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半导体
STK58X60LM
先进的功率MOSFET
开关稳压器的应用
特点
高压: BV
DSS
=600V(Min.)
低C
RSS
: C
RSS
=6.0pF(Typ.)
低栅极电荷:的Qg = 8.4nC (典型值)。
低R
DS ( ON)
:R
DS ( ON)
=4.7Ω(Max.)
型号
STK58X60LM
记号
STK58X60
封装代码
MPT
订购信息
外形尺寸
7.30~7.50
单位:
mm
1.20最大。
1.70 TYP 。
0.70最大。
13.05~13.85
2.50 TYP 。
0.60最大。
2.50 TYP 。
1
2
3
0.60最大。
8.40~8.60
3.30~3.50
1.95~2.05
引脚连接
1.门
2.漏
3.源
KSD-T0H016-000
1
STK58X60LM
绝对最大额定值
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
*
(Ta=25°C)
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
I
AS
E
AS
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
等级
600
±30
0.58
2.4
1.3
0.6
3.9
0.6
110
150
-55~150
单位
V
V
A
A
W
A
mJ
A
μJ
°C
漏极功耗
雪崩电流(单人)
单脉冲雪崩能量
雪崩电流(重复)
重复性雪崩能量
结温
存储温度范围
*受最高结温
特征
阻力
符号
R
号(j -a)的
典型值。
-
最大
96.2
单位
℃/W
结到环境
KSD-T0H016-000
2
STK58X60LM
电气特性
特征
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏极 - 源极漏电流
栅源漏
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
(Ta=25°C)
符号
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
DSS
I
GSS
R
DS ( ON)
g
fs
西塞
科斯
CRSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
测试条件
I
D
= 250μA ,V
GS
=0
I
D
= 250μA ,V
DS
= V
GS
V
DS
=600V, V
GS
=0V
V
DS
=0V, V
GS
=±30V
V
GS
= 10V ,我
D
=0.29A
V
DS
= 10V ,我
D
=0.29A
V
GS
=0V, V
DS
= 25V , F = 1MHz的
分钟。
600
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
3.8
2.3
290
33
6.0
22
10.5
7
10.5
8.4
1.4
2.6
马克斯。
-
4.0
1
±100
4.7
-
435
49
9.0
-
-
-
-
12.6
2.1
3.9
单位
V
V
μA
nA
Ω
S
pF
V
DD
=300V, V
GS
=10V
I
D
= 0.58A ,R
G
=25
-
-
-
ns
V
DD
=300V, V
GS
=10V
I
D
=0.58A
-
-
nC
-
源极 - 漏极二极管额定值和特性
特征
连续源电流
源电流(脉冲)
正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
(Ta=25°C)
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
积分反向二极管
在MOSFET
V
GS
= 0V时,我
S
=0.29A
I
s
= 0.58A ,V
GS
=0V
di
s
/dt=100A/us
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
230
0.84
最大
0.6
2.4
1.4
-
-
单位
A
V
ns
uC
注意;
重复评价:脉冲宽度由最大结温的限制
L = 20mH ,我
AS
= 0.58A ,V
DD
= 50V ,R
G
=25
脉冲测试:脉冲宽度\u003c 300US ,职务cycle≤ 2 %
基本上是独立工作温度
KSD-T0H016-000
3
STK58X60LM
电气特性曲线
图。 1 I
D
- V
DS
图。 2我
D
- V
GS
:
-
图。 3 R
DS ( ON)
- I
D
图。 4我
S
- V
SD
图。 5电容 - V
DS
图。 6 V
GS
- Q
G
KSD-T0H016-000
4
STK58X60LM
图。 7 V
DSS
- T
J
图。 8 R
DS ( ON)
- T
J
C
C
图。 9我
D
- T
C
图。 10安全工作区
`
*
KSD-T0H016-000
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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