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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第120页 > SI7405DN-T1
Si7405DN
Vishay Siliconix公司
P通道12 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.016 @ V
GS
= - 4.5 V
- 12
0.022 @ V
GS
= - 2.5 V
0.028 @ V
GS
= - 1.8 V
特点
I
D
(A)
- 13
- 11
- 9.8
D
TrenchFETr功率MOSFET的： 1.8 V额定
D
新PowerPAKr套餐
- 低热阻，R
thJC
- 低1.07毫米简介
应用
D
负荷开关
D
开关
D
PA的开关
S
S S
的PowerPAK 1212-8
3.30 mm
S
1
2
S
3
S
3.30 mm
4
D
8
7
D
6
D
5
D
G
G
P沟道MOSFET
底部视图
订购信息： Si7405DN -T1
D D
D D
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
稳定状态
- 12
"8
单位
V
- 13
- 9.4
- 30
- 3.2
3.8
2.0
- 55 150
- 8.3
- 6.0
A
- 1.3
1.5
0.8
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到外壳
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71424
S- 31989 -REV 。 B， 13 - OCT- 03
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
26
65
1.9
最大
33
81
2.4
单位
° C / W
C / W
1
Si7405DN
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 2毫安
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
= - 12 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 12 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
v
- 5 V, V
GS
= - 4.5 V
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 13 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= - 2.5 V，I
D
= - 11 A
V
GS
= - 1.8 V，I
D
= - 3 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= - 6 V，I
D
= - 13 A
I
S
= - 3.2 A，V
GS
= 0 V
- 30
0.013
0.018
0.022
35
- 0.7
- 1.2
0.016
0.022
0.028
S
V
W
- 0.45
"100
-1
-5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= - 3.2 ， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= - 6 V ，R
L
= 6
W
I
D
^
- 1 ，V
根
= - 4.5 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= - 6 V, V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 13 A
35
6.6
7.7
25
50
175
150
30
40
75
260
225
60
ns
50
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
30
25
20
15
10
5
输出特性
V
GS
= 5通2 V
30
25
20
15
10
传输特性
I
D
- 漏电流（ A）
1.5 V
I
D
- 漏电流（ A）
T
C
= 125_C
5
25_C
- 55_C
1V
0
0
1
2
3
4
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
0
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71424
S- 31989 -REV 。 B， 13 - OCT- 03
2
Si7405DN
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
0.05
导通电阻与漏电流
6000
5000
- 电容（pF ）
4000
3000
2000
1000
0
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.04
C
国际空间站
0.03
V
GS
= 1.8 V
V
GS
= 2.5 V
0.02
0.01
V
GS
= 4.5 V
C
OSS
C
RSS
0.00
0
5
10
15
20
25
30
0
2
4
6
8
10
12
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 6 V
I
D
= 13 A
栅极电荷
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
- 50
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 13 A
3
2
1
0
0
8
16
24
32
40
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
4
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
30
0.05
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150_C
10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.04
I
D
= 13 A
0.03
0.02
T
J
= 25_C
0.01
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71424
S- 31989 -REV 。 B， 13 - OCT- 03
www.vishay.com
3
Si7405DN
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.2
0.1
0.0
- 0.1
- 0.2
- 50
10
I
D
= 2毫安
40
50
单脉冲功率， Juncion到环境
功率（W）的
30
20
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 65 ° C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
单脉冲
0.05
0.02
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
方波脉冲持续时间（秒）
10
-1
1
www.vishay.com
4
文档编号： 71424
S- 31989 -REV 。 B， 13 - OCT- 03
Si7405DN
Vishay Siliconix公司
P通道12 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
(W)
0.016 @ V
GS
= - 4.5 V
- 12
0.022 @ V
GS
= - 2.5 V
0.028 @ V
GS
= - 1.8 V
特点
I
D
(A)
- 13
- 11
- 9.8
D
TrenchFETr功率MOSFET的： 1.8 V额定
D
新PowerPAKr套餐
- 低热阻，R
thJC
- 低1.07毫米简介
应用
D
负荷开关
D
开关
D
PA的开关
S
S S
的PowerPAK 1212-8
3.30 mm
S
1
2
S
3
S
3.30 mm
4
D
8
7
D
6
D
5
D
G
G
P沟道MOSFET
底部视图
订购信息： Si7405DN -T1
D D
D D
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
稳定状态
- 12
"8
单位
V
- 13
- 9.4
- 30
- 3.2
3.8
2.0
- 55 150
- 8.3
- 6.0
A
- 1.3
1.5
0.8
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到外壳
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71424
S- 31989 -REV 。 B， 13 - OCT- 03
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
26
65
1.9
最大
33
81
2.4
单位
° C / W
C / W
1
Si7405DN
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 2毫安
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
= - 12 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 12 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
v
- 5 V, V
GS
= - 4.5 V
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 13 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= - 2.5 V，I
D
= - 11 A
V
GS
= - 1.8 V，I
D
= - 3 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= - 6 V，I
D
= - 13 A
I
S
= - 3.2 A，V
GS
= 0 V
- 30
0.013
0.018
0.022
35
- 0.7
- 1.2
0.016
0.022
0.028
S
V
W
- 0.45
"100
-1
-5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= - 3.2 ， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= - 6 V ，R
L
= 6
W
I
D
^
- 1 ，V
根
= - 4.5 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= - 6 V, V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 13 A
35
6.6
7.7
25
50
175
150
30
40
75
260
225
60
ns
50
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
30
25
20
15
10
5
输出特性
V
GS
= 5通2 V
30
25
20
15
10
传输特性
I
D
- 漏电流（ A）
1.5 V
I
D
- 漏电流（ A）
T
C
= 125_C
5
25_C
- 55_C
1V
0
0
1
2
3
4
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
0
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71424
S- 31989 -REV 。 B， 13 - OCT- 03
2
Si7405DN
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
0.05
导通电阻与漏电流
6000
5000
- 电容（pF ）
4000
3000
2000
1000
0
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.04
C
国际空间站
0.03
V
GS
= 1.8 V
V
GS
= 2.5 V
0.02
0.01
V
GS
= 4.5 V
C
OSS
C
RSS
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0
5
10
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20
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I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 6 V
I
D
= 13 A
栅极电荷
1.4
1.3
1.2
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1.0
0.9
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- 50
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 13 A
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1
0
0
8
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Q
g
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r
DS （ ON）
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W)
（归一化）
4
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
30
0.05
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150_C
10
r
DS （ ON）
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W
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0.04
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T
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1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71424
S- 31989 -REV 。 B， 13 - OCT- 03
www.vishay.com
3
Si7405DN
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.2
0.1
0.0
- 0.1
- 0.2
- 50
10
I
D
= 2毫安
40
50
单脉冲功率， Juncion到环境
功率（W）的
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- 25
0
25
50
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150
0
0.01
0.1
1
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10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
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1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 65 ° C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
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标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
单脉冲
0.05
0.02
0.01
10
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10
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方波脉冲持续时间（秒）
10
-1
1
www.vishay.com
4
文档编号： 71424
S- 31989 -REV 。 B， 13 - OCT- 03
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STTH20R04G
STTH802B
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