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SPN8919
N沟道增强型MOSFET
描述
该SPN8919是N沟道逻辑增强模式
这是使用超生产功率场效应晶体管
高细胞密度的DMOS沟道技术。该SPN8910
已被专门设计用于改善整体
使用的DC / DC转换效率同步或
传统开关PWM控制器。它一直
低栅极电荷优化，低R
DS （ ON）
和快速
开关速度。
特点
100V / 2A ，R
DS （ ON）
= 180mΩ @ V
GS
= 10V
高密度电池设计极低的RDS （ ON）
呈导通电阻和最大直流电流
能力
SOT- 89封装设计
应用
高频小功率开关的
MB / NB / VGA
网络的DC / DC电源系统
负荷开关
引脚配置
SOT-89
G
D
S
1
2
3
最热
2012/07/26
V.1
第1页
SPN8919
N沟道增强型MOSFET
引脚说明
针
1
2
3
符号
G
D
S
描述
门
漏
来源
订购信息
产品型号
包
最热
SPN8919
SPN8919S89RGB
SOT-89
※
SPN8910S89RGB ：带卷轴;铅 - 免费;卤素 - 免费
ABSOULTE最大额定值
(T
A
=25
℃
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅 - 源电压
连续漏电流（T
J
=150
℃
)
漏电流脉冲
功耗
工作结温
存储温度范围
热阻，结到环境
T
A
=25℃
T
A
=25℃
T
A
=70℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
典型
100
±20
单位
V
V
A
A
W
℃
℃
℃
/W
2.8
2.2
10
1.5
150
-55/150
85
2012/07/26
V.1
第2页
SPN8919
N沟道增强型MOSFET
电气特性
(T
A
=25
℃
除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
符号
条件
分钟。
典型值
马克斯。
单位
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0V,I
D
=250uA
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
,I
D
=250uA
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
DS
=0V,V
GS
=±20V
V
DS
=80V,V
GS
=0V
V
DS
=80V,V
GS
=0V
T
J
=125℃
V
DS
≥5V,V
GS
=10V
100
1
3.0
±100
25
250
2.2
0.160
5.6
0.180
1.2
V
nA
uA
A
S
V
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
=2A
政府飞行服务队
V
DS
=5V,I
D
=5A
V
SD
I
S
=1A,V
GS
=0V
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 50V ，我
D
=2A,
V
根
= 10V ，R
G
=3.3
V
DS
=15V,V
GS
=0V
f=1MHz
V
DS
=50V,V
GS
=10V
I
D
= 2A
10
2.5
4.5
430
56
35
6.5
10
13
3.4
16
nC
pF
nS
2012/07/26
V.1
第3页
SPN8919
N沟道增强型MOSFET
典型特征
2012/07/26
V.1
第4页
SPN8919
N沟道增强型MOSFET
典型特征
2012/07/26
V.1
第5页
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SHD117245P
SRBC-10AXX0
SST28SF040A-150-4C-WH
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
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操作
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    SPN8919S89RGB
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联系人：销售部1部
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