STB18NM60N ， STF18NM60N
STP18NM60N ， STW18NM60N
N沟道600 V ， 13 A， TO- 220 ， TO- 220FP ， TO- 247 ，D
2
PAK
第二代的MDmesh 功率MOSFET
初步数据
特点
TYPE
STB18NM60N
STF18NM60N
STP18NM60N
STW18NM60N
■
■
■
V
DSS
（ @Tjmax ）
600 V
600 V
600 V
600 V
R
DS （ ON）
最大
I
D
P
W
3
< 0.285
Ω
13的80瓦
< 0.285
Ω
13的30瓦
< 0.285
Ω
13的80瓦
< 0.285
Ω
13的80瓦
1
2
3
1
DPAK
TO-247
100％的雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
TO-220
3
1
2
1
3
2
TO-220FP
应用
■
切换应用程序
图1 。
内部原理图
描述
的MDmesh 技术应用的好处
多个排水过程意法半导体
著名的PowerMESH 水平布局
结构。所得到的产物具有低导通
耐高dv / dt能力和优秀的
雪崩特性。
表1中。
设备简介
记号
18NM60N
18NM60N
18NM60N
18NM60N
包
DPAK
TO-220FP
TO-220
TO-247
包装
磁带和卷轴
管
管
管
订购代码
STB18NM60N
STF18NM60N
STP18NM60N
STW18NM60N
2009年6月
文档ID 15868牧师1
1/14
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14
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。内容如有
更改，恕不另行通知。
目录
STB18NM60N ， STF18NM60N ， STP18NM60N ， STW18NM60N
目录
1
2
3
4
5
6
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
测试电路
............................................... 6
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
2/14
文档ID 15868牧师1
STB18NM60N ， STF18NM60N ， STP18NM60N ， STW18NM60N
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
绝对最大额定值
价值
符号
参数
DPAK ，
TO-220,TO-247
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
I
AR
E
AS
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
J
T
英镑
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
J
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
J
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘从所有的耐压（ RMS）
3导到外部的散热器
（T = 1秒;吨
C
=25 °C)
工作结温
储存温度
-55到150
13
8.2
52
80
待定
待定
15
2500
600
13
(1)
8.2
(1)
52
(1)
30
单位
TO-220FP
V
A
A
A
W
A
mJ
V / ns的
V
°C
1.有限只能由最高允许温度
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
≤
13 A， di / dt的
≤
400 A / μs的，峰值V
DS
≤
V
（ BR ） DSS
表3中。
符号
热数据
参数
DPAK
的TO-220 TO-247 TO- 220FP
1.56
62.5
300
50
4.17
62.5
单位
° C / W
° C / W
°C
R
THJ情况
热阻结案件最大
R
THJ - AMB
T
l
热阻结- AMB最大
铅的最大温度
焊接用途
文档ID 15868牧师1
3/14
电气特性
STB18NM60N ， STF18NM60N ， STP18NM60N ， STW18NM60N
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
J
=125 °C
V
GS
= ±25 V; V
DS
=0
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100 A
V
GS
= 10 V，I
D
=6.5 A
2
3
分钟。
600
1
10
0.1
4
0.285
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
W
表5 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
o(tr)(2)
C
o(er)(3)
R
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
=0, I
D
= 0
V
DS
= 50 V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
分钟。
-
典型值。
待定
1000
70
3
待定
待定
4
35
待定
待定
马克斯。
-
单位
S
pF
pF
pF
pF
pF
W
nC
nC
nC
-
-
式。电容和时间有关V
DS
= 0 ，为480 V V
GS
=0
式。电容能源
涉及
本征电阻
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 0 ，为480 V V
GS
=0
F = 1 MHz的漏极开路
V
DD
= 480 V，I
D
= 13 A
V
GS
= 10 V
（参见图3）
-
-
-
-
-
-
-
-
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ 。
时间相关的被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
3. C
OSS EQ 。
能量相关的被定义为一个常数等效电容给出相同存储的能量作为
C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
4/14
文档ID 15868牧师1
STB18NM60N ， STF18NM60N ， STP18NM60N ， STW18NM60N
电气特性
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 300 V，I
D
= 13 A,
R
G
= 4.7
Ω,
V
GS
= 10 V
（参见图2）
分钟。
典型值。
待定
待定
待定
待定
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
-
-
表7中。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 13 A，V
GS
=0
I
SD
= 13 A， di / dt的= 100 A / μs的，
V
DD
= 60 V
（见图4）
V
DD
= 60 V
的di / dt = 100 A / μs的，我
SD
= 13 A
TJ = 150℃
（见图4）
测试条件
分钟。
-
-
-
待定
待定
待定
待定
待定
待定
典型值。马克斯。单位
13
52
待定
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
2.
-
1.脉冲宽度有限的安全工作区
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
文档ID 15868牧师1
5/14
STB18NM60N ， STF18NM60N ，
STP18NM60N ， STW18NM60N
N沟道600 V ， 0.26
Ω
典型值， 13的的MDmesh II 功率MOSFET
在D
2
PAK ，TO- 220FP ，TO- 220和TO- 247
数据表 - 生产数据
特点
TAB
订购代码
STB18NM60N
STF18NM60N
STP18NM60N
STW18NM60N
■
■
■
V
DSS
（ @Tjmax ）
R
DS （ ON）
马克斯。
I
D
P
合计
3
110 W
650 V
< 0.285
Ω
13 A
30 W
TAB
1
3
1
2
DPAK
TO-220FP
110
100％的雪崩测试
3
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
TO-220
1
2
2
1
3
TO-247
应用
■
切换应用程序
图1 。
内部原理图
描述
这些器件是N沟道功率MOSFET
使用的第二代开发
的MDmesh 技术。这一革命性的力量
MOSFET相关联的垂直结构的
公司的带布局，产生了世界上的一个
最低的导通电阻和栅极电荷。这是
因此，适用于最苛刻的高
效率的转换器。
表1中。
设备简介
记号
18NM60N
18NM60N
18NM60N
18NM60N
包
DPAK
TO-220FP
TO-220
TO-247
包装
磁带和卷轴
管
管
管
订购代码
STB18NM60N
STF18NM60N
STP18NM60N
STW18NM60N
2012年10月
这是在满负荷生产一个产品信息。
文档ID 15868牧师4
1/21
www.st.com
21
目录
STB18NM60N ， STF18NM60N ， STP18NM60N ， STW18NM60N
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
........................... 6
3
4
5
6
测试电路
............................................... 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
2/21
文档ID 15868牧师4
STB18NM60N ， STF18NM60N ， STP18NM60N ， STW18NM60N
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
绝对最大额定值
价值
参数
DPAK ，
TO-220,TO-247
600
± 25
13
8.2
52
110
4.5
350
15
2500
13
(1)
8.2
(1)
52
(1)
30
A
A
A
W
A
mJ
V / ns的
V
单位
TO-220FP
V
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
I
AR
E
AS
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
J
T
英镑
漏源电压
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
J
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
J
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘从所有的耐压（ RMS）
3导到外部的散热器
（T = 1秒;吨
C
=25 °C)
工作结温
储存温度
-55到150
°C
1.最高结温限制。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3. I
SD
≤
13 A， di / dt的
≤
400 A / μs的，V
DD
≤
80 % V
（ BR ） DSS
, V
DS （峰值）
≤
V
（ BR ） DSS
表3中。
符号
R
THJ情况
R
THJ - AMB
热数据
参数
热阻结案件最大
热阻结- AMB最大
30
DPAK TO-220 TO-247 TO- 220FP
1.14
62.5
50
4.17
62.5
° C / W
单位
R
thj-pcb(1)
热阻结到PCB最大
1.
当安装在1inch FR-4板， 2盎司铜。
文档ID 15868牧师4
3/21
电气特性
STB18NM60N ， STF18NM60N ， STP18NM60N ， STW18NM60N
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源导通
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DS
= 600 V
V
DS
= 600 V ，T
J
=125 °C
V
GS
= ±25 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
=6.5 A
2
3
分钟。
600
1
10
±100
4
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
Ω
0.260 0.285
表5 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS当量（1）
R
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
本征电阻
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
分钟。
典型值。
1000
60
3
225
3.5
35
6
20
马克斯。
单位
pF
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
V
DS
= 50 V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
-
-
V
DS
= 0 ，为480 V ，V
GS
=0
F = 1 MHz的漏极开路
V
DD
= 480 V，I
D
= 13 A
V
GS
= 10 V
（见
图19）
-
-
-
-
-
-
1. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DS
.
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 300 V，I
D
= 6.5 A,
R
G
= 4.7
Ω,
V
GS
= 10 V
（见
图18）
分钟。
典型值。
12
15
55
25
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
-
-
4/21
文档ID 15868牧师4
STB18NM60N ， STF18NM60N ， STP18NM60N ， STW18NM60N
电气特性
表7中。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 13 A，V
GS
=0
I
SD
= 13 A， di / dt的= 100 A / μs的，
V
DD
= 60 V
（见
图20）
V
DD
= 60 V
的di / dt = 100 A / μs的，我
SD
= 13 A
TJ = 150℃
（见
图20）
测试条件
分钟。
-
-
-
300
4.0
25
360
4.5
25
典型值。马克斯。单位
13
52
1.6
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
2.
-
1.脉冲宽度有限的安全工作区
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
文档ID 15868牧师4
5/21
QQ：2881677436 复制
