TC7USB31FK
东芝CMOS数字集成电路硅单片
TC7USB31FK
双SPST USB开关
TC7USB31是高速CMOS双SPST USB开关。该
低导通电阻和开关的低电容允许
连接到USB应用。
该TC7USB31需要输出使能(
OE
)输入要
设置为高的输出置于高阻抗。
所有的输入都配备了防静电保护电路
放电。
TC7USB31FK
特点
工作电压: V
CC
= 2.3 3.6 V
导通电容:C
I / O
= 4 pF的开关(典型值) @ V
CC
= 3.3 V
导通电阻,R
ON
= 4.5
(典型值)。
@V
CC
= 3 V, V
I / O
= 0 V
R
ON
平整度:v
对(平)
= 1.2
(典型值)。
@V
CC
= 3 V
R的增量
ON
:
ΔR
ON
= 0.5
(典型值)。
@V
CC
= 3 V
ESD性能:机器型号
≥
± 200V
人体模型
≥
± 2000V
对于输入掉电保护(
OE
和I / O)
包
: US8
重量
SSOP8-P-0.50A
0.01克(典型值)
引脚分配
( TOP VIEW )
FK ( SSOP8 -P - 0.50A )
V
CC
OE HSD + D +
8
7
6
5
USB
31
1
2
3
4
GND
NC HSD- D-
1
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TC7USB31FK
绝对最大额定值(注)
特征
电源电压范围
控制引脚的输入电压
(
OE )
符号
V
CC
等级
0.5
4.6
0.5 4.6
0.5 4.6
0.5 V
CC
+0.5
50
±
50
单位
V
V
IN
V
S
V
V
开关端子I / O电压
V
CC
= 0V或开关=关
开关=开
控制输入
开关
丛二极管电流
开关I / O电流
功耗
DC V
CC
/ GND电流
储存温度
I
IK
I
S
P
D
I
CC
/I
GND
T
英镑
mA
mA
mW
mA
°C
50
200
±
100
65 150
注意:任何超过绝对最大额定值,即使短暂,导致恶化IC的性能,甚至
破坏。重负载下连续使用(如高温/电流/电压的施加和
在温度等的显著变化)可能会导致此产品在可靠性,降低显著甚至
如果操作条件(即工作温度/电流/电压等)内的绝对最大
额定值和工作范围。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验报告
和估计故障率等)。
工作范围(注)
特征
电源电压
控制引脚的输入电压
开关I / O电压
工作温度
输入上升和下降时间
( OE)的
V
CC
= 0V或开关=关
开关=开
符号
V
CC
V
IN
V
S
T
OPR
DT / DV
等级
2.3 3.6
0至3.6
0至3.6
0到V
CC
4085
单位
V
V
V
°C
NS / V
0-10
注意:必须保持在工作范围,确保了device.Unused投入正常运行,必须
被束缚在V
CC
或GND 。
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TC7USB31FK
电气特性
DC特性
(大
= 40
至85 ℃)下
特征
为“H”电平
“ L”电平
符号
V
IH
V
IL
I
IN
I
关闭
I
SZ
V
IN
=
0至3.6 V
V
IN
=
0至3.6 V
V
IS
=
0到V
CC
, OE
=
V
CC
V
IS
=
0 V,I
IS
=
30毫安
(注2 )
R的增量
ON
导通电阻平坦度
静态电源电流
增加我
CC
每个输入
R
ON
V
IS
=
0.4 V,I
IS
=
30毫安
V
IS
=
3.0 V,I
IS
=
30毫安
Δ
R
ON
测试条件
V
CC
(V)
2.3 3.6
2.3 3.6
2.3 3.6
0
2.3 3.6
(注1 )
(注1 )
(注1 )
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.6
3.6
民
0.46
×
V
CC
典型值。
最大
单位
输入电压
( OE)的
0.25
×
V
CC
±
1.0
±
5.0
±
5.0
V
输入漏电流
( OE)的
关机漏电流
断态泄漏电流
(开关OFF)
抗性
μ
A
μ
A
μ
A
4.5
5
11
0.5
1.2
9
9.5
18
Ω
Ω
μ
A
μ
A
Ω
V
IS
=
0.4 V, 1.0 V,I
IS
=
30毫安
R
对(平)
V
IN
= 0 V至1.0 V,I
IS
=
30毫安
I
CC
Δ
I
CC
V
IN
=
V
CC
或GND ,我
OUT
=
0
V
IN
=
1.8 V
2.0
10.0
注1 :所有典型值是在TA = 25 ℃。
注2 :测量由D之间的电压降+ / D-和HSD + / HSD-销在所指示的电流通过
开关。导通电阻是通过在两个引脚上的电压的降低来确定。
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