【TPC8402东芝场效应晶体管硅N ，P沟道MOS型（ π - MOSVI / U- MOSII ）】,IC型号TPC8402,TPC8402 PDF资料,TPC8402经销商,ic,电子元器件-51电子网

TPC8402

东芝场效应晶体管硅N ，P沟道MOS型（ π - MOSVI / U- MOSII ）

TPC8402

锂离子二次电池的应用

笔记本电脑

便携式设备的应用

低漏源导通电阻

：P通道

DS （ ON）

= 27毫欧（典型值）。

N沟道

DS （ ON）

= 37毫欧（典型值）。

高正向转移导纳

：P通道| Y

fs

| = 7 S（典型值）。

N沟道| Y

fs

| = 6 S （典型值）。

低漏电流

：P通道I

DSS

=

10

μA （V

DS

=

30

V)

N沟道我

DSS

=

10

μA （V

DS

= 30 V)

增强型

：P V频道

th

=

0.8~ 2.0

V (V

DS

=

10

V，I

D

=

1mA)

N沟道V

th

= 0.8~2.0 V (V

DS

=

10

V，I

D

=

1mA)

单位：mm

最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

漏源电压

漏，栅极电压（R

GS

=

20 k)

栅源电压

漏电流

DC

脉冲

（注1 ）

符号

V

DSS

V

DGR

V

GSS

I

D

I

DP

P

D (1)

P

D (2)

P

D (1)

P

D (2)

E

AS

I

AR

E

AR

T

ch

T

英镑

等级

P沟道N沟道

30

±20

4.5

18

1.5

1.0

0.75

0.45

26.3

（注4A ）

4.5

0.10

150

55~150

30

±20

5

20

1.5

1.0

W

0.75

0.45

32.5

（注4B ）

5

mJ

A

mJ

°C

单位

V

A

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-6J1E

重0.080克（典型值）。

漏功耗的单设备操作

（注3A ）

耗散

（T = 10秒）

在单器件值

（注2a）的双操作（注3B ）

漏功耗的单设备操作

（注3A ）

耗散

（T = 10秒）

在单器件值

（注2B ）双操作（注3B ）

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

在操作单个设备的价值

（注2A ， 3B注，注5 ）

通道温度

存储温度范围

电路CON组fi guration

注意：对于（注1），（注2a）中，（注2b）中，（注3a）中，（注3b）中，（注4a）中，（注4b）的和（注5），请参考

下页。

此晶体管是静电敏感器件。请谨慎操作。

1

2002-05-07

TPC8402

热特性

特征

单设备操作

（注3A ）

符号

R

第（ CH-A ）（1）

R

第（ CH-A ）（2）

R

第（ CH-A ）（1）

R

第（ CH-A ）（2）

最大

83.3

单位

耐热性，信道至环境

（T = 10秒）

（注2A ）的单设备价值

双操作

（注3B ）

单设备操作

（注3A ）

125

° C / W

167

耐热性，信道至环境

（T = 10秒）

（注2B），在单器件值

双操作

（注3B ）

278

记号

TPC8402

*

TYPE

注1 ：请在使用条件下的设备，该通道的温度低于150 ℃。

注2 ：

一个），安装到玻璃 - 环氧树脂板（一）

FR-4

25.4 × 25.4 × 0.8

（单位：毫米）

二）装置安装在玻璃环氧基板（二）

FR-4

25.4 × 25.4 × 0.8

（单位：毫米）

(a)

(b)

注3 ：

一个）的功耗和热电阻值显示为单个设备

（在单一装置操作时，功率仅施加到一个设备。）

二）的功耗和热电阻值显示为单个设备

（在双重操作，功率均匀地施加到两个设备）。

注4 ：

A） V

DD

=

24

V，T

ch

= 25 ° C（初始）， L = 1.0 mH的，R

G

= 25

,

I

AR

=

4.5

A

B ）V

DD

= 24 V ，T

ch

= 25 ° C（初始）， L = 1.0 mH的，R

G

= 25

,

I

AR

= 5.0 A

注5 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度

注6 ：

在标记的左下角显示引脚1 。

*

示批号。生产（年：生产年份的最后一个十进制数，月

制作：一月到十二月是由字母A ，分别表示为L）

2

2002-05-07

TPC8402

P-0ch

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

栅极漏电流

漏截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

符号

I

GSS

I

DSS

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSX

V

th

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

|Y

fs

|

C

国际空间站

C

RSS

C

OSS

t

r

t

on

t

f

t

关闭

Q

g

Q

gs1

Q

gd

V

DD

≈ 24

V, V

GS

=

10

V，I

D

=

4.5

A

V

DS

=

10

V, V

GS

= 0 V ， F = 1兆赫

测试条件

V

GS

= ±16 V, V

DS

= 0 V

V

DS

=

30

V, V

GS

= 0 V

I

D

=

10

毫安，V

GS

= 0 V

I

D

=

10

毫安，V

GS

= 20 V

V

DS

=

10

V，I

D

=

1

mA

V

GS

=

4

V，I

D

=

2.2

A

V

GS

=

10

V，I

D

=

2.2

A

V

DS

=

10

V，I

D

=

2.2

A

民

—

30

15

0.8

—

3.5

—

典型值。

—

55

27

7

970

180

370

17

最大

±10

10

—

2.0

65

35

—

pF

单位

A

V

m

S

开启时间

开关时间

下降时间

—

20

—

ns

—

75

—

关断时间

总栅极电荷（栅源

加栅极 - 漏极）

栅极 - 源极电荷1

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

—

160

28

6

12

—

nC

源极 - 漏极额定值和特性

（ TA = 25°C ）

特征

反向漏

当前

脉冲（注1 ）

符号

I

DRP

V

DSF

测试条件

—

I

DR

=

4.5

A，V

GS

= 0 V

民

—

典型值。

—

最大

18

1.2

单位

A

V

正向电压（二极管）

3

2002-05-07

TPC8402

N沟道

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

栅极漏电流

漏截止电流

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

符号

I

GSS

I

DSS

V

（ BR ） DSS

V

th

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

|Y

fs

|

C

国际空间站

C

RSS

C

OSS

t

r

t

on

t

f

t

关闭

Q

g

Q

gs1

Q

gd

V

DD

≈

24 V, V

GS

= 10 V，I

D

= 5 A

V

DS

= 10 V, V

GS

= 0 V ， F = 1兆赫

测试条件

V

GS

= ±16 V, V

DS

= 0 V

V

DS

= 30 V, V

GS

= 0 V

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0 V

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

V

GS

= 4 V，I

D

= 2.5 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 2.5 A

V

DS

= 10 V，I

D

= 2.5 A

民

—

―

30

0.8

―

3

―

典型值。

—

―

58

37

6

475

85

270

10

最大

±10

10

―

2.0

80

50

―

pF

单位

A

V

m

S

开启时间

开关时间

下降时间

―

16

―

ns

―

13

―

关断时间

总栅极电荷（栅源

加栅极 - 漏极）

栅极 - 源极电荷1

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

―

70

16

11

5

―

nC

源极 - 漏极额定值和特性

（ TA = 25°C ）

特征

反向漏

当前

脉冲（注1 ）

符号

I

DRP

V

DSF

I

DR

= 6 A，V

GS

= 0 V

测试条件

—

民

—

典型值。

—

最大

20

1.2

单位

A

V

正向电压（二极管）

4

2002-05-07

TPC8402

P沟道

5

2002-05-07

TPC8402

东芝场效应晶体管硅N ，P沟道MOS型（ π - MOSVI / U- MOSII ）

TPC8402

锂离子二次电池的应用

笔记本电脑

便携式设备的应用

低漏源导通电阻

：P通道

DS （ ON）

= 27毫欧（典型值）。

N沟道

DS （ ON）

= 37毫欧（典型值）。

高正向转移导纳

：P通道| Y

fs

| = 7 S（典型值）。

N沟道| Y

fs

| = 6 S （典型值）。

低漏电流

：P通道I

DSS

=

10

μA （V

DS

=

30

V)

N沟道我

DSS

=

10

μA （V

DS

= 30 V)

增强型

：P V频道

th

=

0.8~ 2.0

V (V

DS

=

10

V，I

D

=

1mA)

N沟道V

th

= 0.8~2.0 V (V

DS

=

10

V，I

D

=

1mA)

单位：mm

最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

漏源电压

漏，栅极电压（R

GS

=

20 k)

栅源电压

漏电流

DC

脉冲

（注1 ）

符号

V

DSS

V

DGR

V

GSS

I

D

I

DP

P

D (1)

P

D (2)

P

D (1)

P

D (2)

E

AS

I

AR

E

AR

T

ch

T

英镑

等级

P沟道N沟道

30

±20

4.5

18

1.5

1.0

0.75

0.45

26.3

（注4A ）

4.5

0.10

150

55~150

30

±20

5

20

1.5

1.0

W

0.75

0.45

32.5

（注4B ）

5

mJ

A

mJ

°C

单位

V

A

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-6J1E

重0.080克（典型值）。

漏功耗的单设备操作

（注3A ）

耗散

（T = 10秒）

在单器件值

（注2a）的双操作（注3B ）

漏功耗的单设备操作

（注3A ）

耗散

（T = 10秒）

在单器件值

（注2B ）双操作（注3B ）

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

在操作单个设备的价值

（注2A ， 3B注，注5 ）

通道温度

存储温度范围

电路CON组fi guration

注意：对于（注1），（注2a）中，（注2b）中，（注3a）中，（注3b）中，（注4a）中，（注4b）的和（注5），请参考

下页。

此晶体管是静电敏感器件。请谨慎操作。

1

2002-05-07

TPC8402

热特性

特征

单设备操作

（注3A ）

符号

R

第（ CH-A ）（1）

R

第（ CH-A ）（2）

R

第（ CH-A ）（1）

R

第（ CH-A ）（2）

最大

83.3

单位

耐热性，信道至环境

（T = 10秒）

（注2A ）的单设备价值

双操作

（注3B ）

单设备操作

（注3A ）

125

° C / W

167

耐热性，信道至环境

（T = 10秒）

（注2B），在单器件值

双操作

（注3B ）

278

记号

TPC8402

*

TYPE

注1 ：请在使用条件下的设备，该通道的温度低于150 ℃。

注2 ：

一个），安装到玻璃 - 环氧树脂板（一）

FR-4

25.4 × 25.4 × 0.8

（单位：毫米）

二）装置安装在玻璃环氧基板（二）

FR-4

25.4 × 25.4 × 0.8

（单位：毫米）

(a)

(b)

注3 ：

一个）的功耗和热电阻值显示为单个设备

（在单一装置操作时，功率仅施加到一个设备。）

二）的功耗和热电阻值显示为单个设备

（在双重操作，功率均匀地施加到两个设备）。

注4 ：

A） V

DD

=

24

V，T

ch

= 25 ° C（初始）， L = 1.0 mH的，R

G

= 25

,

I

AR

=

4.5

A

B ）V

DD

= 24 V ，T

ch

= 25 ° C（初始）， L = 1.0 mH的，R

G

= 25

,

I

AR

= 5.0 A

注5 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度

注6 ：

在标记的左下角显示引脚1 。

*

示批号。生产（年：生产年份的最后一个十进制数，月

制作：一月到十二月是由字母A ，分别表示为L）

2

2002-05-07

TPC8402

P-0ch

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

栅极漏电流

漏截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

符号

I

GSS

I

DSS

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSX

V

th

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

|Y

fs

|

C

国际空间站

C

RSS

C

OSS

t

r

t

on

t

f

t

关闭

Q

g

Q

gs1

Q

gd

V

DD

≈ 24

V, V

GS

=

10

V，I

D

=

4.5

A

V

DS

=

10

V, V

GS

= 0 V ， F = 1兆赫

测试条件

V

GS

= ±16 V, V

DS

= 0 V

V

DS

=

30

V, V

GS

= 0 V

I

D

=

10

毫安，V

GS

= 0 V

I

D

=

10

毫安，V

GS

= 20 V

V

DS

=

10

V，I

D

=

1

mA

V

GS

=

4

V，I

D

=

2.2

A

V

GS

=

10

V，I

D

=

2.2

A

V

DS

=

10

V，I

D

=

2.2

A

民

—

30

15

0.8

—

3.5

—

典型值。

—

55

27

7

970

180

370

17

最大

±10

10

—

2.0

65

35

—

pF

单位

A

V

m

S

开启时间

开关时间

下降时间

—

20

—

ns

—

75

—

关断时间

总栅极电荷（栅源

加栅极 - 漏极）

栅极 - 源极电荷1

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

—

160

28

6

12

—

nC

源极 - 漏极额定值和特性

（ TA = 25°C ）

特征

反向漏

当前

脉冲（注1 ）

符号

I

DRP

V

DSF

测试条件

—

I

DR

=

4.5

A，V

GS

= 0 V

民

—

典型值。

—

最大

18

1.2

单位

A

V

正向电压（二极管）

3

2002-05-07

TPC8402

N沟道

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

栅极漏电流

漏截止电流

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

符号

I

GSS

I

DSS

V

（ BR ） DSS

V

th

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

|Y

fs

|

C

国际空间站

C

RSS

C

OSS

t

r

t

on

t

f

t

关闭

Q

g

Q

gs1

Q

gd

V

DD

≈

24 V, V

GS

= 10 V，I

D

= 5 A

V

DS

= 10 V, V

GS

= 0 V ， F = 1兆赫

测试条件

V

GS

= ±16 V, V

DS

= 0 V

V

DS

= 30 V, V

GS

= 0 V

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0 V

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

V

GS

= 4 V，I

D

= 2.5 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 2.5 A

V

DS

= 10 V，I

D

= 2.5 A

民

—

―

30

0.8

―

3

―

典型值。

—

―

58

37

6

475

85

270

10

最大

±10

10

―

2.0

80

50

―

pF

单位

A

V

m

S

开启时间

开关时间

下降时间

―

16

―

ns

―

13

―

关断时间

总栅极电荷（栅源

加栅极 - 漏极）

栅极 - 源极电荷1

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

―

70

16

11

5

―

nC

源极 - 漏极额定值和特性

（ TA = 25°C ）

特征

反向漏

当前

脉冲（注1 ）

符号

I

DRP

V

DSF

I

DR

= 6 A，V

GS

= 0 V

测试条件

—

民

—

典型值。

—

最大

20

1.2

单位

A

V

正向电压（二极管）

4

2002-05-07

TPC8402

P沟道

5

2002-05-07