STB7NA40
N - 沟道增强型
快速功率MOS晶体管
TYPE
STB7NA40
n
n
n
n
n
n
n
n
V
DSS
400 V
R
DS ( ON)
& LT ; 1
I
D
6.5 A
n
典型
DS ( ON)
= 0.82
±
30V栅极至源极电压额定值
100%的雪崩测试
重复性雪崩数据的AT 100
o
C
低的固有电容
栅极电荷最小化
化阈值电压蔓延
通孔I2PAK ( TO- 262 )电源
包装管内(后缀“ -1” )
表面安装D2PACK ( TO- 263 )
电力包装管(没有后缀)
或在磁带和放大器; REEL (后缀“ T4 ” )
3
12
1
3
I2PAK
TO-262
D2PAK
TO-263
应用
n
大电流,高开关速度
n
开关模式电源( SMPS )
n
DC -AC转换器,用于焊接
设备和不间断
电源和电机驱动器
内部原理图
绝对最大额定值
SYMB OL
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
T
s TG
T
j
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流(连续)在T
c
= 25
o
C
漏电流(连续)在T
c
= 100 C
漏电流(脉冲)
牛逼otal耗散在T
c
= 25 C
降额事实还是
储存温度
马克斯。操作摄像结温
o
o
VALU ê
400
400
±
30
6.5
4.1
26
100
0.8
-65到150
150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W/
o
C
o
o
C
C
( )脉冲宽度有限的安全工作区
1995年10月
1/10
STB7NA40
电气特性
(续)
接通
Symbo升
t
D(上)
t
r
( di / dt的)
on
参数
开启时间
上升时间
导通电流斜率
牛逼EST刀豆ditio NS
V
DD
= 200 V I
D
= 3.5 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 47
(见测试电路,图3 )
V
DD
= 320 V I
D
= 7 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 47
(见测试电路,图5 )
V
DD
= 320 V
I
D
= 7 A
V
GS
= 10 V
分钟。
牛逼YP 。
25
75
220
马克斯。
35
100
单位
ns
ns
A / μs的
Q
g
Q
gs
Q
gd
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
34
7
15
45
nC
nC
nC
关闭
Symbo升
t
R( Voff时)
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
牛逼EST刀豆ditio NS
V
DD
= 320 V I
D
= 7 A
R
G
= 47
V
GS
= 10 V
(见测试电路,图5 )
分钟。
牛逼YP 。
40
25
75
马克斯。
55
35
100
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
Symbo升
I
SD
I
SDM
()
V
SD
()
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
(脉冲的)
正向电压上
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
= 6.5 A
V
GS
= 0
380
4.8
25
I
SD
= 7的的di / dt = 100 A / μs的
o
T
j
= 150 C
V
DD
= 100 V
(见测试电路,图5 )
牛逼EST刀豆ditio NS
分钟。
牛逼YP 。
马克斯。
6.5
26
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
( * )脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 %
( )脉冲宽度LIMI泰德由安全工作区
安全工作区
热阻抗
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