250
200
150
100
I
si
（MA ）
50
0
0
95 10934
V
IOTM
P
si
（ mW）的
t
1
, t
2
t
3
, t
4
t
TEST
t
STRES
V
Pd
V
IOWM
V
IORM
= 1至10秒
=1s
= 10 s
= 12 s
0
25
50
75
100 125 150 175 200
13930
t
3
t
TEST
t
4
t
1
t
Tr
= 60 s
t
2
t
STRES
t
T
AMB
- Ambeint温度（ ℃）
图。 3 - 降额图
图。 4 - 测试脉冲图的样品测试根据
DIN EN 60747-5-5 / DIN EN 60747- ; IEC 60747
开关特性
参数
打开-O FF时间
开启时间
打开-O FF时间
开启时间
测试条件
V
S
= 10 V，I
C
= 2毫安，
R
L
= 100
Ω
（参见图3）
V
S
= 10 V，I
C
= 2毫安，
R
L
= 100
Ω
（参见图3）
V
S
= 10 V，I
F
= 10毫安，R
L
= 1 kΩ
（见图4）
V
S
= 10 V，I
F
= 10毫安，R
L
= 1 kΩ
（见图4）
符号
t
关闭
t
on
t
关闭
t
on
分钟。
典型值。
15.0
15.0
18.0
9.0
马克斯。
单位
s
s
s
s
0
I
F
I
F
+ 10 V
I
C
= 2毫安;通过调整
输入幅度
0
I
F
I
F
= 10毫安
+ 10 V
I
C
R
G
= 50
t
p
= 0.01
T
t
p
= 50 s
通道I
道II
50
100
示波器
R
L
1 M
C
L
20 pF的
R
G
= 50
t
p
= 0.01
T
t
p
= 50 s
通道I
道II
50
1k
示波器
R
L
1 M
C
L
20 pF的
95 10889
95 10898
图。 5 - 测试电路，非饱和运算
图。 6 - 测试电路，饱和运算
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TCDT1110/TCDT1110G
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管
产量
I
F
0
I
C
100
%
90
%
t
p
t
10
%
0
t
r
t
d
t
on
t
p
t
d
t
r
t
on
(= t
d
+ t
r
)
脉冲持续时间
延迟时间
上升时间
开启时间
t
s
t
f
t
关闭
t
s
t
f
t
关闭
(= t
s
+ t
f
)
贮存时间
下降时间
打开-O FF时间
96 11698
t
图。 7 - 开关时间
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
CTR
REL
- 相对电流传输比
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
300
电荷耦合器件
250
200
PHOTOTRANSISTOR
150
100
50
0
0
40
80
120
红外二极管
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
- 30 - 20 - 10 0 10 20 30 40 50 60 70
80
V
CE
= 10
V
I
F
= 10毫安
96 11700
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
96 11874
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 8 - 总功率耗散与环境温度
图。 10 - 相对电流传输比与环境温度
1000
10 000
I
首席执行官
- 集电极暗电流
同
开基（ NA）
V
CE
= 30
V
I
F
= 0 A
I
F
- 正向电流（mA ）
100
1000
10
100
1
10
0.1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
96 11862
1
0
25
50
75
100
V
F
- 前进
电压
(V)
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 9 - 正向电流与正向电压
图。 11 - 集电极暗电流与环境温度
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光电耦合器，光电晶体管
产量
威世半导体
CTR - 电流传输比（ ％ ）
100
1000
V
CE
= 20
V
I
C
- 集电极电流（毫安）
V
CE
= 10
V
10
100
1
10
0.1
0.01
0.1
96 11904
1
10
100
1
0.1
1
10
100
I
F
- 正向电流（mA ）
95 10976
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 12 - 集电极电流与正向电流
图。 15 - 电流传输比与正向电流
I
C
- 集电极电流（毫安）
20毫安
I
F
= 50毫安
10
10毫安
5毫安
2毫安
1毫安
0.1
0.1
1
10
100
t
on
/t
关闭
- 导通/关断时间（μs ）
100
50
饱和运算
V
S
= 5
V
R
L
= 1 kΩ
40
30
t
关闭
20
10
0
0
5
10
15
t
on
20
1
95 10985
V
CE
- 集电极发射极
电压
(V)
95 10974
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 13 - 集电极电流与集电极发射极电压
图。 16 - 导通/关断时间与正向电流
t
on
/t
关闭
- 导通/关断时间（μs ）
1.0
20
非饱和
手术
V
S
= 10
V
R
L
= 100
Ω
t
关闭
10
t
on
5
V
CESAT
- 集电极发射极
饱和
电压
(V)
0.8
20
％使用
0.6
CTR = 50
%
二手
0.4
0.2
10
％使用
0
1
10
100
15
0
0
2
4
6
8
10
95 10972
I
C
- 集电极电流（毫安）
95 10975
I
C
- 集电极（MA ）
图。 14 - 集电极发射极饱和电压与集电极电流
图。 17 - 导通/关断时间与集电极电流
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