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STF24NM60N ， STI24NM60N
STP24NM60N ， STW24NM60N
N沟道600 V ， 0.168
17的的MDmesh II功率MOSFET
,
TO- 220FP ，我
2
PAK ，TO- 220和TO- 247
特点
订购代码
STF24NM60N
STI24NM60N
STP24NM60N
STW24NM60N
■
■
■
TAB
V
DSS
（ @Tjmax ）
650 V
650 V
650 V
650 V
R
DS （ ON）
马克斯。
< 0.19
< 0.19
< 0.19
< 0.19
I
D
17 A
1
3
2
3
12
17 A
17 A
17 A
TO-220FP
I
2
PAK
100％的雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
3
1
2
2
1
3
TO-220
TO-247
应用
■
切换应用程序
图1 。
内部原理图
描述
这些器件是N沟道功率MOSFET
使用的第二代开发
的MDmesh 技术。这一革命性的力量
MOSFET相关联的垂直结构的
公司的带布局，产生了世界上的一个
最低的导通电阻和栅极电荷。这是
因此，适用于最苛刻的高
效率的转换器。
表1中。
设备简介
记号
包
TO-220FP
I
2
PAK
24NM60N
管
TO-220
TO-247
包装
订购代码
STF24NM60N
STI24NM60N
STP24NM60N
STW24NM60N
2011年8月
文档ID 18047牧师3
1/19
www.st.com
19
目录
STF24NM60N ， STI24NM60N ， STP24NM60N ， STW24NM60N
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
测试电路
.............................................. 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
2/19
文档ID 18047牧师3
STF24NM60N ， STI24NM60N ， STP24NM60N ， STW24NM60N
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
绝对最大额定值
价值
符号
参数
I
2
PAK
TO-220
TO-247
单位
TO-220FP
± 30
17
11
68
125
15
2500
17
(1)
11
(1)
68
(1)
30
V
A
A
A
W
V / ns的
V
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
J
T
英镑
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘材料来自三个耐受电压（有效值）
通向外部散热器
（T = 1秒;吨
C
=25 °C)
工作结温
储存温度
-55到150
°C
1.有限只能由最高温度允许的。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3. I
SD
≤
17 A， di / dt的
≤
400 A / μs的，峰值V
DS
≤
V
（ BR ） DSS
, V
DD
= 80% V
（ BR ） DSS
表3中。
符号
热数据
价值
参数
TO-220FP
热阻结案件
马克斯。
热阻结到环境
马克斯。
铅的最大温度
焊接用途
I
2
PAK
单位
TO-220
1
62.5
300
50
TO-247
° C / W
° C / W
°C
R
THJ情况
R
THJ - AMB
T
J
4
表4 。
符号
I
AR
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不可─
重复（脉冲宽度限制T
J
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
J
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
价值
6
300
单位
A
mJ
文档ID 18047牧师3
3/19
电气特性
STF24NM60N ， STI24NM60N ， STP24NM60N ， STW24NM60N
2
电气特性
（ TCASE = 25°C除非另有说明）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
(V
GS
= 0)
测试条件
I
D
= 1毫安
分钟。
600
1
100
100
2
3
0.168
4
0.19
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
V
DS
= 600 V
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
= 600 V ，T
C
=125 °C
门体漏
电流（V
DS
= 0)
V
GS
= ± 25 V
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
静态漏源
阻力
V
GS
= 10 V，I
D
= 8 A
表6 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS当量（1）
R
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
门输入电阻
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
分钟。
典型值。
1400
44
7.4
190
5
46
7
23
马克斯。
单位
pF
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 50 V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
-
-
V
DS
= 0 480 V ，V
GS
= 0
F = 1 MHz的漏极开路
V
DD
= 480 V，I
D
= 17 A,
V
GS
= 10 V
（参见图19）
-
-
-
-
-
-
1. C
O（ EFF ） 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DS
.
4/19
文档ID 18047牧师3
STF24NM60N ， STI24NM60N ， STP24NM60N ， STW24NM60N
电气特性
表7中。
符号
t
D（上）
t
R（ V）
t
D（关闭）
t
F（ I）中
开关时间
参数
导通延迟时间
电压上升时间
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 300 V，I
D
= 8.5 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
（参见图18）
分钟。
典型值。
11.5
16.5
73
37
最大单位
ns
ns
ns
ns
-
-
表8 。
符号
I
SD
I
SDM （1）
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 17 A，V
GS
= 0
I
SD
= 17 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 60 V
（参见图20）
I
SD
= 17 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 60 V T，
J
= 150 °C
（参见图20）
测试条件
分钟。典型值。最大
-
-
-
340
4.6
27
404
5.7
28
17
68
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
-
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
文档ID 18047牧师3
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