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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1543页 > STK15C88-NF25ITR
STK15C88
32Kx8 PowerStore的nvSRAM
特点
25 ， 45纳秒读取访问&读/写周期时间
无限的读/写耐用性
引脚兼容行业标准的SRAM
掉电时自动非易失性存储
自动恢复到SRAM将开机
在非易失性存储或召回
软件控制
无限RECALL周期
100万存储周期
100年非易失性数据保留
单5V ±10 ％电源
商业和工业温度
28引脚300密耳和330密耳SOIC封装
（符合RoHS标准）
描述
该SIMTEK STK15C88是256KB的快速静态RAM
具有非易失性的量子阱的存储元件
包括与每个存储器单元。
SRAM中提供了快速访问&的循环时间，
易用性和无限的读&写入寿命
一个正常的SRAM 。
数据自动地传送到所述非易失性stor-
当检测到的功率损耗年龄细胞（在
商店
操作）。上电时，数据是自动
恢复到SRAM （在
召回
操作）。两
STORE和RECALL操作也可
在软件控制下。
PowerStore的nvSRAM产品依赖于本征
SIC系统容量，以保持系统的电源
足够长的电源损耗自动存储。如果
从5伏电源斜坡到3.6伏更快
超过10毫秒，考虑我们的14C88和16C88的更多
可靠的操作。
该SIMTEK的nvSRAM是第一个单片无vola-
瓷砖的内存来提供无限的写入和读取。这是
最高性能，最可靠的非易失性
可用内存。
框图
量子阱
512 x 512
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
11
A
12
A
13
A
14
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
商店/
召回
控制
行解码器
商店
静态RAM
ARRAY
512 X 512
召回
软件
检测
A
13
– A
0
输入缓冲器
列I / O
COLUMN DEC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
G
E
W
本产品符合每个规格
术语SIMTEK标准保修。该产品
已完成SIMTEK内部资格测试
并已达到生产状态。
1
文件控制＃ ML0016版本2.0
2008年1月
STK15C88
销刀豆网络gurations
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
（ TOP）
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
W
A
13
A
8
A
9
A
11
G
A
10
E
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
28引脚300密耳SOIC
28引脚330密耳SOIC
引脚说明
引脚名称
A
14
-A
0
DQ
7
-DQ
0
E
W
G
V
CC
V
SS
输入
I / O
输入
输入
输入
电源
电源
I / O
描述
地址： 15地址输入的nvSRAM阵列中选择32,768字节1
数据：双向8位数据总线，用于访问所述的nvSRAM
芯片使能：活动低辐射输入选择器
写使能：将活性低水使上DQ管脚的数据将被写入的地址
位置锁定由E的下降沿
输出使能：有源低G输入使能数据输出缓冲器中读取周期。
德主张摹高造成的DQ引脚为三态。
电源： 5.0V ， + 10 ％
地
文件控制＃ ML0016版本2.0
2008年1月
2
STK15C88
绝对最大额定值
a
电压输入相对于地面。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7.0V
在输入相对于V电压
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.6V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在DQ电压
0-7
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在偏置温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至125°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1W
直流输出电流（1输出的时间， 1秒的持续时间） 。 。 。 。 。 。 。 。 15毫安
注一：强调高于绝对最大额定在“上市
英格斯“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级，并且该装置的条件下的功能操作
超出本规范的业务部门所标明
化，是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间会影响其可靠性。
DC特性
广告
符号
I
CC1
b
I
CC2
c
I
CC3
b
I
CC4
c
I
SB1
d
I
SB2
d
I
ILK
I
OLK
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
T
A
参数
民
平均V
CC
当前
平均V
CC
目前在
商店
平均V
CC
目前在T
AVAV
= 200ns的
5V ， 25°C时，典型的
平均V
帽
目前在
自动存储周期
平均V
CC
当前
（待机，骑自行车TTL电平输入）
V
CC
待机电流
（待机，稳定的CMOS输入电平）
输入漏电流
断态输出漏电流
输入逻辑“ 1 ”电压
输入逻辑“ 0 ”电压
输出逻辑“ 1 ”电压
输出逻辑“ 0 ”电压
工作温度
0
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
70
– 40
最大
97
70
3
10
2
30
22
1.5
±1
±5
V
CC
+ .5
0.8
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
85
民
最大
100
70
3
10
2
31
23
1.5
±1
±5
V
CC
+ .5
0.8
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
μA
μA
V
V
V
V
°C
产业
单位
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
笔记
t
AVAV
= 25ns的
t
AVAV
=为45nS
所有的输入无关，V
CC
=最大
W
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他骑自行车， CMOS电平
所有的输入无关
t
AVAV
= 25ns的，E
≥
V
IH
t
AVAV
=为45nS ，E
≥
V
IH
E
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他V
IN
≤
0.2V或
≥
(V
CC
– 0.2V)
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
，E或G
≥
V
IH
所有的输入
所有的输入
I
OUT
= - 4毫安
I
OUT
= 8毫安
注B：我
CC1
我
CC3
依赖于输出负载和循环率。在特定网络版值与空载输出获得。
注意：C ：我
CC2
我
CC4
需要进行相应的持续时间的平均电流
商店
周期（T
商店
) .
注意D： é
≥
V
IH
不会产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。
AC测试条件
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至3V
输入上升和下降时间
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤
5ns
输入和输出时序参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见图1
5.0V
电容
e
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
(T
A
= 25
°
C，F = 1.0MHz的）
最大
5
7
单位
pF
pF
条件
480欧姆
产量
255欧姆
ΔV
= 0到3V
ΔV
= 0到3V
注E：这些参数是保证，但未经测试。
30 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
图1 ： AC输出负载
文件控制＃ ML0016版本2.0
2008年1月
3
STK15C88
SRAM读周期＃ 1 & ＃ 2
符号
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
参数
#1, #2
t
ELQV
t
AVAV
t
ELEH
t
AVQV
g
f
,
f
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
STK15C88-25
STK15C88-45
单位
民
最大
25
25
25
10
5
5
10
0
10
0
25
0
45
0
15
5
5
15
45
45
20
民
最大
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Alt键。
t
ACS
t
RC
t
AA
t
OE
t
OH
t
LZ
芯片使能存取时间
读周期时间
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
地址更改或芯片使能到输出有效
地址更改或禁用芯片到输出无效
输出使能输出活跃
输出禁止到输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
t
GLQV
t
AXQX
g
t
ELQX
t
EHQZ
t
GLQX
t
GHQZ
h
e
d
,
e
h
t
HZ
t
OLZ
t
OHZ
t
PA
t
PS
t
ELICCH
t
EHICCL
备注：F ：W必须在SRAM写周期SRAM中读取周期的高与低。
注G： I / O状态假设E，G < V
IL
和W > V
IH
;设备被连续地选择。
注H：测量+ 200mV的自稳态输出电压。
SRAM读周期1：地址受控
F，G
2
t
AVAV
地址
5
t
AXQX
DQ （ DATA OUT ）
数据有效
3
t
AVQV
SRAM读周期＃ 2 ： E和G受控
f
ADDR ESS
t
ê LE
1
t
EL Q V
2
29
t
EHAX
11
t
EHI CC L
7
t
EHQ
E
27
6
t
ELQ X
G
t
AV QV
4
t
体中QV
9
t
GH Q
3
8
t
体中Q X
DQ （D ATA OUT）
10
t
ELI CC
DAT一个VAL ID
AC牛逼IVE
I
CC
圣和
文件控制＃ ML0016版本2.0
2008年1月
4
STK15C88
SRAM写周期＃ 1 & ＃ 2
符号
号
#1
#2
Alt键。
参数
民
最大
民
最大
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
STK15C88-25
STK15C88-45
单位
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
t
AVAV
t
WLWH
t
ELWH
t
DVWH
t
WHDX
t
AVWH
t
AVWL
t
WHAX
t
WLQZ
H，I
t
WHQX
t
AVAV
t
WLEH
t
ELEH
t
DVEH
t
EHDX
t
AVEH
t
AVEL
t
EHAX
t
WC
t
WP
t
CW
t
DW
t
DH
t
AW
t
AS
t
WR
t
WZ
t
OW
写周期时间
把脉冲宽度
芯片使能写操作的结束
数据建立到写结束
写入结束后数据保持
地址建立到写结束
地址建立开始写的
写入结束后地址保持
写使能到输出禁止
输出写入结束后主动
25
20
20
10
0
20
0
0
10
5
45
30
30
15
0
30
0
0
15
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注一：
注记者：
如果W低当E为低电平时，输出保持在高阻抗状态。
或W必须是
≥
V
IH
在地址转换。
SRAM写周期＃ 1 ：硬件控制
j
12
t
AVAV
地址
14
t
ELWH
E
17
t
AVWH
13
t
WLWH
15
t
DVWH
DATA IN
20
t
WLQZ
以前的数据
数据有效
19
t
WHAX
18
t
AVWL
W
16
t
WHDX
数据输出
高阻抗
21
t
WHQX
SRAM写周期＃ 2 ：
E受控
j
12
t
AVAV
地址
18
t
AVEL
E
14
t
ELEH
19
t
EHAX
17
t
AVEH
W
13
t
WLEH
15
t
DVEH
16
t
EHDX
数据有效
高阻抗
DATA IN
数据输出
文件控制＃ ML0016版本2.0
2008年1月
5
STK15C88
256千位（ 32K ×8 ） PowerStore的nvSRAM
特点
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
功能说明
赛普拉斯STK15C88是256KB的快速静态RAM与
非易失性元件中的每个存储单元。嵌入式
非易失性元素纳入QuantumTrap
技术
生产世界上最可靠的非易失性存储器。该
SRAM提供了无限的读写周期，而
独立的，非易失性的数据驻留在高度可靠的
QuantumTrap细胞。从SRAM的数据传输
非易失性元件（实体店经营）发生
在自动关闭电源。上电时，数据恢复
在SRAM （调用操作）从非易失性
内存。无论是STORE和RECALL操作也
在软件控制下使用。
PowerStore的nvSRAM产品依赖的内在系统
电容，以保证系统的电源足够长的
掉电时自动存储。如果从5伏电源斜坡
3.6伏快于10毫秒，考虑我们的14C88或16C88
为更可靠的操作。
25 ns到45 ns的访问时间
引脚与业界标准的SRAM兼容
上电时自动非易失商店
在软件控制下非易失性商店
自动恢复到SRAM上电
无限的读/写耐用性
无限RECALL周期
百万STORE周期
百年数据保留
单5V ±10％电源
商用和工业温度
28脚（ 300万和330万）的SOIC封装
符合RoHS标准
逻辑框图
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-50593修订版**
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2009年1月29日
[+ ]反馈
STK15C88
销刀豆网络gurations
图1.引脚图 - 28引脚SOIC
表1.引脚定义 - 28引脚SOIC
引脚名称
A
0
–A
14
DQ
0
-DQ
7
WE
CE
OE
V
SS
V
CC
W
E
G
ALT
IO类型
输入
输入或
产量
输入
输入
输入
地
描述
地址输入。
用于选择的32,768字节的nvSRAM之一。
双向数据IO线。
作为根据操作的输入或输出线路。
写使能输入，低电平有效。
当芯片被使能和WE为低时，所述数据
IO引脚被写入到特定地址的位置。
芯片使能输入，低电平有效。
当低，选择芯片。当HIGH ，取消选择
芯片。
输出使能，低电平有效。
该低电平有效OE输入使能数据输出缓冲器
在读周期。拉高OE HIGH导致IO引脚三态。
地面的装置。
该装置被连接到该系统的地面。
电源
电源输入到该设备。
文件编号： 001-50593修订版**
分页： 15 2
[+ ]反馈
STK15C88
设备操作
该STK15C88是一种多用途的内存芯片，提供了几个
的操作模式。该STK15C88可以作为标准操作
32K ×8 SRAM 。它有一个32K ×8非易失性元素阴影
该SRAM的信息可以被复制，或从中
SRAM可在非易失性方式更新。
软件商店
数据被从SRAM由传送到非易失性存储器
一个软件地址序列。该STK15C88软件商店
循环是通过执行顺序控制CE开始阅读
从周期的确切顺序六项具体地址位置。中
对STORE周期，先前的非易失性数据的擦除是
首先执行，然后是非易失性的程序
元素。当启动一个商店周期，输入和输出是
禁用，直到周期结束。
因为一个序列的读和写来自特定地址的使用
对于STORE开始，就没有其他的读或写是很重要的
存取介入的序列中。如果他们介入，
序列被中止，没有存储或调用发生。
要启动的软件商店周期，下面读
顺序进行：
1.阅读地址0x0E38 ，有效的读
2.读地址0x31C7 ，有效的读
3.阅读地址0x03E0 ，有效的读
4.阅读地址0x3C1F ，有效的读
5.读地址0x303F ，有效的读
6.读地址0x0FC0 ，启动STORE周期
该软件序列主频与CE控制的读取。
当序列中的第六个地址输入后，在商店
周期开始和芯片被禁用。重要的是
读周期，而不是写周期的使用顺序。
这是没有必要的OE为低电平为有效的序列。后
t
商店
周期时间满足， SRAM被再次激活
读取和写入操作。
SRAM读
该STK15C88执行一个读周期，每当CE和OE
是低，而我们高。在针脚上指定的地址
0–14
确定访问的32,768个数据字节。当读为
由地址转换启动的，则输出是后一个有效
吨的延迟
AA
（读周期1） 。如果读通过CE或OE启动，
的输出是在t有效
ACE
或者在t
美国能源部
，以较迟者为准（读
周期2）。数据输出一再响应地址
内T改变
AA
无需跃迁存取时间
系统蒸发散在任何控制输入引脚，并保持有效，直到另一个
地址变更或直到CE或OE变为高电平。
SRAM写
写周期完成时CE和WE低。
地址输入必须在进入之前写是稳定的
周期，必须保持稳定，直到CE或WE变为高电平
在周期的末端。对普通IO引脚DQ数据
0–7
被写入到存储器中，如果它具有有效吨
SD
，年底前
答：我们控制的写或CE年底前控制
WRITE 。请OE高在整个写周期，以避免
数据总线争上常见的IO线。如果OE保持低电平，
内部电路断开输出缓冲器吨
HZWE
之后，我们去
低。
自动存储操作
该STK15C88使用的内在系统容量进行
自动存储在掉电。只要系统
电源至少需要吨
商店
从V腐烂
开关
下
到3.6V时， STK15C88将安全和自动存储
在掉电非易失性SRAM单元的数据。
为了防止不必要的存储操作，自动
商店将被忽略，除非至少有一个写操作
自最近一次存储或调用周期已经发生。
启动软件商店周期，无论执行
写操作是否已经发生。
软件RECALL
数据从非易失性存储器通过转移到SRAM
一个软件地址序列。软件RECALL周期
与读取操作中类似的方式顺序启动
对软件商店开始。要启动RECALL周期，
CE控制的读操作如下顺序是
执行：
1.阅读地址0x0E38 ，有效的读
2.读地址0x31C7 ，有效的读
3.阅读地址0x03E0 ，有效的读
4.阅读地址0x3C1F ，有效的读
5.读地址0x303F ，有效的读
6.读地址0x0C63 ，启动RECALL周期
在内部，召回是一个两步的过程。首先， SRAM数据
被清除，然后，非易失性信息被转移到
SRAM单元。之后的T
召回
周期时间，该SRAM是一次
再次准备读取和写入操作。召回
操作不改变在非易失性元件的数据。该
非易失性数据可被调用的次数不受限制。
硬件RECALL （上电）
在上电期间或之后的任何低功耗状态（V
CC
＆ LT ;
V
RESET
） ，一个内部调出请求被锁定。当V
CC
再次超过V的检测电压
开关
，召回
会自动启动，并采取吨
HRECALL
来完成。
如果STK15C88处于写状态，在上电时的端
回想一下，在SRAM数据被破坏。为了避免这种
的情况下，一个10千欧电阻连接或者我们之间
和System V
CC
或CE和System V之间
CC
.
文件编号： 001-50593修订版**
第15 3
[+ ]反馈
STK15C88
硬件保护
该STK15C88提供硬件保护，防止意外
在低电压STORE操作和SRAM写入
条件。当V
帽
＆ LT ; V
开关
所有外部发起
存储操作和SRAM写操作被禁止。
图3.电流对周期时间（READ ）
噪声考虑
该STK15C88是一种高速内存。它必须具有高
约0.1μF高频旁路电容
连接V之间
CC
和V
SS,
使用线索和痕迹
是尽可能地短。如同所有的高速CMOS集成电路，
小心路由功率，接地和信号减小电路
噪声。
较低的平均有功功率
CMOS技术提供了STK15C88的好处
绘制显著较少的电流，当它被循环在时间
低于50 ns更长。
图2
和
科幻gure 3
显示的关系
我的
CC
和读取或写入周期时间。最坏的情况下
消耗电流示出了用于CMOS和TTL输入
水平（商业级温度范围， VCC = 5.5V ， 100 ％
芯片的占空比实现） 。只有待机电流绘制
当芯片被禁用。得出的总平均电流
由STK15C88依赖于以下项目：
1.芯片的占空比使
2.整个周期率的访问
3的读写比
4. CMOS与TTL电平输入
5.操作温度
6， V
CC
水平
7. IO负载
图2.电流对战循环时间（写）
最佳实践
的nvSRAM产品得到了有效的超过15使用
年。而易用性，使用的是该产品的主要系统之一
值，获得的经验与数百应用工作
系统蒸发散导致以下建议为最佳
做法：
■
非易失性细胞中的nvSRAM被编程的
最后的测试和质量保证过程中试验楼。来
检查程序在客户或合同制造商的
网站有时，重新编程这些值。最后NV模式
通常重复AA ， 55 ， 00 ， FF ，A5或5A的图案。
最终产品的固件不应该承担NV阵中
一组编程状态。该检查内存例程
内容值，以确定第一次系统配置
和冷或热启动状态应始终编程
独特的NV模式（例如，复杂的4个字节的数据
46 E6 49 53 （十六进制）或更多的随机字节）作为最终的一部分
系统制造测试，以确保这些系统例程
坚持工作。
开机启动固件程序应该重写的nvSRAM
成期望的状态。而该NVSRAM出厂的
预设状态下，最好的做法是重新改写的nvSRAM
成作为对事件的一种保障所需的状态
可能翻转位在不经意间（程序错误和传入
检测程序） 。
■
文件编号： 001-50593修订版**
第15 4
[+ ]反馈
STK15C88
表2.软件存储/调用模式选择
CE
L
WE
H
A
13
– A
0
0x0E38
0x31C7
0x03E0
0x3C1F
0x303F
0x0FC0
0x0E38
0x31C7
0x03E0
0x3C1F
0x303F
0x0C63
模式
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
非易失性商店
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
非易失性召回
IO
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
笔记
[1, 2]
L
H
[1, 2]
笔记
1.六个连续的地址必须是在列出的顺序。我们必须高度在所有的六连冠CE控制周期，使非易失性周期。
2.虽然对所述STK15C88 15个地址中，只有低14被用于控制软件模式。
文件编号： 001-50593修订版**
第15个5
[+ ]反馈
STK15C88
256千位（是32K × 8 ） PowerStore的nvSRAM
256千位（是32K × 8 ） PowerStore的nvSRAM
特点
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
功能说明
赛普拉斯STK15C88是256KB的快速静态RAM与
非易失性元件中的每个存储单元。嵌入式
非易失性元素纳入QuantumTrap
技术
生产世界上最可靠的非易失性存储器。该
SRAM提供了无限的读写周期，而
独立的，非易失性的数据驻留在高度可靠的
QuantumTrap细胞。从SRAM的数据传输
非易失性元件（实体店经营）发生
在自动关闭电源。上电时，数据恢复
从非易失性存储器SRAM中（该RECALL操作）。
无论是STORE和RECALL操作也可
在软件控制下。
PowerStore的nvSRAM产品依赖的内在系统
电容，以保证系统的电源足够长的
掉电时自动存储。如果功率斜坡从5伏到
3.6伏快于10毫秒，考虑我们的14C88和16C88为
更可靠的操作。
25 ns到45 ns的访问时间
引脚与业界标准的SRAM兼容
上电时自动非易失商店
在软件控制下非易失性商店
自动恢复到SRAM上电
无限的读/写耐用性
无限RECALL周期
百万STORE周期
百年数据保留
采用5 V单+ 10 ％电源
商用和工业温度
28脚（ 300万和330万）的SOIC封装
符合RoHS标准
逻辑框图
赛普拉斯半导体公司
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198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
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408-943-2600
修订后的2011年4月10日
[+ ]反馈
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STK15C88
目录
引脚配置................................................ ........... 3
设备操作................................................ .............. 4
SRAM读................................................ ....................... 4
SRAM写................................................ ....................... 4
自动存储操作................................................ 4 ........
硬件RECALL （上电） ........................................ 4
软件商店................................................ ............... 4
软件RECALL ................................................ ............. 4
硬件保护................................................ .............. 5
噪声考虑................................................ 5 .......
较低的平均有功功率..............................................五
................................................最佳实践................... 5
最大额定值................................................ ............. 7
直流电气特性.......................................... 7
数据保留和耐力....................................... 8
电容................................................. ..................... 8
热阻................................................ .......... 8
AC测试条件............................................... ........... 8
AC开关特性......................................... 9
SRAM读周期............................................... .............. 9
开关波形................................................ ...... 9
SRAM写周期............................................... ........... 10
开关波形................................................ .... 10
自动存储或通电RECALL .................................. 11
开关波形................................................ .... 11
软件控制的存储/调用循环................ 12
订购信息................................................ ...... 13
订购代码。定义.......................................... 13
包图................................................ .......... 14
文档历史记录页............................................... .. 16
销售，解决方案和法律信息....................... 17
全球销售和设计支持....................... 17
产品................................................. ................... 17
的PSoC解决方案................................................ ......... 17
文件编号： 001-50593修订版* C
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STK15C88
销刀豆网络gurations
图1.引脚图 - 28引脚SOIC
表1.引脚定义 - 28引脚SOIC
引脚名称
A
0
–A
14
DQ
0
-DQ
7
WE
CE
OE
V
SS
V
CC
ALT
I / O类型
输入
输入或
产量
输入
输入
输入
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uc
描述
地址输入。
用于选择的32,768字节的nvSRAM之一。
双向数据I / O线。
作为根据操作的输入或输出线路。
写使能输入，低电平有效。
当芯片被使能和WE为低时，所述数据
I / O引脚被写入到特定地址的位置。
芯片使能输入，低电平有效。
当低，选择芯片。当HIGH ，取消选择
芯片。
W
E
G
输出使能，低电平有效。
该低电平有效OE输入使能数据输出缓冲器
在读周期。拉高OE HIGH导致I / O引脚为三态。
地面的装置。
该装置被连接到该系统的地面。
N
地
电源
电源输入到该设备。
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STK15C88
设备操作
该STK15C88是一种多用途的内存芯片，提供了几个
的操作模式。该STK15C88可以作为标准操作
是32K × 8 SRAM 。它有一个32K的× 8非易失性元素阴影
该SRAM的信息可以被复制，或从中
SRAM可在非易失性方式更新。
软件商店
数据被从SRAM由传送到非易失性存储器
一个软件地址序列。该STK15C88软件商店
循环是通过执行顺序控制CE开始阅读
从周期的确切顺序六项具体地址位置。中
对STORE周期，先前的非易失性数据的擦除是
首先执行，然后是非易失性的程序
元素。当启动一个商店周期，输入和输出是
禁用，直到周期结束。
因为一个序列的读和写来自特定地址的使用
对于STORE开始，就没有其他的读或写是很重要的
存取介入的序列中。如果他们介入，
序列被中止，没有存储或调用发生。
要启动的软件商店周期，下面读
顺序进行：
1.阅读地址0x0E38 ，有效的读
2.读地址0x31C7 ，有效的读
3.阅读地址0x03E0 ，有效的读
4.阅读地址0x3C1F ，有效的读
5.读地址0x303F ，有效的读
6.读地址0x0FC0 ，启动STORE周期
SRAM读
该STK15C88执行一个读周期，每当CE和OE
是低，而我们高。在针脚上指定的地址
0–14
确定访问的32,768个数据字节。当读为
由地址转换启动的，则输出是后一个有效
吨的延迟
AA
（读周期1） 。如果读通过CE或OE启动，
的输出是在t有效
ACE
或者在t
美国能源部
，以较迟者为准（读
周期2）。数据输出一再响应地址
内T改变
AA
无需跃迁存取时间
系统蒸发散在任何控制输入引脚，并保持有效，直到另一个
地址变更或直到CE或OE变为高电平。
自动存储操作
该STK15C88使用的内在系统容量进行
自动存储在掉电。只要系统
电源至少需要吨
商店
从V腐烂
开关
下
到3.6 V时， STK15C88将安全和自动存储
在掉电非易失性SRAM单元的数据。
为了防止不必要的存储操作，自动
商店将被忽略，除非至少有一个写操作
自最近一次存储或调用周期已经发生。
启动软件商店周期，无论执行
写操作是否已经发生。
硬件RECALL （上电）
在上电期间或之后的任何低功耗状态（V
CC
＆ LT ;
V
RESET
） ，一个内部调出请求被锁定。当V
CC
再次超过V的检测电压
开关
，召回
会自动启动，并采取吨
HRECALL
来完成。
如果STK15C88处于写状态，在上电时的端
回想一下，在SRAM数据被破坏。为了避免这种
的情况下，一个10千欧电阻连接或者我们之间
和System V
CC
或CE和System V之间
CC
.
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写周期完成时CE和WE低。
地址输入必须在进入之前写是稳定的
周期，必须保持稳定，直到CE或WE变为高电平
在周期的末端。对通用I数据输入/输出引脚DQ
0–7
被写入到存储器中，如果它具有有效吨
SD
，年底前
答：我们控制的写或CE年底前控制
WRITE 。请OE高在整个写周期，以避免
数据总线争的通用I / O线。如果OE保持低电平，
内部电路断开输出缓冲器吨
HZWE
之后，我们去
低。
该软件序列主频与CE控制的读取。
当序列中的第六个地址输入后，在商店
周期开始和芯片被禁用。重要的是
读周期，而不是写周期的使用顺序。
这是没有必要的OE为低电平为有效的序列。后
t
商店
周期时间满足， SRAM被再次激活
读取和写入操作。
软件RECALL
N
数据从非易失性存储器通过转移到SRAM
一个软件地址序列。软件RECALL周期
与读取操作中类似的方式顺序启动
对软件商店开始。要启动RECALL周期，
CE控制的读操作如下顺序是
执行：
1.阅读地址0x0E38 ，有效的读
2.读地址0x31C7 ，有效的读
3.阅读地址0x03E0 ，有效的读
4.阅读地址0x3C1F ，有效的读
5.读地址0x303F ，有效的读
6.读地址0x0C63 ，启动RECALL周期
在内部，召回是一个两步的过程。首先， SRAM数据
被清除，然后，非易失性信息被转移到
SRAM单元。之后的T
召回
周期时间，该SRAM是一次
再次准备读取和写入操作。召回
操作不改变在非易失性元件的数据。该
非易失性数据可被调用的次数不受限制。
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SRAM写
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[+ ]反馈
STK15C88
硬件保护
该STK15C88提供硬件保护，防止意外
在低电压STORE操作和SRAM写入
条件。当V
帽
＆ LT ; V
开关
所有外部发起STORE
操作和SRAM写操作被禁止。
图3.电流对周期时间（READ ）
噪声考虑
该STK15C88是一种高速内存。它必须具有高
约0.1μF高频旁路电容连接
V之间
CC
和V
SS,
使用线索和痕迹是短
成为可能。如同所有的高速CMOS集成电路，小心路由
电源，接地和信号降低电路噪声。
图2.电流对战循环时间（写）
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CMOS技术提供了STK15C88的好处
绘制显著较少的电流，当它被循环在时间较长
超过50纳秒。
图2
和
科幻gure 3
显示之间的关系
I
CC
和读取或写入周期时间。最坏情况下的电流
消费所示的CMOS和TTL电平输入
（商业级温度范围，V
CC
= 5.5 V时，占空比为100％
在芯片使能） 。当芯片只待机电流被绘制
禁用。由STK15C88得出的总平均电流
依赖于以下项目：
1.芯片的占空比使
2.整个周期率的访问
3的读写比
4. CMOS与TTL电平输入
5.操作温度
6， V
CC
水平
7. I / O负载
的nvSRAM产品得到了有效的超过15年使用。
而易用性是该产品的主要价值体系之一，
所获得的经验正在与数百个应用程序有
导致了以下建议作为最佳做法：
■
非易失性细胞中的nvSRAM被编程的
最后的测试和质量保证过程中试验楼。来
检查程序在客户或合同制造商的
网站有时，重新编程这些值。最后NV模式
通常重复AA ， 55 ， 00 ， FF ，A5或5A的图案。
最终产品的固件不应该承担NV阵列是一个
设置编程状态。该检查内存内容程序
值，以确定第一时间的系统配置和冷或
热启动状态应始终设定一个独特的NV模式
46 E6 49 53 （十六进制） （例如，复杂的4个字节的图案或
多个随机字节）作为最终的系统制造的一部分
进行测试，以确保这些系统的工作程序一致。
开机启动固件程序应该重写的nvSRAM
成期望的状态。而该NVSRAM出厂时预设
状态，最好的做法是重新改写的nvSRAM进入
作为一种保障，以免事件可能翻转理想状态
位在不经意间（程序错误和进货检验
例程） 。
■
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最佳实践
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第17页5
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较低的平均有功功率
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SI9241A
SQJ469EP
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