S11MD7T/S11MD8T/S11MD9T/S21MD7T/S21MD8T/S21MD9T
S11MD7T/S11MD8T/S11MD9T
S21MD7T/S21MD8T/S21MD9T
g
对大坪卷轴类型
S21MD8T
也可用（
S21MD8P
)
g
DIN- VDE0884认证的型号也可以。
低输入驱动类型
可控硅耦合器
s
特点
1.低输入驱动电流
(
S11MD7T / S11MD8T / S21MD7T / S21MD8T
I
FT
： MAX 。 5毫安
S11MD9T / S21MD9T
I
FT
： MAX.7mA ）
2.引脚5号完全成型的外
抗噪声能力
3.内置过零电路
（ S11MD8T / S21MD8T ）
4.高重复峰值断态电压
(
S11MD7T
/
S11MD8T
/
S11MD9T
V
DRM
： MIN 。 400V
S21MD7T
/
S21MD8T
/
S21MD9T
V
DRM
： MIN 。 600V
输入和输出之间5.隔离电压
( V
ISO
: 5 000V
RMS
)
6.通过UL认证，文件No.E64380
s
外形尺寸
（单位：毫米）
内部连接
图
6
S11MD8T
4
6.5
±
0.5
6
4
g
零交叉
电路
阳极
标志
1
2
3
0.9
±
0.2
1.2
±
0.3
1
2
3
2.54
±
0.25
7.12
±
0.5
7.62
±
0.3
3.5
±
0.5
3.35
±
0.5
3.7
±
0.5
0.5
±
0.1
0.5
典型值。
0.26
±
0.1
θ
:
0到13
θ
s
型号阵容
无零交叉
电路
内置零
交叉电路
100V线
S11MD7T/
S11MD9T
S11MD8T
200V线
S21MD7T/
S21MD9T
S21MD8T
1阳极
2阴极
3 NC
4阳极/
阴极
6阳极/
阴极
零交叉电路
S11MD8T
和
S21MD8T
s
应用
1.对于触发中/高功率可控硅
s
绝对最大额定值
等级
参数
正向电流
反向电压
RMS通态电流
1
峰值一个周期浪涌电流
重复峰值断态电压
2
隔离电压
工作温度
贮藏期温度
3
焊接温度
符号
I
F
V
R
I
T
I
浪涌
V
DRM
V
ISO
T
OPR
T
英镑
T
SOL
400
5 000
- 30 + 100
- 55 + 125
260
S11MD7T/S11MD8T
S11MD9T
S21MD7T/S21MD8T/
S21MD9T
（大= 25℃）
单位
mA
V
A
RMS
A
V
V
RMS
C
C
C
输入
产量
50
6
0.1
1.2
600
1
50Hz正弦波
2
4060 ％RH下，交流，1分钟中，f = 60Hz的
3
10秒
“
在没有确认元器件规格说明书中，夏普需要对发生的任何使用夏普的设备的任何缺陷的设备，在目录显示不承担任何责任，
数据手册等所刊载在使用任何夏普的设备之前获得的元器件规格说明书的最新版本“ 。
S11MD7T/S11MD8T/S11MD9T/S21MD7T/S21MD8T/S21MD9T
s
光电特性
输入
参数
正向电压
反向电流
重复峰值断态电流
S11MD7T/S21MD7T
S11MD9T/S21MD9T
通态电压
S11MD8T/S21MD8T
保持电流
断态电压临界上升率
泽雷交电压
S11MD8T/S21MD8T
S11MD7T/S21MD7T
最小触发
S11MD8T/S21MD8T
当前
S11MD9T/S21MD9T
绝缘电阻
S11MD7T
S11MD9T/S21MD7T/
开启时间
S21MD9T
S11MD8T/S21MD8T
符号
条件
I
F
= 20mA下
V
F
V
R
= 3V
I
R
I
DRM
V
DRM
=额定
V
T
I
H
dv / dt的
V
OX
I
FT
R
ISO
I
T
= 0.1A
V
D
= 6V
V
DRM
= 1/
2
=额定
阻性负载，我
F
= 10毫安
V
D
= 6V ，R
L
= 100
DC500V ， 40 60％RH的
V
D
= 6V ，R
L
= 100
I
F
= 20mA下
分钟。
-
-
-
-
-
0.1
100
-
-
-
5 x 10
10
-
-
-
典型值。
1.2
-
-
1.5
1.7
0.5
-
-
-
-
10
11
70
60
20
（大= 25℃）
马克斯。
1.4
10
- 5
10
- 6
2.5
2.5
3.5
-
35
5
7
-
100
100
50
单位
V
A
A
V
mA
V/
s
V
mA
s
产量
转让
字符
开创性意义
t
on
图。 1 RMS通态电流 -
环境温度
图。 2正向电流与
环境温度
70
60
正向电流I
F
（MA ）
50
40
30
20
10
0.10
RMS通态电流I
T
（武器）
0.05
0
- 30
0
20
40
60
80
环境温度T
a
( C )
100
0
- 30
0
25
50
75
100
环境温度T
a
( C )
125
S11MD7T/S11MD8T/S11MD9T/S21MD7T/S21MD8T/S21MD9T
图。 3正向电流与正向电压
图。 4最小触发电流 -
环境温度
12
500
最小触发电流I
FT
（MA ）
10
200
正向电流I
F
（MA ）
100
50
20
10
5
2
1
0
0.5
2.0
正向电压V
F
( V )
1.0
1.5
2.5
3.0
T
a
= 100C
75C
50C
25C
0C
- 30C
V
D
= 6V
R
L
= 100
8
6
S11MD9T/S21MD9T
4
S11MD8T/S21MD8T
2
0
S11MD7T/S21MD7T
-30
0
20
40
60
80
环境温度T
a
( C )
100
图。 5相重复峰值断态
电压与环境温度
1.3
相对重复峰值断态电压
V
DRM
( T
j
= T
a
) /V
DRM
( T
j
= 25C)
图。 6通态电压与环境
温度
1.9
I
T
= 100毫安
S11MD8T
1.2
导通电压V
T
( V )
S11MD7T/S21MD7T
S11MD9T/S21MD9T
1.8
1.1
1.7
S21MD8T
1.0
S11MD8T/S21MD8T
1.6
0.9
1.5
S11MD7T/S21MD7T
S11MD9T/S21MD9T
1.4
1.3
-30
0.8
0.7
- 30
0
20
40
60
80
环境温度T
a
( C )
100
0
20
40
60
80
环境温度T
a
( C )
100
图。 7保持电流与
环境温度
10
V
D
= 6V
5
持电流I
H
（MA ）
图。 8重复峰值断态电流
与断态电压
（ S11MD7T / S11MD9T ）
2
重复峰值断态电流I
DRM
( A )
T
a
= 25C
10
-9
2
S11MD8T/S21MD8T
1
0.5
5
2
0.2
0.1
- 30
S11MD7T/S21MD7T
S11MD9T/S21MD9T
0
20
40
60
80
环境温度T
a
( C )
100
-10
10
5
100
200
300
400
500
600
关闭电压V
D
( V )
S11MD7T/S11MD8T/S11MD9T/S21MD7T/S21MD8T/S21MD9T
图。 8 -B重复峰值断态电流
与断态电压
(S11MD8T/S21MD8T)
2
图。 8 - C重复峰值断态电流
与断态电压
（ S21MD7T / S21MD9T ）
重复峰值断态电流I
DRM
( A )
10
- 9
5
重复峰值断态电流I
DRM
( A )
T
a
= 25C
10
- 7
S21MD8T
T
a
=25C
5
2
S11MD8T
2
10
- 10
5
10
- 8
2
5
100
200
300
400
500
台下电压V
D
( V )
600
10
- 11
100
200
300
400
500
关闭电压V
D
( V )
600
图。 9 ，重复峰值断态电流
- 环境温度
(S11MD7T/S11MD9T/S21MD7T/S21MD9T)
-7
10
重复峰值断态电流I
DRM
( A )
V
D
= 400V (
S11MD7T/S11MD9T
)
V
D
= 600V (
S21MD7T/S21MD9T
)
10
- 8
图。 9 -B重复峰值断态电流
- 环境温度
（ S11MD8T / S21MD8T ）
-4
10
重复峰值断态电流I
DRM
(A)
V
D
= 400V
(
S11MD8T
)
V
D
= 600V
(
S21MD8T
)
10
- 5
S21MD8T
10
- 6
S11MD8T
10
- 7
10
- 9
10
- 10
10
- 11
10
- 8
10
- 12
- 30
0
20
40
60
80
环境温度T
a
( C )
100
10
- 9
- 30
0
20
40
60
80
环境温度T
a
( C )
100
图10过零电压 -
环境温度
（ S11MD8T / S21MD8T ）
R LOAD
I
F
= 10毫安
过零电压V
OX
( V )
25
图11 ，导通时间与正向电流
（ S11MD7T ）
200
V
D
= 6V
R
L
= 100
导通时间t
on
(
s
)
0
20
40
60
80
环境温度T
a
( C )
100
100
20
50
30
20
5
10
20
正向电流I
F
（MA ）
50
15
-30
S11MD7T/S11MD8T/S11MD9T/S21MD7T/S21MD8T/S21MD9T
图11 -B开启时间与正向电流
（ S11MD8T / S21MD8T ）
100
V
D
= 6V
R
L
= 100
图11 -c是开启时间与正向电流
（ S11MD9T / S21MD7T / S21MD9T ）
200
V
D
= 6V
R
L
= 100
导通时间t
on
(
s
)
50
导通时间t
on
(
s
)
5
10
20
正向电流I
F
（MA ）
50
100
50
20
30
10
20
5
10
20
正向电流I
F
（MA ）
50
图12 -A通态电流与
通态电压
（ S11MD7T / S21MD7T / S11MD9T / S21MD9T ）
100
90
80
通态电流I
T
（MA ）
I
F
= 20mA下
T
a
= 25C
图12 -B通态电流与
通态电压
（ S11MD8T / S21MD8T ）
100
90
80
通态电流I
T
（MA ）
70
60
S21MD8T
50
S11MD8T
40
30
20
10
0
I
F
= 20mA下
T
a
= 25C
70
60
50
40
30
20
10
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
导通电压V
T
( V )
S11MD7T
S21MD7T
S11MD9T
S21MD9T
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
导通电压V
T
( V )
s
基本运算电路
S11MD7T/S11MD8T/S11MD9T
S21MD7T/S21MD8T/S21MD9T
1
6
+
V
CC
负载
AC100V
（ S11MD7T / S11MD8T / S11MD9T ）
AC200V
（ S21MD7T / S21MD8T / S21MD9T ）
2
V
IN
零
交
电路
4
零交叉电路
（ S11MD8T / S21MD8T ）
q
请参阅章节“使用注意事项”。
QQ：2881677436 复制
