STL35NF3LL
N沟道30V - 0.0055Ω - 35A PowerFLAT
低栅电荷的STripFET MOSFET
目标数据
TYPE
STL35NF3LL
s
s
s
V
DSS
30 V
R
DS ( ON)
< 0.007
I
D
35 A
典型
DS
(上) = 0.0055Ω
改进DIE - TO-足迹比
非常低调包装
描述
这是功率MOSFET的第二代
意法半导体独有的“的STripFET ”技
GY 。由此产生的晶体管显示了极低的导通
电阻和最小的栅极电荷。新Pow-
erFLAT 封装允许显著降低
电路板空间而不会影响性能。
PowerFLAT(6x5)
(芯片级封装)
内部原理图
应用
s
DC- DC转换器
s
电池管理游牧
设备
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
(#)
I
DM
(
q
)
P
合计
dv/dt(1)
E
AS
(2)
T
英镑
T
j
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏,栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流(连续的)在T
C
= 25°C
漏电流(连续的)在T
C
= 100°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
储存温度
马克斯。工作结温
价值
30
30
± 15
35
22
140
80
0.64
待定
待定
-55到150
(1)I
SD
<35A ,二/ dt<300A / μs的,V
DD
& LT ; V
( BR ) DSS
, T
J
& LT ;吨
JMAX
( 2 )起始物为
j
= 25 ° C,I
D
= 30A ,V
DD
= 27.5V
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
V / ns的
J
°C
(
q
)脉冲宽度有限的安全工作区
( # )通过引线键合有限公司
2001年10月
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STL35NF3LL
电气特性
(续)
接通
符号
t
D(上)
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 15 V,I
D
= 17.5 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 4.5V
(见测试电路,图3 )
V
DD
= 15 V,I
D
= 35 A,
V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
待定
待定
80
待定
待定
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D(关闭)
t
f
参数
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 15 V,I
D
= 17.5 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 4.5 V
(见测试电路,图3 )
分钟。
典型值。
待定
待定
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(1)
V
SD
(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复
ChargeReverse恢复
当前
I
SD
= 35 A,V
GS
= 0
I
SD
= 35 A, di / dt的= 100A / μs的,
V
DD
= 30 V ,T
j
= 150°C
(见测试电路,图5 )
待定
待定
待定
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
35
140
1.2
单位
A
A
V
ns
nC
A
注: 1。脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比为1.5% 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
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