TLHG / R / Y520 。
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
TLHR52 .., TLHY52 .., TLHG52 ..,
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/
环境
t
≤
5秒, 2毫米从主体
T
AMB
≤
65 °C
t
p
≤
10
s
T
AMB
≤
65 °C
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
6
30
1
100
100
- 20至+ 100
- 55至+ 100
260
350
日前,Vishay
单位
V
mA
A
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
光学和电学特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
红
TLHR52..
参数
发光强度
1)
测试条件
I
F
= 10毫安
部分
TLHR5200
TLHR5201
TLHR5205
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
1)
符号
I
V
I
V
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
民
10
16
25
612
典型值。
20
30
40
最大
单位
MCD
MCD
MCD
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 0中,f = 1 MHz的
625
635
± 14
2
3
nm
nm
度
V
V
pF
6
15
50
在一个包装单位I
VMIN
/I
VMAX
≤
0.5
黄
TLHY52..
参数
发光强度
1)
测试条件
I
F
= 10毫安
部分
TLHY5200
TLHY5201
TLHY5205
符号
I
V
I
V
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
民
10
16
25
581
典型值。
30
40
50
最大
单位
MCD
MCD
MCD
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
1)
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 0中,f = 1 MHz的
594
585
± 14
2.4
3
nm
nm
度
V
V
pF
6
15
50
在一个包装单位I
VMIN
/I
VMAX
≤
0.5
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日前,Vishay
TLHG / R / Y520 。
威世半导体
1.2
I
VREL
- 相对发光强度
I
V REL
- 相对发光强度
1.6
黄
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
550
黄
1.2
0.8
0.4
I
F
= 10毫安
0
20
40
60
80
100
T
AMB
- 环境温度(
°C
)
0
95 10031
570
590
610
630
650
95 10039
λ
- 波长(nm )
-
图11.相对。发光强度与环境温度
图14.相对强度与波长
I
V REL
- 相对发光强度
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
I
F
- 正向电流(mA )
1000
黄
绿色
100
t
p
/T = 0.001
t
p
= 10
s
10
1
10
1
20
0.5
50
0.2
100
0.1
200
0.05
500 I
F
(MA )
0.02
t
p
/T
0.1
0
95 10034
2
4
6
8
10
95 10260
V
F
- 正向电压( V)
图12.相对。鲁敏。强度与FORW 。电流/占空比
图15.正向电流与正向电压
I
V REL
- 相对发光强度
I
V REL
- 相对发光强度
10
黄
1
1.6
绿色
1.2
0.8
0.1
0.4
I
F
= 10毫安
0.01
1
95 10033
0
10
I
F
- 正向电流(mA )
100
95 10035
0
20
40
60
80
100
T
AMB
- 环境温度(
°
C )
图13.相对发光强度与正向电流
图16.相对。发光强度与环境温度
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威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
TLHR52 .., TLHY52 .., TLHG52 ..,
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/
环境
t
≤
5秒, 2毫米从主体
T
AMB
≤
65 °C
t
p
≤
10
s
T
AMB
≤
65 °C
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
6
30
1
100
100
- 20至+ 100
- 55至+ 100
260
350
日前,Vishay
单位
V
mA
A
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
光学和电学特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
红
TLHR52..
参数
发光强度
1)
测试条件
I
F
= 10毫安
部分
TLHR5200
TLHR5201
TLHR5205
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
1)
符号
I
V
I
V
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
民
10
16
25
612
典型值。
20
30
40
最大
单位
MCD
MCD
MCD
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 0中,f = 1 MHz的
625
635
± 14
2
3
nm
nm
度
V
V
pF
6
15
50
在一个包装单位I
VMIN
/I
VMAX
≤
0.5
黄
TLHY52..
参数
发光强度
1)
测试条件
I
F
= 10毫安
部分
TLHY5200
TLHY5201
TLHY5205
符号
I
V
I
V
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
民
10
16
25
581
典型值。
30
40
50
最大
单位
MCD
MCD
MCD
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
1)
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 0中,f = 1 MHz的
594
585
± 14
2.4
3
nm
nm
度
V
V
pF
6
15
50
在一个包装单位I
VMIN
/I
VMAX
≤
0.5
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TLHG / R / Y520 。
威世半导体
1.2
I
VREL
- 相对发光强度
I
V REL
- 相对发光强度
1.6
黄
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
550
黄
1.2
0.8
0.4
I
F
= 10毫安
0
20
40
60
80
100
T
AMB
- 环境温度(
°C
)
0
95 10031
570
590
610
630
650
95 10039
λ
- 波长(nm )
-
图11.相对。发光强度与环境温度
图14.相对强度与波长
I
V REL
- 相对发光强度
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
I
F
- 正向电流(mA )
1000
黄
绿色
100
t
p
/T = 0.001
t
p
= 10
s
10
1
10
1
20
0.5
50
0.2
100
0.1
200
0.05
500 I
F
(MA )
0.02
t
p
/T
0.1
0
95 10034
2
4
6
8
10
95 10260
V
F
- 正向电压( V)
图12.相对。鲁敏。强度与FORW 。电流/占空比
图15.正向电流与正向电压
I
V REL
- 相对发光强度
I
V REL
- 相对发光强度
10
黄
1
1.6
绿色
1.2
0.8
0.1
0.4
I
F
= 10毫安
0.01
1
95 10033
0
10
I
F
- 正向电流(mA )
100
95 10035
0
20
40
60
80
100
T
AMB
- 环境温度(
°
C )
图13.相对发光强度与正向电流
图16.相对。发光强度与环境温度
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威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
TLHR52 .., TLHY52 .., TLHG52 ..,
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/
环境
t
≤
5秒, 2毫米从主体
T
AMB
≤
65 °C
t
p
≤
10
s
T
AMB
≤
65 °C
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
6
30
1
100
100
- 20至+ 100
- 55至+ 100
260
350
日前,Vishay
单位
V
mA
A
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
光学和电学特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
红
TLHR52..
参数
发光强度
1)
测试条件
I
F
= 10毫安
部分
TLHR5200
TLHR5201
TLHR5205
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
1)
符号
I
V
I
V
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
民
10
16
25
612
典型值。
20
30
40
最大
单位
MCD
MCD
MCD
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 0中,f = 1 MHz的
625
635
± 14
2
3
nm
nm
度
V
V
pF
6
15
50
在一个包装单位I
VMIN
/I
VMAX
≤
0.5
黄
TLHY52..
参数
发光强度
1)
测试条件
I
F
= 10毫安
部分
TLHY5200
TLHY5201
TLHY5205
符号
I
V
I
V
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
民
10
16
25
581
典型值。
30
40
50
最大
单位
MCD
MCD
MCD
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
1)
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 0中,f = 1 MHz的
594
585
± 14
2.4
3
nm
nm
度
V
V
pF
6
15
50
在一个包装单位I
VMIN
/I
VMAX
≤
0.5
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威世半导体
1.2
I
VREL
- 相对发光强度
I
V REL
- 相对发光强度
1.6
黄
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
550
黄
1.2
0.8
0.4
I
F
= 10毫安
0
20
40
60
80
100
T
AMB
- 环境温度(
°C
)
0
95 10031
570
590
610
630
650
95 10039
λ
- 波长(nm )
-
图11.相对。发光强度与环境温度
图14.相对强度与波长
I
V REL
- 相对发光强度
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
I
F
- 正向电流(mA )
1000
黄
绿色
100
t
p
/T = 0.001
t
p
= 10
s
10
1
10
1
20
0.5
50
0.2
100
0.1
200
0.05
500 I
F
(MA )
0.02
t
p
/T
0.1
0
95 10034
2
4
6
8
10
95 10260
V
F
- 正向电压( V)
图12.相对。鲁敏。强度与FORW 。电流/占空比
图15.正向电流与正向电压
I
V REL
- 相对发光强度
I
V REL
- 相对发光强度
10
黄
1
1.6
绿色
1.2
0.8
0.1
0.4
I
F
= 10毫安
0.01
1
95 10033
0
10
I
F
- 正向电流(mA )
100
95 10035
0
20
40
60
80
100
T
AMB
- 环境温度(
°
C )
图13.相对发光强度与正向电流
图16.相对。发光强度与环境温度
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