SQJ469EP
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Vishay Siliconix公司
汽车P沟道80 V（ D- S） 175℃ MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
（ ）在V
GS
= - 10 V
R
DS （ ON）
（ ）在V
GS
= - 6 V
I
D
(A)
CON组fi guration
的PowerPAK
SO- 8L单
S
特点
- 80
0.025
0.029
- 32
单身
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
TrenchFET
功率MOSFET
AEC- Q101标准
d
100 % R
g
和UIS测试
符合RoHS指令2002/95 / EC
m
5m
6.1
5.1
3m
m
G
D
4
G
S
3
S
2
S
1
D
P沟道MOSFET
订购信息
包
铅（ Pb），且无卤
采用PowerPAK SO- 8L
SQJ469EP-T1-GE3
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
a
连续源电流（二极管
漏电流脉冲
b
单脉冲雪崩电流
单脉冲雪崩能量
最大功率耗散
b
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值
温度）
E，F
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
导通）
a
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
S
I
DM
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
- 80
± 20
- 32
- 24
- 32
- 128
- 45
101
100
33
- 55 + 175
260
mJ
W
°C
A
单位
V
热电阻额定值
参数
结到环境
结至外壳（漏）
印刷电路板安装
c
符号
R
thJA
R
thJC
极限
65
1.5
单位
° C / W
笔记
一。包装有限。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
。当安装在1"正方形板（ FR4材料） 。
。参数验证正在进行中。
。见焊接温度曲线（ www.vishay.com/doc?73257 ） 。采用PowerPAK SO- 8L 。引线端子的端部露出的铜（未镀），为
在制造单片化过程的结果。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不要求
保证充足的底部焊接互连。
F。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
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特定网络阳离子
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
DS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
GS
= 0, I
D
= - 250 μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 μA
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= - 10 V
V
GS
= - 10 V
漏源导通电阻
a
R
DS （ ON）
V
GS
= - 10 V
V
GS
= - 10 V
V
GS
= - 6 V
正向跨导
b
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
栅极电阻
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
脉冲电流
a
正向电压
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
SM
V
SD
I
F
= - 8.1 A，V
GS
= 0
V
DD
= - 40 V ，R
L
= 4.9
Ω
I
D
- 8.1 A，V
根
= - 10 V ，R
g
= 1
Ω
F = 1 MHz的
V
GS
= - 10 V
V
DS
= - 40 V，I
D
= - 10.2 A
V
GS
= 0 V
V
DS
= - 40 V ， F = 1兆赫
-
-
-
-
-
-
1.8
-
-
-
-
-
-
4250
250
215
101
13
21
3.2
16
16
150
40
-
- 0.8
5100
300
260
155
-
-
4.6
20
20
180
50
- 128
- 1.2
A
V
ns
Ω
nC
pF
g
fs
V
DS
= - 80 V
V
DS
= - 80 V，T
J
= 125 °C
V
DS
= - 80 V，T
J
= 175 °C
V
DS
= -5 V
I
D
= - 10.2 A
T
J
= 125 °C
T
J
= 175 °C
I
D
= - 8.1 A
- 80
- 1.5
-
-
-
-
- 30
-
-
-
-
-
-
- 2.0
-
-
-
-
-
0.021
0.036
0.045
0.024
35
-
- 2.5
± 100
-1
- 50
- 150
-
0.025
0.043
0.054
0.029
-
S
Ω
A
μA
V
nA
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
= - 15 V，I
D
= - 10.2 A
源极 - 漏极二极管额定值和特性
b
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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典型特征
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
40
V
GS
= 10 V直通4 V
32
I
D
- 漏电流（ A）
32
40
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I
D
- 漏电流（ A）
24
24
16
16
T
C
= 25 °C
8
T
C
= 125 °C
0
T
C
= - 55 °C
0
1
2
3
4
5
8
0
0
2
4
6
8
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
10
V
GS
-
栅极 - 源
电压（V）的
输出特性
60
0.05
传输特性
T
C
= - 55 °C
36
T
C
= 25 °C
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
g
fs
- 跨导（S ）
48
0.04
0.03
V
GS
= 6 V
0.02
V
GS
= 10 V
0.01
24
T
C
= 125 °C
12
0
0
5
10
15
I
D
- 漏电流（ A）
20
25
0
0
8
16
24
32
40
I
D
- 漏电流（ A）
跨
7000
6000
10
导通电阻与漏电流
I
D
= 10.2 A
V
GS
-
栅极 - 源
电压（V）的
8
V
DS
= 40 V
6
- 电容（pF ）
5000
4000
3000
2000
1000
0
0
C
RSS
C
国际空间站
4
2
C
OSS
0
20
40
60
80
0
20
40
60
80
100
120
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
Q
g
- 总
门
费（ NC ）
电容
栅极电荷
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典型特征
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
2.5
R
DS （ ON）
- 导通电阻（标准化）
I
D
= 9.3 A
2.1
V
GS
= 10 V
I
S
-
来源
电流（A ）
10
100
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1.7
V
GS
= 6 V
1.3
1
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
0.1
0.9
0.01
0.5
- 50
- 25
0
25
50
75 100 125
T
J
- 结温（ ° C）
150
175
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
-
源极到漏极
电压（V）的
1.2
导通电阻与结温
0.15
1.1
源漏二极管正向电压
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.12
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.8
I
D
= 250 μA
0.5
I
D
= 5毫安
0.2
0.09
0.06
T
J
= 150 °C
0.03
T
J
= 25 °C
0.00
0
2
4
6
8
V
GS
-
栅极 - 源
电压（V）的
10
- 0.1
- 0.4
- 50
- 25
0
25
50
75 100
T
J
- 温度（℃ ）
125
150
175
导通电阻与栅极至源极电压
- 80
I
D
= 10毫安
阈值电压
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
- 84
- 88
- 92
- 96
- 100
- 50
- 25
0
25
50
75 100 125
T
J
- 结温（ ° C）
150
175
漏源击穿与结温
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热额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
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100
I
DM
有限
I
D
- 漏电流（ A）
10
100 s
1毫秒
10毫秒
限于由R
DS （ ON）
*
I
D
有限
1
100毫秒， 1秒，10秒，直流
0.1
T
C
= 25 °C
单脉冲
0.01
0.01
BVDSS有限公司
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
is
特定网络版
安全工作区
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
P
DM
0.05
0.02
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 65 ° C / W
单脉冲
0.01
10
-2
10
-1
1
10
方波脉冲持续时间（ S）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
100
1000
归瞬态热阻抗，结到环境
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