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S29NS -N的MirrorBit 闪存系列

S29NS256N ， S29NS128N ， S29NS064N

256/128/64兆位（16 /8 / 4M ×16位）， CMOS 1.8伏只

同步读/写，复用，突发模式

FL灰内存

数据表

（高级信息）

S29NS -N的MirrorBit 闪存系列封面

请注意，以读者：

这份文件指出关于Spansion公司目前的技术规格

本文描述的产品（S）。本文描述的每一个产品可以被指定为超前信息，

初步或全面投产。看

请注意在数据表牌号

对于定义。

公开号

S29NS-N_00

调整

修订

发行日期

2006年6月13日

请注意在数据表牌号

Spansion公司发布的数据表具有超前信息或初步的名称，提醒读者

产品信息或意图规范整个产品生命周期，包括研发，

资质，初始生产，并全面投入生产。在所有的情况下，但是，我们鼓励读者以验证

他们有他们的定稿之前的设计的最新信息。 Spansion公司的数据下面的说明

表名称使用这里介绍要突出自己的存在和定义。

超前信息

事前信息认证表明Spansion公司正在开发一个或多个特定

产品，但并没有承诺任何设计到生产。呈现在文档中使用这些信息

指定有可能发生改变，并且在某些情况下，开发的产品可中止。 Spansion公司

因此， LLC则以在生产数据内容如下条件：

“本文件包含有关正在开发的Spansion LLC的一个或多个产品的信息。

该信息旨在帮助您评估该产品。本产品无不要设计

联系工厂。 Spansion公司保留随时更改或终止对这个作品的权利

恕不另行通知提出的产品“ 。

初步

预指定表示该产品的开发已取得进展，使得一个承诺

生产已经发生。该标识包含几个方面的产品生命周期，包括

产品合格，最初的生产，并且在发生的制造过程中的后续阶段

之前满负荷生产的实现。更改技术规格的初步介绍

文件应同时保持生产这些方面正在考虑的期望。 Spansion公司

放置后，初步含量满足以下条件：

“这份文件指出关于Spansion公司产品目前的技术规范（ S）

本文中所描述。本文件的初步情况显示，产品合格已

完成，而且最初的生产已经开始。由于制造过程中的各个阶段那

需要维护的效率和质量，这个文件可以通过后续版本或修订

修改由于改变了技术规范。 “

组合

有些数据表包含的产品具有不同的名称的组合（超前信息，

初步或全部生产）。这种类型的文件区分这些产品和它们的名称

在必要时，通常第一个页面时，订购信息页面，页面与DC

特性表和AC擦除和编程表（表中的说明）。第一个免责声明

页面是指读者在此页上的通知。

满负荷生产（在文件没有指定）

当产品已经生产了一段时间，使得不改变或仅标称变化

预计，初步指定从数据表中删除。标称变化可能包括

那些影响订货可用的部件号，诸如速度的增加或删除的数量

选项，使用温度范围，封装类型，或V

范围内。变化也可能包括那些需要澄清

说明或者纠正拼写错误或不正确的规范。 Spansion公司采用以下

条件，这一类材料：

“这份文件指出关于Spansion公司产品目前的技术规范（ S）

本文中所描述。 Spansion公司认为该产品已足够生产量

例如，本文件的后续版本预计不会改变。然而，排印

或规范更正或修改提供可能发生的有效组合。 “

有关这些文件名称的问题，可向当地的AMD或富士通销售办事处。

S29NS -N的MirrorBit 闪存系列

2006年S29NS - N_00_A12 6月13日，

S29NS -N的MirrorBit 闪存系列

S29NS256N ， S29NS128N ， S29NS064N

256/128/64兆位（16 /8 / 4M ×16位）， CMOS 1.8伏只

同步读/写，复用，突发模式

FL灰内存

数据表

（高级信息）

特色鲜明

单1.8V的读取，编程和擦除（ 1.70V至1.95V ）

VersatileIO 功能

- 设备产生的数据输出电压和容忍的数据输入

电压通过在V的电压来确定

CCQ

针

- 1.8V兼容I / O信号

- 150毫秒16千字行业典型扇区擦除时间

800毫秒扇区擦除时间为64千字行业

安全功能

持久扇区保护

- 一个命令扇区保护法锁定的组合

个别行业，以防止程序或内擦除操作

扇形

- 扇区可以被锁定并且在V解锁的系统内

水平

复用的数据和地址的减少了I / O数量

- A15 -A0复用为DQ15 - DQ0

- 地址是由AVD ＃控制输入锁存当CE ＃低

同时读/写操作

- 可以将数据连续地从一个存储体的同时执行读

擦除/在其他银行的程序功能

读取和写入操作之间的零延迟

密码扇区保护

- 一个成熟的行业保护方法锁定的组合

个别行业，以防止程序或内擦除操作

使用一个用户定义的64位密码扇区

读取访问时间在六十六分之八十〇兆赫

- 在工业温度范围内突发访问911 ns的时间

- 在80 ns的异步随机存取时间

- 同步随机接入的80ns的时间

硬件部门保护

- WP ＃保护最高的两个行业

- 所有行业锁定时， ACC = V

突发长度

- 连续线性爆

- 保鲜膜8/16/32字线突发各地

- 无包装8/16/32字线突发各地

握手功能

- 提供主机系统与监测最低可能延迟

RDY

支持通用闪存接口（ CFI ）

软件指令集兼容JEDEC 42.4

标准

- 与Am29F和Am29LV家庭向后兼容

安全硅行业区域

- 256个字，通过一个命令序列访问

- 128字的工厂安全硅行业

- 128字为客户安全硅行业

在110纳米的MirrorBit制造

工艺技术

自行车耐力：每个扇区典型的10万次

数据保存：20年典型

数据＃查询和翻转位

- 提供的检测程序和擦除软件的方法

操作完成

功耗（典型值： 8位开关，

= 30 pF的） @ 80兆赫

–

连续突发模式阅读：28 MA（为66MHz ）

同时操作： 50毫安

编程/擦除： 19毫安

待机模式： 20 μA

擦除挂起/恢复

- 挂起擦除操作来读取数据，或程序数据，

一个没有被擦除的扇区，然后将恢复的擦除操作

部门架构

- 四的16K字扇区（ S29NS256N和S29NS128N ）和四个8K

字扇区（ S29NS064N ）中最上面的地址范围

- 双百55 64千字部门（ S29NS256N ），单

百- 27 64 - K字部门（ S29NS128N ）和一个

百27 32Kword部门（ S29NS064N ）

- 十六银行（ S29NS128N和S29NS256N ）和八家银行

(S29NS064N)

计划暂停/恢复

- 挂起编程操作，以从其它的扇区读出的数据

比正被编程的一个，那么恢复的编程

手术

解锁绕道程序命令

- 减少发行多个程序时，整个编程的时间

命令序列

高性能

- 典型字编程40微秒的时间

- 9.4微秒利用的典型有效字编程时间

32字写缓冲区在V

水平

- 6微秒利用一个32字的典型有效字编程时间

写缓冲器在ACC级别

套餐

- 48球很薄FBGA （ S29NS256N ）

- 44球很薄FBGA （ S29NS128N ， S29NS064N ）

公开号

S29NS-N_00

调整

修订

发行日期

2006年6月13日

本文件包含有关正在开发的Spansion LLC的一个或多个产品的信息。该信息旨在帮助您评估该产品。不设计

本产品无需联系工厂。 Spansion公司保留对本建议的产品更改或停止工作，恕不另行通知。

DA TA

片

（广告VANC

我NFO R M在IO N）

概述

该S29NS256N ， S29NS128N和S29NS064N是256兆， 128兆和64兆（分别）， 1.8伏只，

同步读/写，突发模式闪存设备，组织为16777216 ， 8388608 ，和

4194304字，每行16位。这些器件采用单V

1.70 1.95 V至读取，编程，和

擦除存储器阵列。 9.0伏ACC ，可以用于更快的程序的性能，如果需要的。这些

器件还可以在标准EPROM编程器编程。

该器件提供在以下速度：

时钟速度

80兆赫

66兆赫

突发存取（ NS ）

11.0

同步。初始接入（纳秒）

Asynch 。初始接入（纳秒）

30 pF的

输出负载

该器件在-25 ℃至温度范围内操作

+ 85°C ，以及提供在很薄FBGA封装。

1.1

同时读/写操作零延迟

同时读/写架构提供

同时操作

通过将所述存储器空间

到16组。该设备允许主机系统编程或擦除在一个银行，然后立即和

从另一家银行同时读取，零延迟。这从等待释放系统

编程或擦除操作完成。该装置被构造为显示在下面的表中：

S29NS256N

0-14银行部门

QUANTITY

240

240 MB总

SIZE

64 K字

16 MB总

64 K字

QUANTITY

银行15个行业

SIZE

16 K字

S29NS128N

0-14银行部门

QUANTITY

120

120 MB总

SIZE

64 K字

8 MB总

64 K字

QUANTITY

银行15个行业

SIZE

16 K字

S29NS064N

0-6银行部门

QUANTITY

112

56兆位

SIZE

32 K字

8兆位

32 K字

QUANTITY

银行7部门

SIZE

8 K字

该VersatileIO （V

）控制允许主机系统设置的电压电平，该装置产生在

其数据输出端，并且被认定于在其数据输入端的耐受性，以相同的电压电平的电压

CCQ

引脚。

该设备使用芯片使能（ CE ＃），写使能（ WE＃），地址有效（ AVD ＃）和输出使能（ OE ＃）来

控制异步读取和写入操作。对于突发操作，器件还需要准备好

（ RDY ）和时钟（ CLK ）。这种实现可轻松实现以最小的胶合逻辑来

微处理器/微控制器高性能读取操作。

该设备提供的完全兼容

42.4 JEDEC单电源闪存命令集

标准。

命令被写入到使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。

读出的数据的设备类似于其他Flash或EPROM器件读取。

S29NS -N的MirrorBit 闪存系列

2006年S29NS - N_00_A12 6月13日，

数据

她等

（ ADVA NCE

在对马TI ）

主机系统可以检测是否编程或擦除操作完成时通过使用设备

状态位

DQ7 （数据＃投票）和DQ6 / DQ2 （触发位）。后一个程序或擦除周期已经完成，该

设备会自动返回到阅读阵列的数据。

该

扇区擦除架构

允许存储扇区进行擦除和重新编程，而不影响

其他部门的数据内容。从工厂发货时，设备被完全擦除。

硬件数据保护

措施包括低V

探测器可以自动抑制写操作

在上电期间的过渡。该器件还提供了三种数据保护的行业水平。

一贯

扇区保护

实现在系统，扇区的任意组合的命令启用保护用

在V单电源供电

密码扇区保护

防止未经授权的写入和擦除操作

以扇区为通过用户定义的64位密码任意组合。当在V

WP ＃

锁定最高

两个部门。最后，当ACC是在V

，所有部门都被锁定。

该器件提供两种省电功能。当地址已稳定为指定的量

时，器件进入

自动休眠模式。

该系统还可以将设备插入

待机

模式。

功率消耗在这两种模式下大大降低。

器件编程时通过执行程序命令序列。这将启动

嵌入式

节目

算法 - 内部算法，可以自动次编程脉冲宽度和验证

适当的细胞保证金。该

解锁绕道

模式，要求只有两个写有利于更快的程序倍

循环编程数据，而不是四个。另外，

写缓冲区编程

可在这个家庭中

设备。此功能提供了分组的位置被编程卓越的编程性能。

设备擦除时通过执行擦除命令序列。这将启动

嵌入式擦除

算法 - 内部算法，可以自动preprograms阵列（如果它尚未完全

编程）执行擦除操作之前。在擦除，擦除设备会自动倍

脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。

该

程序挂起/恢复计划

功能允许用户将程序暂停读取数据

未选择任何编程领域。如果读出从持久保护区需要，

动态保护区，或CFI区，后程序暂停，则用户必须使用正确的

命令序列以进入和退出该区域。该计划暂停/恢复功能也可

在擦除编程时暂停（只有1级深度）。

该

擦除暂停/删除恢复

功能使用户把擦除保持从读出的数据，或

程序的数据，即不选择擦除任何部门。真实背景擦除因此可以实现。如果

读从持久保护区，动态保护区，或CFI区域需要，后

擦除挂起，那么用户必须使用正确的命令序列，进入和退出该区域。

该

硬件RESET ＃引脚

终止正在进行的任何操作和内部状态机复位到

读阵列数据。在RESET ＃引脚可以连接到系统复位电路。因此，一个系统复位也会

复位装置，使系统的微处理器，以从闪存读取引导固件

装置。

主机系统可以检测是否一个存储器阵列的编程或擦除操作完成时通过使用

设备状态位DQ7 （数据＃查询）， DQ6 / DQ2 （触发位）， DQ5 （超过时间限制）， DQ3 （扇区擦除

启动超时状态指示器），和DQ1 （写缓冲中止）。经过编程或擦除周期已

完成后，该装置自动返回到读出阵列的数据。

该

扇区擦除架构

允许存储扇区进行擦除和重新编程，而不影响

其他部门的数据内容。

从工厂发货时，该设备被完全擦除。

硬件数据保护

措施包括低V

探测器可以自动抑制写操作

在上电期间的过渡。该器件还提供了两种类型的数据保护在部门层面。当在V

WP ＃

在内存顶部锁定两个最外面的引导扇区。

当ACC引脚= V

，整个闪存阵列的保护。

Spansion公司闪存技术结合多年的闪存制造经验，生产的

最高级别的质量，可靠性和成本效益。该装置电擦除内所有的位

部门。的数据是使用热电子注入编程。

2006年S29NS - N_00_A12 6月13日，

S29NS -N的MirrorBit 闪存系列