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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第484页 > TLHY5205
日前,Vishay
TLHG / R / Y520 。
威世半导体
高效率LED ,
5毫米着色非扩散套餐
描述
该TLH.52 ..系列是针对标准制定
应用,如一般的显示和照明陈建
构成。
它坐落在一个5毫米着色非扩散塑料
封装。这些装置的小视角
提供了一种高亮度。
用不同的发光意向几种类型的选择
sities提供。所有LED都归类在lumi-
理性强度组。绿色和黄色LED
在波长组另外分类。
这可以让用户组装的LED均匀
外观。
19223
e2
Pb
无铅
应用
状态指示灯
OFF / ON指示灯
背景照明
读出灯
检修灯
传说中的光
特点
三种鲜艳的色彩选择
标准T - 1.75包
小型机械公差
适用于DC和高峰值电流
小视角
发光强度分类
黄,绿三色分类
TLH.52 ..带支座
无铅器件
零件表
部分
TLHR5200
TLHR5201
TLHR5205
TLHY5200
TLHY5201
TLHY5205
TLHG5200
TLHG5201
TLHG5205
颜色,发光强度
红色,我
V
= 20 MCD (典型值)。
红色,我
V
= 30 MCD (典型值)。
红色,我
V
= 40 MCD (典型值)。
黄色,我
V
= 30 MCD (典型值)。
黄色,我
V
= 40 MCD (典型值)。
黄色,我
V
= 50 MCD (典型值)。
绿色的,我
V
= 30 MCD (典型值)。
绿色的,我
V
= 40 MCD (典型值)。
绿色的,我
V
= 50 MCD (典型值)。
半强度角( ±φ )
14 °
14 °
14 °
14 °
14 °
14 °
14 °
14 °
14 °
技术
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
豁口的GaP
豁口的GaP
豁口的GaP
文档编号83011
修订版1.4 , 8月31日 - 04
www.vishay.com
1
TLHG / R / Y520 。
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
TLHR52 .., TLHY52 .., TLHG52 ..,
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/
环境
t
5秒, 2毫米从主体
T
AMB
65 °C
t
p
10
s
T
AMB
65 °C
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
6
30
1
100
100
- 20至+ 100
- 55至+ 100
260
350
日前,Vishay
单位
V
mA
A
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
光学和电学特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
TLHR52..
参数
发光强度
1)
测试条件
I
F
= 10毫安
部分
TLHR5200
TLHR5201
TLHR5205
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
1)
符号
I
V
I
V
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
10
16
25
612
典型值。
20
30
40
最大
单位
MCD
MCD
MCD
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 0中,f = 1 MHz的
625
635
± 14
2
3
nm
nm
V
V
pF
6
15
50
在一个包装单位I
VMIN
/I
VMAX
0.5
TLHY52..
参数
发光强度
1)
测试条件
I
F
= 10毫安
部分
TLHY5200
TLHY5201
TLHY5205
符号
I
V
I
V
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
10
16
25
581
典型值。
30
40
50
最大
单位
MCD
MCD
MCD
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
1)
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 0中,f = 1 MHz的
594
585
± 14
2.4
3
nm
nm
V
V
pF
6
15
50
在一个包装单位I
VMIN
/I
VMAX
0.5
www.vishay.com
2
文档编号83011
修订版1.4 , 8月31日 - 04
日前,Vishay
绿色
TLHG52..
参数
发光强度
1)
测试条件
I
F
= 10毫安
部分
TLHG5200
TLHG5201
TLHG5205
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
1)
TLHG / R / Y520 。
威世半导体
符号
I
V
I
V
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
16
25
40
562
典型值。
30
40
50
最大
单位
MCD
MCD
MCD
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 0中,f = 1 MHz的
575
565
± 14
2.4
3
nm
nm
V
V
pF
6
15
50
在一个包装单位I
VMIN
/I
VMAX
0.5
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编)
125
P
V
- 功耗(MW )
10000
T
AMB
85
°
C
I
F
正向电流(mA
)
100
75
50
25
0
0
20
40
60
80
100
1000
t
p
/T = 0.01
0.02
0.05
0.1
100
1
10
0.5
0.2
1
0.01
95 10025
0.1
1
10
100
95 10918
T
AMB
环境温度(
°C
)
t
p
脉冲长度(毫秒)
图1.功耗与环境温度
图3.正向电流与脉冲宽度
60
I
F
- 正向电流(mA )
I
V REL
- 相对发光强度
10
°
20
°
30°
50
40
30
20
10
0
0
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
40°
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
20
40
60
80
100
95 10044
95 10046
T
AMB
环境温度(
°C
)
图2.正向电流与环境温度
图4.相对。发光强度与角位移
文档编号83011
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3
TLHG / R / Y520 。
威世半导体
10
日前,Vishay
I
F
- 正向电流(mA )
100
t
p
/T = 0.001
t
p
= 10
s
I
V REL
- 相对发光强度
1000
1
10
0.1
1
0.1
0
95 10026
0.01
2
4
6
8
10
95 10029
1
10
I
F
- 正向电流(mA )
100
V
F
- 正向电压( V)
图5.正向电流与正向电压
图8.相对发光强度与正向电流
I
V REL
- 相对发光强度
1.6
1.2
I
V再度升
- 相对发光强度
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
590
1.2
0.8
0.4
I
F
= 10毫安
0
20
40
60
80
100
T
AMB
- 环境温度(
°C
)
0
95 10027
610
630
650
670
690
95 10040
λ
- 波长(nm )
图6.相对。发光强度与环境温度
图9.相对强度与波长
2.4
I
V再度升
- 相对发光强度
1000
I
F
- 正向电流(mA )
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
10
20
0.5
50
0.2
100
0.1
200
0.05
500 I
F
(MA )
0.02
t
p
/T
100
t
p
/T = 0.001
t
p
= 10
s
10
1
0.1
0
95 10030
2
4
6
8
10
95 10321
1
V
F
- 正向电压( V)
图7.相对。鲁敏。强度与FORW 。电流/占空比
图10.正向电流与正向电压
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4
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日前,Vishay
TLHG / R / Y520 。
威世半导体
1.2
I
VREL
- 相对发光强度
I
V REL
- 相对发光强度
1.6
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
550
1.2
0.8
0.4
I
F
= 10毫安
0
20
40
60
80
100
T
AMB
- 环境温度(
°C
)
0
95 10031
570
590
610
630
650
95 10039
λ
- 波长(nm )
-
图11.相对。发光强度与环境温度
图14.相对强度与波长
I
V REL
- 相对发光强度
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
I
F
- 正向电流(mA )
1000
绿色
100
t
p
/T = 0.001
t
p
= 10
s
10
1
10
1
20
0.5
50
0.2
100
0.1
200
0.05
500 I
F
(MA )
0.02
t
p
/T
0.1
0
95 10034
2
4
6
8
10
95 10260
V
F
- 正向电压( V)
图12.相对。鲁敏。强度与FORW 。电流/占空比
图15.正向电流与正向电压
I
V REL
- 相对发光强度
I
V REL
- 相对发光强度
10
1
1.6
绿色
1.2
0.8
0.1
0.4
I
F
= 10毫安
0.01
1
95 10033
0
10
I
F
- 正向电流(mA )
100
95 10035
0
20
40
60
80
100
T
AMB
- 环境温度(
°
C )
图13.相对发光强度与正向电流
图16.相对。发光强度与环境温度
文档编号83011
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5
日前,Vishay
TLHG / R / Y520 。
威世半导体
高效率LED ,
5毫米着色非扩散套餐
描述
该TLH.52 ..系列是针对标准制定
应用,如一般的显示和照明陈建
构成。
它坐落在一个5毫米着色非扩散塑料
封装。这些装置的小视角
提供了一种高亮度。
用不同的发光意向几种类型的选择
sities提供。所有LED都归类在lumi-
理性强度组。绿色和黄色LED
在波长组另外分类。
这可以让用户组装的LED均匀
外观。
19223
e2
Pb
无铅
应用
状态指示灯
OFF / ON指示灯
背景照明
读出灯
检修灯
传说中的光
特点
三种鲜艳的色彩选择
标准T - 1.75包
小型机械公差
适用于DC和高峰值电流
小视角
发光强度分类
黄,绿三色分类
TLH.52 ..带支座
无铅器件
零件表
部分
TLHR5200
TLHR5201
TLHR5205
TLHY5200
TLHY5201
TLHY5205
TLHG5200
TLHG5201
TLHG5205
颜色,发光强度
红色,我
V
= 20 MCD (典型值)。
红色,我
V
= 30 MCD (典型值)。
红色,我
V
= 40 MCD (典型值)。
黄色,我
V
= 30 MCD (典型值)。
黄色,我
V
= 40 MCD (典型值)。
黄色,我
V
= 50 MCD (典型值)。
绿色的,我
V
= 30 MCD (典型值)。
绿色的,我
V
= 40 MCD (典型值)。
绿色的,我
V
= 50 MCD (典型值)。
半强度角( ±φ )
14 °
14 °
14 °
14 °
14 °
14 °
14 °
14 °
14 °
技术
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
豁口的GaP
豁口的GaP
豁口的GaP
文档编号83011
修订版1.4 , 8月31日 - 04
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1
TLHG / R / Y520 。
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
TLHR52 .., TLHY52 .., TLHG52 ..,
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/
环境
t
5秒, 2毫米从主体
T
AMB
65 °C
t
p
10
s
T
AMB
65 °C
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
6
30
1
100
100
- 20至+ 100
- 55至+ 100
260
350
日前,Vishay
单位
V
mA
A
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
光学和电学特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
TLHR52..
参数
发光强度
1)
测试条件
I
F
= 10毫安
部分
TLHR5200
TLHR5201
TLHR5205
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
1)
符号
I
V
I
V
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
10
16
25
612
典型值。
20
30
40
最大
单位
MCD
MCD
MCD
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 0中,f = 1 MHz的
625
635
± 14
2
3
nm
nm
V
V
pF
6
15
50
在一个包装单位I
VMIN
/I
VMAX
0.5
TLHY52..
参数
发光强度
1)
测试条件
I
F
= 10毫安
部分
TLHY5200
TLHY5201
TLHY5205
符号
I
V
I
V
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
10
16
25
581
典型值。
30
40
50
最大
单位
MCD
MCD
MCD
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
1)
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 0中,f = 1 MHz的
594
585
± 14
2.4
3
nm
nm
V
V
pF
6
15
50
在一个包装单位I
VMIN
/I
VMAX
0.5
www.vishay.com
2
文档编号83011
修订版1.4 , 8月31日 - 04
日前,Vishay
绿色
TLHG52..
参数
发光强度
1)
测试条件
I
F
= 10毫安
部分
TLHG5200
TLHG5201
TLHG5205
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
1)
TLHG / R / Y520 。
威世半导体
符号
I
V
I
V
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
16
25
40
562
典型值。
30
40
50
最大
单位
MCD
MCD
MCD
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 0中,f = 1 MHz的
575
565
± 14
2.4
3
nm
nm
V
V
pF
6
15
50
在一个包装单位I
VMIN
/I
VMAX
0.5
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编)
125
P
V
- 功耗(MW )
10000
T
AMB
85
°
C
I
F
正向电流(mA
)
100
75
50
25
0
0
20
40
60
80
100
1000
t
p
/T = 0.01
0.02
0.05
0.1
100
1
10
0.5
0.2
1
0.01
95 10025
0.1
1
10
100
95 10918
T
AMB
环境温度(
°C
)
t
p
脉冲长度(毫秒)
图1.功耗与环境温度
图3.正向电流与脉冲宽度
60
I
F
- 正向电流(mA )
I
V REL
- 相对发光强度
10
°
20
°
30°
50
40
30
20
10
0
0
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
40°
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
20
40
60
80
100
95 10044
95 10046
T
AMB
环境温度(
°C
)
图2.正向电流与环境温度
图4.相对。发光强度与角位移
文档编号83011
修订版1.4 , 8月31日 - 04
www.vishay.com
3
TLHG / R / Y520 。
威世半导体
10
日前,Vishay
I
F
- 正向电流(mA )
100
t
p
/T = 0.001
t
p
= 10
s
I
V REL
- 相对发光强度
1000
1
10
0.1
1
0.1
0
95 10026
0.01
2
4
6
8
10
95 10029
1
10
I
F
- 正向电流(mA )
100
V
F
- 正向电压( V)
图5.正向电流与正向电压
图8.相对发光强度与正向电流
I
V REL
- 相对发光强度
1.6
1.2
I
V再度升
- 相对发光强度
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
590
1.2
0.8
0.4
I
F
= 10毫安
0
20
40
60
80
100
T
AMB
- 环境温度(
°C
)
0
95 10027
610
630
650
670
690
95 10040
λ
- 波长(nm )
图6.相对。发光强度与环境温度
图9.相对强度与波长
2.4
I
V再度升
- 相对发光强度
1000
I
F
- 正向电流(mA )
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
10
20
0.5
50
0.2
100
0.1
200
0.05
500 I
F
(MA )
0.02
t
p
/T
100
t
p
/T = 0.001
t
p
= 10
s
10
1
0.1
0
95 10030
2
4
6
8
10
95 10321
1
V
F
- 正向电压( V)
图7.相对。鲁敏。强度与FORW 。电流/占空比
图10.正向电流与正向电压
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4
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修订版1.4 , 8月31日 - 04
日前,Vishay
TLHG / R / Y520 。
威世半导体
1.2
I
VREL
- 相对发光强度
I
V REL
- 相对发光强度
1.6
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
550
1.2
0.8
0.4
I
F
= 10毫安
0
20
40
60
80
100
T
AMB
- 环境温度(
°C
)
0
95 10031
570
590
610
630
650
95 10039
λ
- 波长(nm )
-
图11.相对。发光强度与环境温度
图14.相对强度与波长
I
V REL
- 相对发光强度
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
I
F
- 正向电流(mA )
1000
绿色
100
t
p
/T = 0.001
t
p
= 10
s
10
1
10
1
20
0.5
50
0.2
100
0.1
200
0.05
500 I
F
(MA )
0.02
t
p
/T
0.1
0
95 10034
2
4
6
8
10
95 10260
V
F
- 正向电压( V)
图12.相对。鲁敏。强度与FORW 。电流/占空比
图15.正向电流与正向电压
I
V REL
- 相对发光强度
I
V REL
- 相对发光强度
10
1
1.6
绿色
1.2
0.8
0.1
0.4
I
F
= 10毫安
0.01
1
95 10033
0
10
I
F
- 正向电流(mA )
100
95 10035
0
20
40
60
80
100
T
AMB
- 环境温度(
°
C )
图13.相对发光强度与正向电流
图16.相对。发光强度与环境温度
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5
日前,Vishay
TLHG / R / Y520 。
威世半导体
高效率LED ,
5毫米着色非扩散套餐
描述
该TLH.52 ..系列是针对标准制定
应用,如一般的显示和照明陈建
构成。
它坐落在一个5毫米着色非扩散塑料
封装。这些装置的小视角
提供了一种高亮度。
用不同的发光意向几种类型的选择
sities提供。所有LED都归类在lumi-
理性强度组。绿色和黄色LED
在波长组另外分类。
这可以让用户组装的LED均匀
外观。
19223
e2
Pb
无铅
应用
状态指示灯
OFF / ON指示灯
背景照明
读出灯
检修灯
传说中的光
特点
三种鲜艳的色彩选择
标准T - 1.75包
小型机械公差
适用于DC和高峰值电流
小视角
发光强度分类
黄,绿三色分类
TLH.52 ..带支座
无铅器件
零件表
部分
TLHR5200
TLHR5201
TLHR5205
TLHY5200
TLHY5201
TLHY5205
TLHG5200
TLHG5201
TLHG5205
颜色,发光强度
红色,我
V
= 20 MCD (典型值)。
红色,我
V
= 30 MCD (典型值)。
红色,我
V
= 40 MCD (典型值)。
黄色,我
V
= 30 MCD (典型值)。
黄色,我
V
= 40 MCD (典型值)。
黄色,我
V
= 50 MCD (典型值)。
绿色的,我
V
= 30 MCD (典型值)。
绿色的,我
V
= 40 MCD (典型值)。
绿色的,我
V
= 50 MCD (典型值)。
半强度角( ±φ )
14 °
14 °
14 °
14 °
14 °
14 °
14 °
14 °
14 °
技术
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
豁口的GaP
豁口的GaP
豁口的GaP
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1
TLHG / R / Y520 。
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
TLHR52 .., TLHY52 .., TLHG52 ..,
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/
环境
t
5秒, 2毫米从主体
T
AMB
65 °C
t
p
10
s
T
AMB
65 °C
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
6
30
1
100
100
- 20至+ 100
- 55至+ 100
260
350
日前,Vishay
单位
V
mA
A
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
光学和电学特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
TLHR52..
参数
发光强度
1)
测试条件
I
F
= 10毫安
部分
TLHR5200
TLHR5201
TLHR5205
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
1)
符号
I
V
I
V
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
10
16
25
612
典型值。
20
30
40
最大
单位
MCD
MCD
MCD
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 0中,f = 1 MHz的
625
635
± 14
2
3
nm
nm
V
V
pF
6
15
50
在一个包装单位I
VMIN
/I
VMAX
0.5
TLHY52..
参数
发光强度
1)
测试条件
I
F
= 10毫安
部分
TLHY5200
TLHY5201
TLHY5205
符号
I
V
I
V
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
10
16
25
581
典型值。
30
40
50
最大
单位
MCD
MCD
MCD
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
1)
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 0中,f = 1 MHz的
594
585
± 14
2.4
3
nm
nm
V
V
pF
6
15
50
在一个包装单位I
VMIN
/I
VMAX
0.5
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日前,Vishay
绿色
TLHG52..
参数
发光强度
1)
测试条件
I
F
= 10毫安
部分
TLHG5200
TLHG5201
TLHG5205
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
1)
TLHG / R / Y520 。
威世半导体
符号
I
V
I
V
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
16
25
40
562
典型值。
30
40
50
最大
单位
MCD
MCD
MCD
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 0中,f = 1 MHz的
575
565
± 14
2.4
3
nm
nm
V
V
pF
6
15
50
在一个包装单位I
VMIN
/I
VMAX
0.5
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编)
125
P
V
- 功耗(MW )
10000
T
AMB
85
°
C
I
F
正向电流(mA
)
100
75
50
25
0
0
20
40
60
80
100
1000
t
p
/T = 0.01
0.02
0.05
0.1
100
1
10
0.5
0.2
1
0.01
95 10025
0.1
1
10
100
95 10918
T
AMB
环境温度(
°C
)
t
p
脉冲长度(毫秒)
图1.功耗与环境温度
图3.正向电流与脉冲宽度
60
I
F
- 正向电流(mA )
I
V REL
- 相对发光强度
10
°
20
°
30°
50
40
30
20
10
0
0
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
40°
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
20
40
60
80
100
95 10044
95 10046
T
AMB
环境温度(
°C
)
图2.正向电流与环境温度
图4.相对。发光强度与角位移
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TLHG / R / Y520 。
威世半导体
10
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I
F
- 正向电流(mA )
100
t
p
/T = 0.001
t
p
= 10
s
I
V REL
- 相对发光强度
1000
1
10
0.1
1
0.1
0
95 10026
0.01
2
4
6
8
10
95 10029
1
10
I
F
- 正向电流(mA )
100
V
F
- 正向电压( V)
图5.正向电流与正向电压
图8.相对发光强度与正向电流
I
V REL
- 相对发光强度
1.6
1.2
I
V再度升
- 相对发光强度
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
590
1.2
0.8
0.4
I
F
= 10毫安
0
20
40
60
80
100
T
AMB
- 环境温度(
°C
)
0
95 10027
610
630
650
670
690
95 10040
λ
- 波长(nm )
图6.相对。发光强度与环境温度
图9.相对强度与波长
2.4
I
V再度升
- 相对发光强度
1000
I
F
- 正向电流(mA )
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
10
20
0.5
50
0.2
100
0.1
200
0.05
500 I
F
(MA )
0.02
t
p
/T
100
t
p
/T = 0.001
t
p
= 10
s
10
1
0.1
0
95 10030
2
4
6
8
10
95 10321
1
V
F
- 正向电压( V)
图7.相对。鲁敏。强度与FORW 。电流/占空比
图10.正向电流与正向电压
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TLHG / R / Y520 。
威世半导体
1.2
I
VREL
- 相对发光强度
I
V REL
- 相对发光强度
1.6
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
550
1.2
0.8
0.4
I
F
= 10毫安
0
20
40
60
80
100
T
AMB
- 环境温度(
°C
)
0
95 10031
570
590
610
630
650
95 10039
λ
- 波长(nm )
-
图11.相对。发光强度与环境温度
图14.相对强度与波长
I
V REL
- 相对发光强度
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
I
F
- 正向电流(mA )
1000
绿色
100
t
p
/T = 0.001
t
p
= 10
s
10
1
10
1
20
0.5
50
0.2
100
0.1
200
0.05
500 I
F
(MA )
0.02
t
p
/T
0.1
0
95 10034
2
4
6
8
10
95 10260
V
F
- 正向电压( V)
图12.相对。鲁敏。强度与FORW 。电流/占空比
图15.正向电流与正向电压
I
V REL
- 相对发光强度
I
V REL
- 相对发光强度
10
1
1.6
绿色
1.2
0.8
0.1
0.4
I
F
= 10毫安
0.01
1
95 10033
0
10
I
F
- 正向电流(mA )
100
95 10035
0
20
40
60
80
100
T
AMB
- 环境温度(
°
C )
图13.相对发光强度与正向电流
图16.相对。发光强度与环境温度
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院
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